王东辉
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- CMP抛光机抛光台温度控制的研究被引量：1
- 2011年
- 阐述了CMP抛光机抛光台的温度控制方法。用有限元软件ANSYS模拟了抛光台和循环水的热交换过程,并且分析循环水的流量和温度对热交换效率的影响,得出循环水流量和温度跟热交换效率的关系。根据它们之间的关系,设计了一种CMP抛光机抛光台温度控制系统和方法,通过有限元软件ANSYS模拟了该温度控制系统和方法的控制过程,模拟结果显示该系统和方法不仅控制效率和精度都比较高,而且最终温度也很稳定,能够迅速、精确、稳定的将抛光台表面的温度控制在所设定的温度,很好的满足CMP抛光工艺的要求。
- 王伟王东辉李伟
- 关键词：化学机械抛光温度控制
- 300mm硅片化学机械抛光压力控制技术研究被引量：1
- 2011年
- 介绍了一种应用于硅片化学机械抛光(CMP)设备的压力控制技术,综合利用在线检测方法和离线检测方法,借助于Matlab数值分析软件分析抛光主轴压力设定值、气缸气压值、传感器示值以及检测仪器测试值之间的关系,并建立了主轴压力闭环控制系统,达到精确控制主轴压力的目的。工艺实验证明,主轴压力闭环控制系统稳定、可靠、精确。
- 王东辉郭强生柳滨陈威王伟
- 关键词：化学机械抛光数据处理闭环控制
- CMP透明膜厚测量设备发展历程
- 2014年
- 论述了反射光谱学及椭圆偏振法的原理，根据这些原理分析了离线测量设备，并列举了具有代表性的设备Nanospec6100和KLA-TENCOR的ASET-F5X，指出离线设备的特点及其局限性；分析了集成测量平台的特点，相比于离线测量，集成测量平台可获得较高的片间非均匀性．但会造成前5～7片的浪费，列举代表性集成平台NovaScan 2040，并分析其具体的技术特点：分析了在线传感器终点检测的优越性，其具有控制薄膜形貌及终点检测的功能，结合先进过程控制，可以达到极高的平整度；结合以上分析，指出今后CMP设备的发展方向。
- 周国安王东辉李伟高文泉詹阳
- 关键词：化学机械平坦化
- 基于FPGA的CMP电涡流终点检测装置设计被引量：1
- 2017年
- 为实现对晶圆表面金属层的化学机械抛光(CMP)过程中的终点检测和对抛光速率进行监控的要求,设计了一种基于电涡流测量原理的测量装置;该装置以FPGA器件作为控制核心,由其控制高速D/A转换器生成正弦交流信号,并驱动测量电桥;由于测量线圈产生的交变磁场在晶片金属薄膜上产生电涡流,引起测量线圈的阻抗发生变化;通过测量相应的阻抗变化产生的信号,可以计算出相应的晶片表面金属薄膜的厚度;实验表明该装置可以满足对晶圆表面100~1 000nm厚度金属层的测量要求。
- 吴旭王东辉杨元元
- 关键词：电涡流化学机械抛光锁定放大器FPGA
- 第三代半导体材料应用及制造工艺概况被引量：7
- 2016年
- 对当前的第三代半导体材料的基本特性及应用领域进行研究,报告了Si C和Ga N材料的应用现状和发展趋势,并对其制造工艺进行了简要阐述。
- 柳滨杨元元王东辉詹阳
- 关键词：半导体材料碳化硅氮化镓
- 层间介质(ILD)CMP工艺分析被引量：3
- 2016年
- 论述了层间介质(ILD)的类型及其在集成电路设计中的作用。以典型层间介质SiO_2为例,分析其CMP(化学机械平坦化)工艺过程的化学和机械作用机理,并在此基础上阐述影响CMP工艺的各项关键因素。结合分析得出以SiO_2作为层间介质进行CMP的技术要求,工艺流程和设备结构需求。
- 詹阳周国安王东辉杨元元胡兴臣
- 关键词：层间介质平整度抛光垫修整器
