杨元元
- 作品数：7 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 半导体制造设备排气通风设计及仿真被引量：2
- 2021年
- 从设计标准、性能标准、测试方法等方面介绍了SEMI S6标准,并以CMP后清洗设备为例介绍了排气通风设计中的一些注意事项。以CMP后清洗设备中的清洗槽为例,介绍了利用流体仿真软件对排气通风设计的有效性进行验证的方法,对设备排气通风的设计具有指导意义。
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- CMP在线光学终点检测算法研究及应用
- 2021年
- 介绍了化学机械抛光(CMP)中表面膜层为金属和非金属晶圆的在线终点检测原理。研究了窗口检测算法,实时检测光强变化趋势,抓取趋势特征点,从控制抛光过程,实现CMP在线终点检测。实验结果表明,检测算法可达到预期的检测精度,能够满足生产实际需要。
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- 关键词：化学机械抛光特征点
- 基于仿真分析的设备微环境控制技术被引量：1
- 2021年
- 论述了一种基于仿真分析的半导体设备内部空间气流路径、紊流位置、各分区风压的闭环反馈系统及结构,目的在于使设备能够自动净化内部空间气体,防止颗粒凝结,从而达到控制并改善半导体设备内部微环境的目的。
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- 关键词：集成电路芯片微环境CMP工艺
- CMP干燥模组控制软件设计
- 2021年
- 介绍了旋转干燥和异丙醇加热雾化干燥的工作原理,深入分析了控制软件的需求,利用面向对象的设计方法,完成了系统架构的设计,并对干燥加工、异丙醇补液、参数监控3个关键功能模块进行了设计,目前该软件已在设备端应用中达到了理想的工艺性能。
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- 关键词：半导体制造控制软件设计面向对象化学机械抛光
- 基于FPGA的CMP电涡流终点检测装置设计被引量：1
- 2017年
- 为实现对晶圆表面金属层的化学机械抛光(CMP)过程中的终点检测和对抛光速率进行监控的要求,设计了一种基于电涡流测量原理的测量装置;该装置以FPGA器件作为控制核心,由其控制高速D/A转换器生成正弦交流信号,并驱动测量电桥;由于测量线圈产生的交变磁场在晶片金属薄膜上产生电涡流,引起测量线圈的阻抗发生变化;通过测量相应的阻抗变化产生的信号,可以计算出相应的晶片表面金属薄膜的厚度;实验表明该装置可以满足对晶圆表面100~1 000nm厚度金属层的测量要求。
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- 关键词：电涡流化学机械抛光锁定放大器FPGA
- 层间介质(ILD)CMP工艺分析被引量：3
- 2016年
- 论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP的技术要求,工艺流程和设备结构需求。
- 詹阳周国安王东辉杨元元胡兴臣
- 关键词：层间介质平整度抛光垫修整器
- 第三代半导体材料应用及制造工艺概况被引量：7
- 2016年
- 对当前的第三代半导体材料的基本特性及应用领域进行研究,报告了Si C和Ga N材料的应用现状和发展趋势,并对其制造工艺进行了简要阐述。
- 柳滨杨元元王东辉詹阳
- 关键词：半导体材料碳化硅氮化镓
