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孙小虎

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇氧化层
  • 1篇浅结
  • 1篇热氧化
  • 1篇牺牲
  • 1篇洗涤
  • 1篇击穿
  • 1篇沟槽式
  • 1篇硅衬底
  • 1篇方块电阻
  • 1篇N型
  • 1篇槽式
  • 1篇掺杂
  • 1篇掺杂剂
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇株洲南车时代...

作者

  • 2篇孙小虎
  • 1篇周飞宇
  • 1篇刘根
  • 1篇杜龙欢
  • 1篇罗湘
  • 1篇唐云

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种沟槽式IGBT栅极的制作方法
本申请公开了一种沟槽式IGBT栅极的制作方法，包括：在硅衬底表面进行刻蚀，形成沟槽；热氧化所述沟槽，在所述沟槽的内表面形成牺牲氧化层；对所述沟槽的底面注入可促进所述硅衬底氧化的杂质；去除所述牺牲氧化层；在所述沟槽内生长栅...
孙小虎杜龙欢罗湘唐云
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一种高浓度N型浅结的制备方法
本发明涉及一种高浓度N型浅结的制备方法，包括：步骤S1，采用N型掺杂剂对半导体衬底进行第一次扩散掺杂，其工艺条件包括：掺杂温度为600-1200℃，掺杂时间为3-10分钟；步骤S2，用洗涤液对步骤S1得到的掺杂后的半导体...
孙小虎周飞宇刘根
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