朱鹏福
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：辽宁科技大学材料与冶金学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- Cu(In,Al)Se_2薄膜太阳电池
- 2013年
- Cu(In,Al)Se2(CIAS)化合物薄膜太阳电池属于Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物薄膜太阳电池,由同族的Al来替代CuInSe2(CIS)中的In,及Cu(In,Ga)Se2(CIGS)中的Ga和In。具有黄铜矿结构的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物半导体材料可作为吸收层用于光伏电池。用渗入CIS中得到具有黄铜矿结构的CIGS,并且可根据Ga/(In+Ga)调节禁带宽度提高转化效率,但Ga的掺入调节禁带宽有限。以Al替代Ga,不仅可大幅降低成本,同时由于形成CuAlSe2相的能隙为2.7eV,因此调节Al/(In+Al)的比例可更宽泛地调节Cu(In,Al)Se2(CIAS)能禁带宽度。目前CIAS制备工艺以真空镀膜方法为主,包括真空蒸镀、磁控溅射、脉冲激光等。在非真空方法中,研究者们尝试了电沉积的方法成功制得单相的CIAS吸收层薄膜,而用如丝网印刷等低成本工艺CIAS薄膜尝试还少见报导。本文详细介绍了CIAS制备方法及工艺,并提出CIAS研究的一些建议。
- 朱鹏福周艳文刘溪
- 关键词：薄膜太阳电池真空蒸镀磁控溅射
- 柔性基底石墨烯基复合透明导电薄膜的制备及CIAS刮刀涂布法试制
- 聚酰亚胺(PI)/石墨烯不仅有着远远优越于ITO的透光和导电性能,而且可弯曲。但恰是由于石墨烯只有单层或几层碳原子构成,通常制备的石墨烯薄膜易脱落、方阻高。本实验制备PI/石墨烯基复合透明导电薄膜,希望保证复合薄膜良好光...
- 朱鹏福
- 关键词：透明导电薄膜磁控溅射
- 文献传递
- 不同驱动电源下磁控溅射等离子体行为被引量：1
- 2015年
- 磁控溅射驱动方式是影响其等离子体特征的重要因素之一,而等离子体行为最终影响所沉积薄膜结构和性能。磁控溅射过程中基体上产生的浮动电势与等离子体中电子能量分布有关,基体饱和电流则与等离子体的离子密度有关,可综合反映辉光放电系统等离子体状态。本实验分别采用射频、直流和脉冲直流电源溅射Mo粉末靶,改变靶基距,测量基体浮动电势及饱和电流,探讨溅射驱动方式对等离子体行为的影响。研究表明:靶功率增加,靶电压、电流均随靶功率增大,基体浮动电势基本保持不变,基体饱和电流增加,但电压增加率极小,而电流增加率较大。基体浮动电势绝对值随靶基距的增加而降低,即电子的能量分布随靶基距增加而降低。射频溅射产生的浮动电势明显小于直流和脉冲直流溅射的。直流溅射等离子体能量最高,射频溅射等离子体密度最大。
- 周艳文刘思宁孟兰兰朱鹏福吴法宇
- 关键词：驱动电源
