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张海鹏

作品数：107 被引量：51H指数：4
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 61篇专利
  • 39篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 48篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇理学

主题

  • 26篇沟道
  • 19篇氧化层
  • 19篇二极管
  • 18篇SOI_LD...
  • 16篇埋层
  • 16篇SOI
  • 14篇短路
  • 14篇短路点
  • 11篇电路
  • 11篇电阻
  • 11篇反向偏置
  • 10篇电学
  • 10篇电学特性
  • 9篇抗ESD
  • 8篇隧穿
  • 8篇集电区
  • 8篇发射区
  • 8篇NLDMOS
  • 7篇放大器
  • 6篇电极

机构

  • 107篇杭州电子科技...
  • 4篇大连理工大学
  • 4篇浙江大学
  • 2篇中国科学院微...
  • 2篇杭州汉安半导...
  • 1篇浙江万里学院
  • 1篇上饶师范学院
  • 1篇浙江省标准化...
  • 1篇上海华力微电...

作者

  • 107篇张海鹏
  • 20篇林弥
  • 19篇赵伟立
  • 18篇吴倩倩
  • 18篇刘怡新
  • 18篇汪洋
  • 18篇孔令军
  • 17篇齐瑞生
  • 17篇许生根
  • 12篇吕伟锋
  • 11篇孙玲玲
  • 10篇苏步春
  • 9篇张帆
  • 9篇张忠海
  • 9篇张亮
  • 8篇徐文杰
  • 8篇王晓媛
  • 7篇李浩
  • 7篇陈波
  • 7篇王彬

传媒

  • 8篇杭州电子科技...
  • 4篇电子器件
  • 3篇Journa...
  • 3篇电子与封装
  • 2篇数据通信
  • 2篇电子科技
  • 2篇科技通报
  • 2篇电讯技术
  • 2篇电子世界
  • 2篇电力电子技术
  • 2篇系统仿真学报
  • 2篇微电子学
  • 2篇第六届全国虚...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇软件导刊
  • 1篇中国科技论文...
  • 1篇中国科技论文...
  • 1篇第21届电路...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 10篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2013
  • 11篇2012
  • 23篇2011
  • 7篇2010
  • 6篇2009
  • 3篇2008
  • 5篇2007
  • 10篇2006
  • 1篇2005
共 107 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法被引量：5
2006年
为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.
张海鹏汪沁孙玲玲高明煜李文钧吕幼华刘国华汪洁
关键词：ESDSOIPIC
抗ESD的集成SOI LIGBT器件单元
本实用新型涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、...
张海鹏徐文杰许杰萍高明煜刘国华徐丽燕
文献传递
0.18μm CMOS高效高增益功率放大器设计
在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC0.18μmCMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路.该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置.采用Cadence公司的S...
ZHANG Hai-peng张海鹏WANG Yang汪洋LI Hao李浩
关键词：功率放大器共源共栅功率增益电路仿真
具有超高耐压(>1200V)的薄埋氧层BPL SOI LDMOS(英文)
2012年
为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SOI LDMOS在传统SOI LDMOS的埋氧层和N型漂移区之间引入了一个P型埋层。当器件正向截止时,N型漂移区与P埋层之间的反偏PN结将承担器件的绝大部分纵向压降。采用2维数值仿真工具Silvaco TCAD对BPL SOI LDMOS进行虚拟制造和器件仿真,结果表明该结构采用适当的参数既能实现1 280 V的耐压,将BOL减薄到几百纳米以下又可以改善其热特性。
张海鹏许生根
关键词：热性能
集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元
本发明涉及一种集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅栅，第...
张海鹏许生根陈波李浩
一个连续且解析的SOI LDMOS表面势模型(英文)
2007年
提出了一个实现全耗尽与部分耗尽自动转换的体接触SOI LDMOS连续解析表面势模型.采用PSP的精确表面势算法求解SOI器件的表面势方程,得到了解析的以栅压和漏压为变量的SOI器件正、背硅/氧化层界面的表面势.修正了全耗尽状态下的反型层电荷和体电荷表达式,结合PSP的模型方程,给出连续解析的体接触SOI LD-MOS直流模型.仿真结果与实验数据比较,二者吻合得很好,表明该模型能精确表征SOI LDMOS直流特性.
徐文杰孙玲玲刘军李文钧张海鹏吴颜明何佳
关键词：SOILDMOS表面势PSP
一种集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元
本实用新型涉及一种集成双纵向沟道SOILDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型中隐埋氧化层将半导体基片分为半导体衬底和轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区两侧分别设置LDMOS的缓冲区和第一低阻多晶硅...
张海鹏许生根陈波李浩
文献传递
共振隧穿电路中翻转-传输代数系统的建立被引量：2
2009年
在传统数字电路开关-信号理论的基础上,提出了一个全新的基于共振隧穿RT(Resonant Tunneling)电路的翻转-传输理论,建立了适用于共振隧穿电路的翻转-传输代数系统,确定了两种联结运算,并用共振隧穿器件实现了该两种联结运算的基本电路结构。为设计共振隧穿电路特别是基本逻辑电路提供了一个全新的理论基础和系统的设计方法。
林弥张海鹏吕伟锋孙玲玲
关键词：代数系统
一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区，p埋层区的顶部依次并排设置有金属栅极、n型重掺杂多晶硅栅、栅氧化层...
张海鹏齐瑞生汪洋赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军
文献传递
一种纵向沟道SOI LDMOS单元
本实用新型涉及一种纵向沟道SOI LDMOS单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、...
张海鹏张帆苏步春张亮牛小燕林弥
文献传递
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