邢玉梅
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：美国国家自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术理学更多>>
- CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺被引量：1
- 2005年
- 采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40keV及80keV的碳离子注入,靶温控制在700°C左右;注入后将样品在1250°C的氩气中退火5h。通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火前后的样品进行分析,其结果证明了结晶质量较好的多晶β-SiC不连续埋层的形成。
- 邢玉梅俞跃辉陈可炜郑志宏杨文伟
- 关键词：甲烷等离子体碳化硅离子注入
- 高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究
- 2004年
- 采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。
- 邢玉梅俞跃辉林梓鑫宋朝瑞杨文伟
- 关键词：碳化硅埋层离子束合成退火
- SiC/Si异质结构和HfO<,2>高κ薄膜制备及其性能研究
- 宽带隙半导体材料和高介电常数材料是当今微电子领域的前沿研究课题。SiC是宽带隙半导体的核心材料之一，但其体材料制备较难、价格偏高，严重制约SiC基器件的实际应用。在众多解决方案中，离子注入技术由于不受热力学平衡的限制、且...
- 邢玉梅
- 关键词：碳化硅电学性能
- 文献传递
- 氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究被引量：2
- 2007年
- 本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理。
- 宋朝瑞程新红张恩霞邢玉梅俞跃辉郑志宏沈勤我张正选王曦
- 关键词：总剂量辐射陷阱电荷
- 在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜被引量：4
- 2004年
- 用电子束蒸发氧化铪靶的方法,在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃,300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构,研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化,结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2。借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能,证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能。
- 邢玉梅陶凯俞跃辉郑志宏杨文伟宋朝瑞沈达身
- 关键词：SOI材料氧化铪
- 用IBED方法在SOI上制备高质量的氧化铪薄膜
- 采用离子束辅助增强沉积系统(IBED)在SIMOX SOI顶层硅上生长氧化铪薄膜,随后分别采用O<,2>或N<,2>气氛下迅速退火以及N<,2>气氛下炉管退火,利用掠角X射线衍射技术(GAXRD)考察了退火对氧化铪薄膜结...
- 邢玉梅陶凯俞跃辉宋朝瑞郑志宏
- 关键词：SOIX射线衍射技术
- 文献传递
