您的位置： 专家智库 > >

刘根

作品数：10 被引量：3H指数：1
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇IGBT
  • 3篇淀积
  • 3篇退火
  • 3篇刻蚀
  • 2篇电阻
  • 2篇终端结构
  • 2篇微晶硅
  • 2篇离子注入
  • 2篇耐压性
  • 2篇耐压性能
  • 2篇缓冲层
  • 2篇沟槽
  • 2篇硅锗
  • 2篇非晶硅
  • 2篇高温退火
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇半绝缘

机构

  • 10篇株洲南车时代...

作者

  • 10篇刘根
  • 7篇罗海辉
  • 4篇黄建伟
  • 4篇肖海波
  • 3篇刘国友
  • 3篇周飞宇
  • 2篇马亮
  • 2篇唐云
  • 1篇余伟
  • 1篇朱利恒
  • 1篇孙小虎
  • 1篇王光明

传媒

  • 1篇大功率变流技...

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT
本发明提供一种沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT，其中，方法包括在衬底上形成掺杂区；在衬底和掺杂区形成沟槽；在掺杂区表面和沟槽内表面生长氧化层；在氧化层表面淀积二氧化硅层或低K介质层，其中，沟槽底部的二氧化硅层或低K...
刘国友朱利恒黄建伟罗海辉谭灿健刘根
文献传递
基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构
本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝...
马亮周飞宇肖海波刘根
文献传递
一种二极管及其阴极金属化方法
本发明公开了一种二极管及其阴极金属化方法，包括步骤S1：注入N型杂质，形成N型层；步骤S2：在N型层远离P型层的一侧淀积粘附层；步骤S3：对二极管进行激光退火，激活N型层中的杂质粒子，并使得粘附层与N型层之间形成欧姆接触...
王光明罗海辉谭灿健刘根
文献传递
基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构
本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝...
马亮周飞宇肖海波刘根
文献传递
具有缓冲层的半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种具有缓冲层的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：位于半导体器件正面的正面结构，以及位于半导体器件背面的背面结构，背面结构进一步包括P+集区，以及位于P+集区之上的N型缓冲层。P+集区和N型缓冲层均采用...
肖海波苗笑宇刘根罗海辉黄建伟刘国友
文献传递
一种离子注入监控片的重复利用方法
本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e<Sup>15</Sup>i...
尹峙柠罗海辉刘根唐云
文献传递
沟槽栅IGBT关键技术研究被引量：3
2015年
与平面栅IGBT相比,沟槽栅IGBT能显著改善通态压降与关断能量的折衷关系,更适用于中低压高频应用领域。针对沟槽栅IGBT技术的挑战(主要包含沟槽刻蚀、栅氧生长、沟槽多晶硅填充等),研究并开发了沟槽栅一系列关键工艺:形貌优良的沟槽槽型,质量完好的栅氧生长工艺以及具备优良均匀性的原位掺杂多晶硅填充工艺等。采用改进工艺后的沟槽栅IGBT芯片具有良好的电学性能,展示出优异的栅氧特性,顺利通过了高温动、静态等多项测试,较平面栅IGBT体现出压降和损耗优势。
黄建伟杨鑫著刘根罗海辉余伟谭灿健
一种高浓度N型浅结的制备方法
本发明涉及一种高浓度N型浅结的制备方法，包括：步骤S1，采用N型掺杂剂对半导体衬底进行第一次扩散掺杂，其工艺条件包括：掺杂温度为600-1200℃，掺杂时间为3-10分钟；步骤S2，用洗涤液对步骤S1得到的掺杂后的半导体...
孙小虎周飞宇刘根
文献传递
具有缓冲层的半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种具有缓冲层的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：位于半导体器件正面的正面结构，以及位于半导体器件背面的背面结构，背面结构进一步包括P+集区，以及位于P+集区之上的N型缓冲层。P+集区和N型缓冲层均采用...
肖海波苗笑宇刘根罗海辉黄建伟刘国友
文献传递
一种离子注入监控片的重复利用方法
本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e<Sup>15</Sup>i...
尹峙柠罗海辉刘根唐云
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0