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孟晓

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇SOI_LD...
  • 3篇沟道
  • 2篇电导
  • 2篇电力
  • 2篇电力电子
  • 2篇电力电子系统
  • 2篇电子流
  • 2篇栅结构
  • 2篇射频
  • 2篇系统可靠性
  • 2篇线性电阻
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片面积
  • 2篇抗ESD
  • 2篇可靠性
  • 1篇导通
  • 1篇电池
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电子流注入

机构

  • 7篇杭州电子科技...

作者

  • 7篇孟晓
  • 5篇张海鹏
  • 5篇李俊杰
  • 5篇余育新
  • 3篇宁祥
  • 2篇章红芳
  • 2篇洪玲伟
  • 2篇王彬

传媒

  • 1篇电子制作

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
抗ESD集成SOI LDMOS器件单元的制作方法
本发明涉及一种抗ESD集成SOILDMOS器件单元的制作方法。现有方法制作的成SOILDMOS器件系统重量大、成本高，且可靠性低。本发明采用五次氧化，九次光刻制作出具有集成抗ESD结构和功能的SOILDMOS器件单元。本...
张海鹏余育新洪玲伟孟晓李俊杰朱仁根章红芳
文献传递
一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元
本发明涉及一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元。常规SOI LDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳...
张海鹏李俊杰孟晓余育新宁祥陈紫菱王彬
文献传递
GaAs基双势垒超晶格量子阱RTD器件研究
RTD(Resonant Tunneling Diode)是一种具有微分负阻效应的纳米器件，具有负阻、双稳自锁、高频高速、低压低功耗等特性。目前关于RTD在集成电路领域应用已投入了大量的研究，并已经取得了一些应用成果。随...
孟晓
关键词：共振隧穿二极管量子器件电学特性
文献传递
携式太阳能供电系统控制电路的软件设计
2014年
本文通过软件程序控制光伏系统运行的方式,着重讨论了对蓄电池的保护功能。主要包括对蓄电池的过充保护、过放电保护及系统内部的短路保护。在此基础上,本文以光伏系统能量损失最小为原则,尝试对系统进行软件设计,并通过实验,对光伏系统进行监测,对采集到的试验数据进行了分析,实验结果表明了这种设计方法的合理性。
孟晓
关键词：光伏发电系统蓄电池控制器
一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元
本发明涉及一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元。常规SOI LDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳...
张海鹏李俊杰孟晓余育新宁祥陈紫菱王彬
文献传递
抗ESD集成SOI LDMOS器件单元的制作方法
本发明涉及一种抗ESD集成SOI LDMOS器件单元的制作方法。现有方法制作的成SOI LDMOS器件系统重量大、成本高，且可靠性低。本发明采用五次氧化，九次光刻制作出具有集成抗ESD结构和功能的SOI LDMOS器件单...
张海鹏余育新洪玲伟孟晓李俊杰朱仁根章红芳
文献传递
集成梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元
本实用新型涉及一种集成梳状栅纵向沟道SOILDMOS单元。常规SOILDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅...
张海鹏李俊杰孟晓余育新宁祥陈紫菱
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