于明湘
- 作品数：18 被引量：21H指数：3
- 供职机构：西北大学物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目陕西省科委基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 矿岩红外发射光谱的测定及其在石油测井中的可能应用被引量：2
- 1996年
- 描述了物体红外辐射的基本原理、特性以及矿岩红外发射光谱的测定，并给出了在一定温度下，对不同矿岩样品发射光谱测定的结果；讨论了红外辐射测温以及热成像系统在石油勘探中的可能应用。
- 樊江水何冠生于明湘
- 关键词：矿岩测井石油
- 高Tc超导薄膜约瑟夫逊结光探测研究被引量：1
- 1997年
- 我们研制了具有约瑟夫逊效应的高ToGdBa2Cu3O7-薄膜双晶晶界结，对其交直流约瑟夫逊效应进行了观测，并用其进行光探测，用波长为0．6328μm的He－Ne激光器辐照双晶结结区，系统观测了双晶晶界结的光响应特性，得到的最好结果如下：噪音等效功率NEP=1．9×10－13W，归一化探测率D=53×109cmHzW－1，响应率Rv=4．2×107V／W，响应时间r=4．35×10－7s.
- 于明湘樊江水张湘云王树林
- 关键词：约瑟夫森效应光探测高TC超导体
- KCl透镜上的类金刚石碳膜红外透射特性研究
- 2002年
- 用射频—直流辉光放电PECVD法在KCl透镜上沉积了非晶结构的类金刚石碳膜 测量显示镀覆了类金刚碳膜的KCl透镜在 2 .5 μm～ 5 0 μm红外范围内具有高增透作用
- 姚合宝贺庆丽徐蓉于明湘
- 关键词：等离子体类金刚石碳膜红外透射谱
- 高Tc超导GdBa_2Cu_3O_7薄膜弱连接双晶结研究被引量：1
- 1998年
- 为了获得具有约瑟夫逊效应的超导弱连接结，我们在ＹＳＺ（钇稳定的氧化锆）双晶基片上，制备了高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜，晶界夹角为２４°和３２°两种，采用光刻技术的晶界上刻出不同尺寸的微桥，晶界贯穿桥区而形成双晶结，观测了结的直流１－Ｖ特性和在１０ＧＨｚ微波辐照下临界电流的压缩和Ｓｈａｐｉｒｏ台阶，实验结果证明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为，在实验基础上，对结的特性进行了理论分析，并将双晶结用于光探测获得成功。
- 万云于明湘贺庆丽姚合宝姚合宝
- 关键词：超导薄膜
- 高Tc GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜双晶结光探测器
- 1998年
- 研制了具有约瑟夫逊效应的高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为0．6328μm的He-Ne激光器，系统观测了高TcGdBa2Cu3O7-δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率NEF＝4．3×10－（14）WHz（－1／2），归一化探测率D＝1．2×10（10）cmHz（1／2）W－1，响应率Rv＝3．5×107V／W，响应时间τ≤4．12×10－7s。
- 万云贺庆丽姚合宝于明湘张湘云
- 关键词：光探测红外探测器
- a-C:H/KCl红外透射体的设计与工艺
- 1991年
- 报告将渐变折射率非晶碳氢膜(a-C:H)用作氯化钾红外激光透镜的保护、增透膜的设计;实验室制备工艺及样品的性能测试。
- 姚合宝刘买利贺庆丽于明湘籍万新吴鹏何大韧籍修炎
- 关键词：红外光学
- 红外反射镜a-C·H/Au/Cu/Cu的设计与实验室工艺
- 1991年
- 本文报导将非晶碳氢膜(a-C:H)用作红外反射镜Au/Cu的表面保护膜的设计计算、实验室制备工艺研究、及有关性能测试结果。我们的第一阶段工作结果表明,a-C:H/Au/Cu在实用上是有价值的,值得继续进行工作。
- 贺庆丽刘买利于明湘吴鹏何大韧籍修炎
- 高Tc超导薄膜双晶结光探测器被引量：3
- 1997年
- 研制了具有约瑟夫逊弱连接行为的高TcGdBa2Cu3O7-δ双晶晶界结，并用双晶结进行光探测，用波长为0．6328μm的He－Ne激光器辐照双晶结区，系统观测了结的光响应特性，最好的结果为噪声等效功率NEP＝1．9×10－13W，归一化探测率D＝5．3×109cmHz1/2W－1，响应率Rv＝4．2×107V／W，响应时间τ=4.35×10-7s。
- 赵成东杨建清于明湘万发宝平一梅王瑞兰宣毅李宏成
- 关键词：光探测超导薄膜高TC
- 非晶碳氢膜的介电谱与分形结构
- 2001年
- 利用 RF- DC辉光放电等离子化学气相沉积法制备了非晶碳氢膜 ,并测试了其介电谱 ,用分形理论研究了这种无序结构材料的介电谱与物质结构的关系。结果表明 ,低频反常色散介电谱确实可以传达物质结构的信息。
- 姚合宝贺庆丽于明湘
- 关键词：介电谱
- 硅、锗衬底上的软硬碳氢膜
- 1989年
- 我们使用射频-直流辉光放电系统制备了非晶碳氢膜（a-C:H）,所用的衬底为半导体级抛光后的硅、锗单晶片,锗片纯度在9个9以上,硅片为N型,电阻率10～20Ω·cm为研究淀积源对膜层结构的影响,我们除使用气态源乙炔（C2H2）外,还使用了液态源戌烷(C5H12)。所用淀积参数为:高频频率10MHz,高频功率密度1.4～2.8W/cm2（未能精确测量）,直流偏压0～600V,气体流量0.3～0.61/min,反应室内压强0.01～1托,衬底温度:室温～300℃。
- 于明湘吴鹏柳伟刘文蓉何大韧刘买利施华
- 关键词：衬底硅锗
