刘思宁
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 粉末靶制备的AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的光电性能被引量：2
- 2015年
- 室温下,采用射频磁控溅射AZO粉末靶和Ag靶在玻璃基底上制备Ag层厚度分别为12 nm和15 nm两组对称结构掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)透明导电薄膜,研究了Ag层和AZO层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明:3层薄膜的可见光区平均透光率达到了80%,550 nm处的最高透过率达到了88%,方块电阻小于5Ω/□。Ag层厚度是影响AZO/Ag/AZO薄膜光电性能的主要因素,AZO层的厚度对薄膜光学性能影响较大。
- 刘思宁周艳文吴川吴法宇
- 关键词：射频磁控溅射
- 磁控溅射在PI/石墨烯基体上制备氧化锌薄膜
- 2015年
- 聚酰亚胺(PI)/石墨烯复合薄膜兼备了可挠曲性及透明、导电性,可作为柔性透明导电电极用于柔性电子器件中。但附着于PI上的石墨烯易划伤,使其导电性变差。本文采用脉冲直流磁控溅射法,以PI/石墨烯为基体,镀制保护石墨烯的氧化锌薄膜。分别采用原子力显微镜、X射线衍射仪、台阶仪、霍尔效应仪及紫外-可见分光光度计检测PI/石墨烯/ZnO复合薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜厚度及导电、透光性能。结果表明,PI/石墨烯/ZnO复合薄膜结构致密,氧化锌以(002)为择优取向,最低方阻为1.9×104Ω/sq,略低于石墨烯的方阻,可见光区平均透光率达80%。
- 刘思宁周艳文沙天怡齐艳萍佟欣儒王羽倩吴法宇
- 粉末靶磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的特性被引量：1
- 2015年
- 室温下采用射频磁控溅射粉末靶,在玻璃基底上制备了掺铝氧化锌/银/掺铝氧化锌(AZO/Ag/AZO)三层透明导电薄膜。通过优化中间银层厚度,优化了三层透明导电薄膜的光电性能。采用原子力显微镜和X射线衍射仪分别对薄膜的形貌和结构进行检测分析;采用紫外可见分光光度计和霍尔效应仪分别对薄膜的光电性能进行检测分析。结果表明,所制备的三层膜表面平整,颗粒大小错落均称;三层膜呈现多晶结构,AZO层薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,Ag层薄膜具有(111)择优取向的立方结构;当三层薄膜为AZO(20 nm)/Ag(12 nm)/AZO(20 nm)时,在550 nm处的透光率为88%,方块电阻为4.3Ω/□,电阻率为2.2×10^(-5)Ω·cm,载流子浓度为2.8×1022/cm^3,迁移率为10 cm^2/(V·s),品质因子为3.5×10-2Ω^(-1)。
- 刘思宁周艳文吴川吴法宇
- 关键词：射频磁控溅射
- 用粉末靶在玻璃和PI衬底上制备AZO/Ag/AZO薄膜被引量：1
- 2015年
- 室温下在玻璃和聚酰亚胺两种不同衬底上,采用射频磁控溅射法溅射掺铝氧化锌(AZO)粉末靶和固体Ag靶,制备了两组AZO/Ag/AZO 3层透明导电薄膜,研究了AZO层厚度对不同衬底3层膜结构和光电性能的影响。结果表明:不同衬底的两组AZO/Ag/AZO薄膜均为多晶膜。当Ag层厚度不变时,随着AZO层厚度的增加,两组薄膜电学性能变化不大,透射峰向长波方向移动。玻璃和PI衬底上制备的AZO(30 nm)/Ag(14 nm)/AZO(30 nm)薄膜,在550 nm处的透光率分别为85%和70%,方块电阻分别为2.6Ω/□和4.6Ω/□。
- 刘思宁周艳文沙天怡
- 关键词：磁控溅射
- 射频磁控溅射粉末靶制备多层透明导电薄膜的特性
- 透明导电薄膜(TCO)具有优异的光电性能和广泛的应用前景。传统的TCO薄膜受制于其半导体导电机制,已经不能满足人们日益增长的要求。为了满足人们的需求,需要开发生产成本更低、性能更佳的透明导电薄膜来替代传统的TCO薄膜。近...
- 刘思宁
- 关键词：磁控溅射柔性衬底透明导电薄膜
- 文献传递
- 不同驱动电源下磁控溅射等离子体行为被引量：1
- 2015年
- 磁控溅射驱动方式是影响其等离子体特征的重要因素之一,而等离子体行为最终影响所沉积薄膜结构和性能。磁控溅射过程中基体上产生的浮动电势与等离子体中电子能量分布有关,基体饱和电流则与等离子体的离子密度有关,可综合反映辉光放电系统等离子体状态。本实验分别采用射频、直流和脉冲直流电源溅射Mo粉末靶,改变靶基距,测量基体浮动电势及饱和电流,探讨溅射驱动方式对等离子体行为的影响。研究表明:靶功率增加,靶电压、电流均随靶功率增大,基体浮动电势基本保持不变,基体饱和电流增加,但电压增加率极小,而电流增加率较大。基体浮动电势绝对值随靶基距的增加而降低,即电子的能量分布随靶基距增加而降低。射频溅射产生的浮动电势明显小于直流和脉冲直流溅射的。直流溅射等离子体能量最高,射频溅射等离子体密度最大。
- 周艳文刘思宁孟兰兰朱鹏福吴法宇
- 关键词：驱动电源
