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杨霏

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：国网智能电网研究院更多>>
发文基金：国家电网公司科技项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氧化层
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇界面态
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇可靠性
  • 1篇可靠性研究
  • 1篇半导体
  • 1篇MOS
  • 1篇METAL-...

机构

  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 1篇刘奥
  • 1篇汪玲
  • 1篇陶永洪
  • 1篇杨霏

传媒

  • 1篇智能电网

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究被引量：6
2015年
通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。
黄润华钮应喜杨霏陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞
关键词：界面态
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