王元
- 作品数：20 被引量：22H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器被引量：1
- 2014年
- 磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～60GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～92GHz范围内实现二分频。
- 程伟张有涛王元陆海燕赵岩杨乃彬
- 关键词：HBT工艺静态分频器超高速INP异质结双极型晶体管电路应用
- 基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器被引量：1
- 2015年
- 南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz范围内实现二分频。
- 程伟张有涛王元陆海燕常龙谢俊领
- 关键词：静态分频器HBT工艺INP二分频
- 基于InP DHBT工艺的140～220GHz单片集成放大器被引量：3
- 2015年
- 磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺研制出140220 GHz单片集成放大器,该电路采用了功率增益截止频率(fmax)超过500 GHz的InP DHBT器件,如图1所示。测试结果表明,该电路在140 GHz、200 GHz以及220
- 程伟王元孙岩陆海燕常龙谢俊领牛斌
- 关键词：单片集成INPDHBT磷化铟功率增益亚毫米波
- 基于间接跃迁模型的p^+-GaAsSb费米能级研究
- 2013年
- 重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系。由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化。
- 高汉超尹志军程伟王元许晓军李忠辉
- 关键词：GAASSBHBT费米能级
- fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT被引量：1
- 2011年
- 数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南京电子器件研究所基于76．2mm圆片工艺，研制出fmax达325GHz的四指共基极InPDHBT器件，击穿电压大于10V。
- 程伟赵岩王元陆海燕高汉超陈辰杨乃彬
- 关键词：INGAAS共基极毫米波单片集成电路数模混合电路HBT器件通信系统
- 基于0.5μm InP DHBT工艺的100GHz+静态及动态分频器
- 2016年
- 针对超高速数模混合电路方面的应用,南京电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1所示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器。图2为静态分频器及动态分频器实测结果。
- 程伟张有涛王元牛斌陆海燕常龙谢俊领
- 关键词：分频器HZINPDHBT数模混合电路截止频率
- InP太赫兹功率放大器芯片被引量：2
- 2018年
- 太赫兹技术,作为改变未来世界的十大技术之一,具有非常大的技术潜力和应用前景。南京电子 器件研究所基于0.5μm InP DHBT工艺,研制出300GHz太赫兹功率放大器芯片。工作频率:282-315 GHz,小信号增益>15dB,293GHz时输出功率达到5 dBm,芯片面积2.3 mm×0.9mm。图1和图2 分别展示了芯片的实物照片和测试结果。
- 孙岩程伟陆海燕王元王宇轩孔月婵陈堂胜
- 关键词：功率放大器芯片面积太赫兹INPHBT工艺小信号增益
- 最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT被引量：2
- 2013年
- 太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器和频率源的研制。
- 程伟王元赵岩陆海燕牛斌高汉超
- 关键词：最高振荡频率太赫兹DHBT异质结双极型晶体管集成功率放大器
- InP HBT/Si CMOS 13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片被引量：3
- 2018年
- 南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成，突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术，研制出13GSps 1：16异构集成量化降速芯片，如图1所示，共包含453个0．7μm InP HBT器件与1036个0．18μm Si MOSFET器件。
- 吴立枢程伟张有涛王元李晓鹏陈堂胜
- 关键词：HBT器件异构集成INPSICMOS芯片
- 基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件
- 2022年
- 半导体型碳纳米管(CNT)作为准一维新型材料,兼具高迁移率、高柔性和高导热等特性,具有创新应用潜力,例如可在柔性电子主流衬底材料上实现高性能射频器件,提供信号无线收发功能,填补当前技术空白。南京电子器件研究所针对新兴的碳纳米管薄膜材料,突破低维材料常用的湿法转移方法带来的局限,以避免转移过程中薄膜应力不均匀导致的褶皱、破损以及电学性能严重退化等问题,利用不同材料界面间范德华力的差异,开发了碳纳米管薄膜干法转移方法。
- 严可杨扬霍帅张勇王元李忠辉
- 关键词：碳纳米管薄膜低维材料准一维范德华力衬底材料
