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廖航
作品数:
17
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张金平
电子科技大学
任敏
电子科技大学
李泽宏
电子科技大学
张波
电子科技大学
刘竞秀
电子科技大学
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机构
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电子科技大学
作者
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廖航
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张波
16篇
李泽宏
16篇
任敏
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张金平
14篇
刘竞秀
6篇
刘玮琪
2篇
高巍
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张玉蒙
年份
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2019
3篇
2018
3篇
2017
6篇
2016
2篇
2015
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一种RC‑IGBT器件及其制备方法
本发明属于功率半导体器件技术领域,具体提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC‑IGBT)及其制备方法,用于获得更好的器件特性、提高RC‑IGBT的可靠性;本发明RC‑IGBT器件在正向IGBT工作模式下完全消除了snap...
张金平
熊景枝
廖航
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
一种功率半导体器件终端结构
本发明属于半导体技术领域,涉及一种功率半导体器件终端结构。本发明的核心思想是将平面延伸的结终端扩展(JTE)型终端结构向体内折叠,充分利用体内漂移区厚度,从而缩小终端的横向面积。缓解了PN结终止端的电场集中,击穿点的位置...
任敏
张玉蒙
底聪
廖航
李沂蒙
李泽宏
张金平
高巍
张波
一种双通道RC-IGBT器件及其制备方法
一种双通道RC‑IGBT器件及其制备方法。本发明属于功率半导体器件技术领域,具体提供逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC‑IGBT)及其制备方法,用于获得更好的器件特性,提高RC‑IGBT的可靠性;本发明在传统RC‑IGBT器...
张金平
熊景枝
郭绪阳
廖航
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
文献传递
一种双向MOS型器件及其制造方法
一种功率半导体器件及其制造方法,属于功率半导体器件技术领域。本发明的一种双向MOS型器件,在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构,在MOS结构之间具有U型复合漂移区,U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的...
张金平
熊景枝
廖航
底聪
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
文献传递
双分裂沟槽栅电荷存储型RC-IGBT及其制造方法
本发明属于功率半导体器件技术领域,具体涉及逆导型沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在RC‑IGBT器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层,在IGBT工作模...
张金平
廖航
刘玮琪
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
文献传递
一种双向MOS型器件及其制造方法
一种功率半导体器件及其制造方法,属于功率半导体器件技术领域。所述器件在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构,在所述MOS结构之间具有U型复合漂移区,所述U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的具有对称特性的...
张金平
底聪
廖航
熊景枝
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
文献传递
一种双通道RC‑IGBT器件及其制备方法
一种双通道RC‑IGBT器件及其制备方法。本发明属于功率半导体器件技术领域,具体提供逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC‑IGBT)及其制备方法,用于获得更好的器件特性,提高RC‑IGBT的可靠性;本发明在传统RC‑IGBT器...
张金平
熊景枝
郭绪阳
廖航
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
一种双向MOS型器件及其制造方法
一种功率半导体器件及其制造方法,属于功率半导体器件技术领域。本发明的一种双向MOS型器件,在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构,在MOS结构之间具有U型复合漂移区,U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的...
张金平
熊景枝
廖航
底聪
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
文献传递
双分裂沟槽栅电荷存储型RC-IGBT及其制造方法
本发明属于功率半导体器件技术领域,具体涉及逆导型沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在RC?IGBT器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层,在IGBT工作模...
张金平
廖航
刘玮琪
刘竞秀
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任敏
张波
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一种低温度系数触发电流的可控硅设计
可控硅从上世纪50年代问世以来,经过近60年的发展已经在现代社会的生产和生活中扮演着越来越重要的角色:由于具有优良的调频、变速性能,可控硅被广泛应用在工业生产;同时可控硅也被大量应用在漏电保护器、白色家电以及摩托车配件等...
廖航
关键词:
可控硅器件
触发电流
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