- 基于InP DHBT工艺的140～220GHz单片集成放大器被引量：3
- 2015年
- 磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺研制出140220 GHz单片集成放大器,该电路采用了功率增益截止频率(fmax)超过500 GHz的InP DHBT器件,如图1所示。测试结果表明,该电路在140 GHz、200 GHz以及220
- 程伟王元孙岩陆海燕常龙谢俊领牛斌
- 关键词：单片集成INPDHBT磷化铟功率增益亚毫米波
- 基于0.5μm InP DHBT工艺的100GHz+静态及动态分频器
- 2016年
- 针对超高速数模混合电路方面的应用,南京电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1所示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器。图2为静态分频器及动态分频器实测结果。
- 程伟张有涛王元牛斌陆海燕常龙谢俊领
- 关键词：分频器HZINPDHBT数模混合电路截止频率
- 基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
- 2021年
- 报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB。
- 牛斌钱骏范道雨王元庆王元庆戴俊杰梅亮周明陈堂胜
- 关键词：薄膜电路次谐波混频器
- 高速InP基电光调制器和光电探测器被引量：2
- 2019年
- 南京电子器件研究所开发了76.2mm(3英寸)InP基电光调制器和光电探测器圆片工艺,所研制器件工作于1550nm波段。电光调制器如图1(a)所示,带宽达40GHz[如图1(b)所示],半波电压1.8V,消光比大于20dB。光电探测器如图2(a)所示,带宽达40GHz以上[如图2(b)所示],响应度为0.3A/W,暗电流为45nA。
- 钱广李冠宇牛斌周奉杰顾晓文孔月婵陈堂胜
- 关键词：光电探测器电光调制器INP基半波电压消光比响应度
- 最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT被引量：2
- 2013年
- 太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器和频率源的研制。
- 程伟王元赵岩陆海燕牛斌高汉超
- 关键词：最高振荡频率太赫兹DHBT异质结双极型晶体管集成功率放大器
- f_T=11THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管
- 2019年
- 南京电子器件研究所突破了T型阳极肖特基接触工艺、低势垒器件钝化保护、大长宽比阳极空气桥制备等关键技术,实现了截止频率fT达11 THz的InGaAs零偏工作太赫兹检波二极管研制,如图1所示。表1列出了不同工艺的太赫兹检波二极管核心参数对比,本文报道的阳极直径1μm的InGaAs SBD势垒高度仅为0.15 V。由零偏结电容及总电容推算的器件截止频率达11.0 THz/7.7 THz。
- 牛斌范道雨代鲲鹏林罡王维波陈堂胜
- 关键词：检波二极管结电容太赫兹空气桥势垒高度INGAAS
- T形阳极太赫兹GaAs肖特基二极管的设计与制备被引量：1
- 2018年
- 通过对平面形太赫兹肖特基二极管的结构与寄生参数的分析优化,设计并研制了适用于太赫兹频段的不同阳极直径的管芯。管芯为小尺寸设计,采用双层胶电子束直写技术制作T形阳极,阳极剥离后采用100nm的SiO_2介质进行钝化保护,比传统工艺约500nm的SiO_2介质大幅降低,有效降低了器件寄生电容,研制出截止频率f_T(C_(j0))8THz、f_T(C_(total))3.9THz的管芯。通过直流I-V测试和小信号S参数测试提取管芯参数,并分析对比了不同阳极直径管芯的性能参数。
- 范道雨林罡牛斌吴少兵
- 关键词：太赫兹肖特基二极管寄生电容串联电阻
- SOI基微环滤波器的可调谐性研究被引量：2
- 2019年
- 研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性,分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响。本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构,在微环腔长1 218μm的单环和双环滤波器中,分别在19 mW和9 mW的功率范围内实现谐振器从欠耦合到临界耦合状态的调谐,在0～26 mW的功率范围内,双环滤波器实现了谐振波长一个自由谱范围(FSR)的可调谐滤波特性。
- 周奉杰孔月婵顾晓文牛斌
- 关键词：绝缘体上硅微环谐振器马赫-曾德尔干涉仪
- 基于薄膜工艺的1030GHz混频器和750~1100GHz倍频器研制
- 2022年
- 基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反馈的关系,从而达到整个设计过程的闭环。研制出的单片电路厚度为3μm,并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中。测试结果表明宽带倍频器在790~1100 GHz频率范围内输出功率为-23~-11 dBm。以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试,在1020~1044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB,在1030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB。
- 孟进张德海牛斌朱皓天刘锶钰范道雨陈胜堂周明
- 关键词：太赫兹单片电路谐波混频器
- SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管直流性能的影响被引量：2
- 2015年
- 研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅烷(SiH_4)取代常用的氨气(NH_3)和硅烷(SiH_4)作为淀积SiN薄膜的反应气体,显著地减少了器件发射结(B-E)和集电结(B-C)泄漏电流。另外,与未钝化器件的直流性能相比,钝化后器件的电流增益增加,基区表面复合电流大幅减小,这对提高器件的可靠性至关重要。
- 谢俊领程伟王元常龙牛斌陈堂胜
- 关键词：钝化磷化铟
