孙岩
- 作品数：11 被引量：10H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 柔性石墨烯放大器MMIC被引量：1
- 2021年
- 石墨烯兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的在携式无线通讯、监护电子等方面的应用进程。然而,由于一直没找到合适的衬底以及兼容的集成工艺,柔性石墨烯器件特别是集成电路的研制一直受到限制。南京电子器件研究所结合硬质基板上石墨烯器件和电路的研制经验,选择具有原子级平整度、耐高温的云母片作为器件衬底,突破无损转移、自对准等技术挑战,成功制备了高性能的石墨烯FET器件和放大器MMIC [如图1(a)所示]。
- 吴云孙岩曹正义
- 关键词：无线通讯柔性衬底高频化MMIC自对准柔性石墨
- 基于InP DHBT工艺的140～220GHz单片集成放大器被引量：3
- 2015年
- 磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺研制出140220 GHz单片集成放大器,该电路采用了功率增益截止频率(fmax)超过500 GHz的InP DHBT器件,如图1所示。测试结果表明,该电路在140 GHz、200 GHz以及220
- 程伟王元孙岩陆海燕常龙谢俊领牛斌
- 关键词：单片集成INPDHBT磷化铟功率增益亚毫米波
- 最高振荡频率为620GHz的0.25μm InP DHBT器件
- 2021年
- 磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研制。图1和图2分别展示了南京电子器件研究所研制的101.6mm(4英寸)0.25 μm InP DHBT器件剖面图和高频性能,器件电流增益(β)为25,击穿电压(BVCEO)为4.2 V(Je=10 μA/μm2),电流增益截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)分别达到390 GHz和620 GHz。基于0.25 μm InP DHBT工艺,研制了340GHz单片集成放大器,该放大器小信号S参数测试结果如图3所示,300 GHz 增益为 15 dB,340 GHz 增益为 7.5 dB。
- 戴姜平孙岩李征常龙姚靖懿程伟
- 关键词：单片集成电路最高振荡频率电流增益磷化铟DHBT
- G波段AlN/GaN HEMT外延材料
- 2020年
- 南京电子器件研究所基于MOCVD平台,在100 mm SiC半绝缘衬底上,提出恒压式气流吹扫和台阶式流场调控技术分别应用于生长AlN/GaN异质结界面和AlN势垒层,显著改善了AlN/GaN异质结界面不清晰、Al原子表面扩散长度偏低的外延难题,研制出高性能AlN/GaN HEMT外延材料。图1为AFM 5μm×5μm范围下的表面形貌,势垒层表面平整,原子台阶明显,RMS=0.3 nm,且无明显缺陷。
- 李传皓彭大青李忠辉张东国杨乾坤吴少兵孙岩
- 关键词：势垒层异质结界面HEMTMOCVD
- InP太赫兹功率放大器芯片被引量：2
- 2018年
- 太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。南京电子 器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm,芯片面积2.3 mm×0.9mm。图1和图2 分别展示了芯片的实物照片和测试结果。
- 孙岩程伟陆海燕王元王宇轩孔月婵陈堂胜
- 关键词：功率放大器芯片面积太赫兹INPHBT工艺小信号增益
- 基于0.25μm InP DHBT工艺的340 GHz放大器
- 2022年
- 基于南京电子器件研究所0.25μm InP DHBT工艺设计并实现了一款340 GHz放大器,采用多层金属堆栈互联的薄膜微带传输线结构,实现了太赫兹低损耗传输线和MIM电容。放大器为六级共发射极拓扑,采用整体匹配方法,通过降低损耗的方式提高增益。通过在片小信号测试系统和功率测试系统测试芯片,测量结果表明该放大器在340 GHz的小信号增益达到10.43 dB,300~340 GHz频率范围内的小信号增益大于10 dB,在340 GHz的输出功率为3.24 dBm。
- 李茂孙岩孙岩周浩陆海燕戴姜平王学鹏程伟
- 基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器
- 2023年
- 基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。
- 王伯武于伟华于伟华余芹孙岩孙岩程伟
- 220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器被引量：2
- 2018年
- 南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试结果。
- 孙岩程伟陆海燕王元王宇轩孔月婵陈堂胜
- 关键词：集成功率放大器GHZINPDHBTHBT工艺饱和输出功率
- 300GHz InP DHBT单片集成放大器被引量：3
- 2017年
- 太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器的研制，例如美国Teledyne公司利用InP DHBT工艺研制T220GHz200mW的功率MMIC。
- 孙岩程伟陆海燕王元常龙孔月婵陈堂胜
- 关键词：DHBTINP异质结双极型晶体管SI/SIGE太赫兹宽带通信
- 多层集成电路中缺陷地引起的寄生基板模式被引量：1
- 2022年
- 针对多层集成电路中由于共地面开窗引起的寄模问题,通过对比“窗口遮挡”形式和多种背孔阵列抑制寄生模传播效果,发现“窗口遮挡”形式在有效抑制寄生模传播的同时会极大地增加电路损耗,存在最简背孔阵列可以达到抑制寄生模传播的效果。在不改变工艺结构的前提下,“双背孔”和“四背孔”形式可以分别满足200 GHz/300 GHz以下介质膜抑制需求,此时背孔所占面积最小,可以有效减小背孔排列密度,增加电路集成度。
- 侯彦飞王伯武于伟华程伟孙岩
- 关键词：寄生模
