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吴鹏

作品数:6 被引量:16H指数:2
供职机构:西北大学物理学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省科委基金更多>>
相关领域:电子电信理学化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇散射
  • 1篇射线
  • 1篇守恒
  • 1篇数值模拟
  • 1篇平带电压
  • 1篇协变
  • 1篇协变性
  • 1篇磷酸盐玻璃
  • 1篇活化能
  • 1篇机械能
  • 1篇机械能守恒
  • 1篇计算方法
  • 1篇光散射
  • 1篇非保守
  • 1篇非保守力
  • 1篇高斯波束
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件

机构

  • 6篇西北大学
  • 3篇空军工程大学
  • 3篇陕西警官职业...
  • 1篇清华大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 6篇吴鹏
  • 3篇李斌
  • 3篇王胜林
  • 1篇刘德芳
  • 1篇万云
  • 1篇何大韧
  • 1篇于明湘
  • 1篇李同伟
  • 1篇龚江宏
  • 1篇刘买利
  • 1篇韩一平
  • 1篇刘文蓉
  • 1篇柳伟

传媒

  • 3篇陕西师范大学...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇物理学报
  • 1篇西北大学学报...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇1989
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
X射线透视对MOS电容性能的影响
2005年
MOS电容在计算机电路中有着广泛的应用,受X射线辐射后的平带电压和阀电压的飘移,对计算机性能的稳定有着很大的影响.作者利用SOFRON-1505C型X光机,对3种MOS电容CD130,CE28,CG28受X射线后的平带电压和阀电压的飘移量进行测试和分析,从而分析X射线辐射对MOS电容的影响.
王胜林吴鹏李斌
关键词:X射线MOS电容平带电压
硅、锗衬底上的软硬碳氢膜
1989年
我们使用射频-直流辉光放电系统制备了非晶碳氢膜(a-C:H),所用的衬底为半导体级抛光后的硅、锗单晶片,锗片纯度在9个9以上,硅片为N型,电阻率10~20Ω·cm为研究淀积源对膜层结构的影响,我们除使用气态源乙炔(C2H2)外,还使用了液态源戌烷(C5H12)。所用淀积参数为:高频频率10MHz,高频功率密度1.4~2.8W/cm2(未能精确测量),直流偏压0~600V,气体流量0.3~0.61/min,反应室内压强0.01~1托,衬底温度:室温~300℃。
于明湘吴鹏柳伟刘文蓉何大韧刘买利施华
关键词:衬底
大粒子对高斯波束散射的数值模拟被引量:12
2005年
基于广义米氏理论,精确的求解了球形粒子对高斯波束和平面波的散射,采用Matlab编程,改进了计算方法,所能够计算的粒子的尺寸参数已突破80000.给出了平面波与高斯波入射时,均匀粒子以及镀层粒子的散射分布,比较了吸收粒子和非吸收粒子散射分布.
吴鹏韩一平刘德芳
关键词:高斯波束光散射计算方法
机械能守恒的条件及其协变性
2005年
从一道力学试题出发,讨论了机械能守恒的条件,并深入研究了守恒规律的协变性要求.
吴鹏王胜林李斌
关键词:保守力非保守力机械能守恒协变性
热处理对Li_2O-P_2O_5玻璃电性能的影响
2007年
采用熔体淬冷方法制得锂磷酸盐玻璃粉体,粉体经干压成型后进行热处理,并进而测定了热处理样品的电性能。结果表明,在高于和低于玻璃转变温度(T_g)的温度下进行热处理时,样品的电导活化表现出了不同的变化趋势,但随着热处理时间的延长都逐渐趋于一个恒定值。
李同伟万云吴鹏龚江宏
关键词:电导率活化能
半导体器件失效分析研究被引量:4
2006年
统计分析了引起半导体器件失效的一些主要原因,阐明了失效分析在提高半导体器件和电子产品质量与可靠性方面所发挥的重要作用.
王胜林李斌吴鹏
关键词:半导体器件
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