- 硅、锗衬底上的软硬碳氢膜
- 1989年
- 我们使用射频-直流辉光放电系统制备了非晶碳氢膜（a-C:H）,所用的衬底为半导体级抛光后的硅、锗单晶片,锗片纯度在9个9以上,硅片为N型,电阻率10～20Ω·cm为研究淀积源对膜层结构的影响,我们除使用气态源乙炔（C2H2）外,还使用了液态源戌烷(C5H12)。所用淀积参数为:高频频率10MHz,高频功率密度1.4～2.8W/cm2（未能精确测量）,直流偏压0～600V,气体流量0.3～0.61/min,反应室内压强0.01～1托,衬底温度:室温～300℃。
- 于明湘吴鹏柳伟刘文蓉何大韧刘买利施华
- 关键词：衬底硅锗
