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肖海波

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇半导体
  • 7篇衬底
  • 6篇IGBT
  • 5篇导电类型
  • 5篇载流子
  • 4篇导通
  • 4篇导通压降
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇晶体管
  • 4篇绝缘栅
  • 4篇绝缘栅双极晶...
  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体功率器...
  • 3篇缓冲层
  • 2篇淀积
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇终端结构
  • 2篇微晶硅
  • 2篇离子

机构

  • 13篇株洲南车时代...

作者

  • 13篇肖海波
  • 11篇罗海辉
  • 5篇黄建伟
  • 5篇刘国友
  • 4篇刘根
  • 2篇周飞宇
  • 2篇马亮

年份

  • 6篇2018
  • 6篇2016
  • 1篇2015
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有缓冲层的半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种具有缓冲层的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：位于半导体器件正面的正面结构，以及位于半导体器件背面的背面结构，背面结构进一步包括P+集区，以及位于P+集区之上的N型缓冲层。P+集区和N型缓冲层均采用...
肖海波苗笑宇刘根罗海辉黄建伟刘国友
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基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构
本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝...
马亮周飞宇肖海波刘根
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一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法
本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：第一掺杂类型的硅衬底；位于所述硅衬底正面的正面结构；位于所述硅衬底背面的集区，所述集区包括并列设置于所述硅衬底背面的第一掺杂集区和第二掺杂集区...
肖海波罗海辉
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一种逆导IGBT的制备方法
本发明公开了一种逆导IGBT的制备方法，属于半导体功率器件技术领域，解决了传统的制备方法工艺难度大，生产效率低的技术问题。该方法包括：在衬底内形成第一导电类型的缓冲层；通过构图工艺在所述衬底背面形成掺有第一导电类型离子的...
罗海辉肖海波刘国友黄建伟
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基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构
本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝...
马亮周飞宇肖海波刘根
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一种逆导IGBT的制备方法
本发明公开了一种逆导IGBT的制备方法，属于半导体功率器件技术领域，解决了传统的制备方法工艺难度大，生产效率低的技术问题。该方法包括：形成位于衬底内的第一导电类型的缓冲层、位于所述衬底背面的掺有第二导电类型离子的第一电介...
罗海辉肖海波
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一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法
本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底正面内部的第二掺杂类型的阱区；位于所述阱区朝向所述半导体衬底背面一侧，且载流子浓度大于所述半导体衬...
罗海辉肖海波谭灿健
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一种逆导IGBT的制备方法
本发明公开了一种逆导IGBT的制备方法，属于半导体功率器件技术领域，解决了传统的制备方法工艺难度大，生产效率低的技术问题。该方法包括：在衬底内形成第一导电类型的缓冲层；通过构图工艺在所述衬底背面形成掺有第一导电类型离子的...
罗海辉肖海波刘国友黄建伟
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一种逆导IGBT的制备方法
本发明公开了一种逆导IGBT的制备方法，属于半导体功率器件技术领域，解决了传统的制备方法工艺难度大，生产效率低的技术问题。该方法包括：形成位于衬底内的第一导电类型的缓冲层、位于所述衬底背面的掺有第二导电类型离子的第一电介...
罗海辉肖海波
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一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法
本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底正面内部的第二掺杂类型的阱区；位于所述阱区朝向所述半导体衬底背面一侧，且载流子浓度大于所述半导体衬...
罗海辉肖海波谭灿健
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