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孙俊峰

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 2篇电镀
  • 2篇电镀层
  • 2篇电荷泵
  • 2篇电荷泵电路
  • 2篇电路拓扑
  • 2篇电路拓扑结构
  • 2篇电学隔离
  • 2篇镀层
  • 2篇升压
  • 2篇输出级
  • 2篇数字衰减器
  • 2篇衰减器
  • 2篇铁镍合金
  • 2篇通带
  • 2篇镍合金
  • 2篇平坦度
  • 2篇腔内
  • 2篇子电路
  • 2篇拓扑

机构

  • 10篇中国电子科技...

作者

  • 10篇孙俊峰
  • 8篇郁元卫
  • 6篇贾世星
  • 6篇朱健
  • 2篇姜国庆
  • 2篇李晓鹏
  • 2篇姜理利
  • 2篇王守旭

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MEMS步进式数字衰减器
本发明公开了一种MEMS步进式数字衰减器，包括传输线和n个级联的可变衰减单元，n≥1；可变衰减单元包括电阻衰减网络、上MEMS开关和下MEMS开关，且上MEMS开关和下MEMS开关关于电阻衰减网络上下对称。本发明采用ME...
孙俊峰姜理利朱健郁元卫贾世星焦宗磊姜国庆
文献传递
一种MEMS微带环形器及其制备方法
本发明提供了一种MEMS微带环形器及其制备方法，包括：铁镍合金层；微带层，设置于所述铁镍合金层上；下硅层，设置于所述微带层远离所述铁镍合金层的一面上；铁氧体层，贯穿所述下硅层以及所述微带层，向下延伸至所述铁镍合金层上；传...
陶子文孙俊峰钱可强贾世星王守旭郁元卫
文献传递
减小电镀层图形失真的方法
本发明公开了一种减小电镀层图形失真的方法，应用于对图形尺寸精度要求高的微电子、微机电系统(MEMS)等领域。本发明通过增加辅助图形，巧妙地利用电镀材料间的相互应力反向抵消，大大改善了电镀层图形失真的问题。该方法适合任何性...
孙俊峰朱健禹淼
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一种MEMS微带环形器及其制备方法
本发明提供了一种MEMS微带环形器及其制备方法，包括：铁镍合金层；微带层，设置于所述铁镍合金层上；下硅层，设置于所述微带层远离所述铁镍合金层的一面上；铁氧体层，贯穿所述下硅层以及所述微带层，向下延伸至所述铁镍合金层上；传...
陶子文孙俊峰钱可强贾世星王守旭郁元卫
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减小电镀层图形失真的方法
本发明公开了一种减小电镀层图形失真的方法，应用于对图形尺寸精度要求高的微电子、微机电系统(MEMS)等领域。本发明通过增加辅助图形，巧妙地利用电镀材料间的相互应力反向抵消，大大改善了电镀层图形失真的问题。该方法适合任何性...
孙俊峰朱健禹淼
一种抑制腔内环行器发生带内谐振的结构
本发明涉及一种抑制腔内环行器带内谐振的结构，包括环行器、金属腔体、导电材料和金属腔体盖板，环行器底部磁性金属材料固定在金属腔体底部上；导电材料通过导电胶粘接在金属腔体盖板内侧或金属腔体侧壁，导电材料厚度大于金属腔体盖板与...
孙俊峰陶子文郁元卫贾世星吴炎
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一种抑制腔内环行器发生带内谐振的结构
本发明涉及一种抑制腔内环行器带内谐振的结构，包括环行器、金属腔体、导电材料和金属腔体盖板，环行器底部磁性金属材料固定在金属腔体底部上；导电材料通过导电胶粘接在金属腔体盖板内侧或金属腔体侧壁，导电材料厚度大于金属腔体盖板与...
孙俊峰陶子文郁元卫贾世星吴炎
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MEMS开关用高升压倍数电荷泵电路及其制造方法
本发明是MEMS开关用高升压倍数电荷泵电路，其结构是第二Trench结构的版图、第三Trench结构的版图分别包围第一Trench结构的版图，SOI晶片从上到下为顶层硅，二氧化硅层，高阻载片；在SOI晶片的顶层硅上进行T...
孙俊峰朱健郁元卫李晓鹏
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一种MEMS步进式数字衰减器
本发明公开了一种MEMS步进式数字衰减器，包括传输线和n个级联的可变衰减单元，n≥1；可变衰减单元包括电阻衰减网络、上MEMS开关和下MEMS开关，且上MEMS开关和下MEMS开关关于电阻衰减网络上下对称。本发明采用ME...
孙俊峰姜理利朱健郁元卫贾世星焦宗磊姜国庆
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MEMS开关用高升压倍数电荷泵电路及其制造方法
本发明是MEMS开关用高升压倍数电荷泵电路，其结构是第二Trench结构的版图、第三Trench结构的版图分别包围第一Trench结构的版图，SOI晶片从上到下为顶层硅，二氧化硅层，高阻载片；在SOI晶片的顶层硅上进行T...
孙俊峰朱健郁元卫李晓鹏
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