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刘钺杨

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：国网浙江省电力公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 14篇二极管
  • 12篇快恢复二极管
  • 7篇淀积
  • 6篇雪崩
  • 6篇控制区
  • 5篇氧化层
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇终端区
  • 4篇反向恢复
  • 3篇电极
  • 3篇多晶硅栅
  • 3篇源区
  • 3篇金属
  • 3篇金属电极
  • 3篇局域
  • 3篇控制层
  • 3篇缓冲区
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻版

机构

  • 18篇国家电网公司
  • 12篇国网智能电网...
  • 8篇国网浙江省电...
  • 6篇国网北京市电...
  • 5篇全球能源互联...
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 18篇刘钺杨
  • 5篇何延强
  • 3篇李立
  • 3篇吴迪
  • 3篇吴迪

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种IGBT芯片及其制造方法
本发明涉及微电子技术领域中的半导体器件的制造工艺技术，具体涉及一种IGBT芯片及其制造方法。本发明在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂，避免了传统工艺制作多晶硅栅的繁琐工艺流程，同时可以减少一道光刻版。元胞...
李立吴郁刘钺杨刘江王耀华金锐高文玉于坤山
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一种软快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种软快恢复二极管及其制造方法。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层，背N+缓冲区设置于N型本征区的背面，在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区，在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧...
刘钺杨吴郁吴迪何延强高文玉金锐于坤山
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一种快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局...
刘钺杨吴迪何延强金锐温家良
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一种快恢复二极管及其制备方法
本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极...
曹功勋吴迪刘钺杨何延强董少华徐哲和峰金锐温家良潘艳
一种快恢复二极管及其制作方法
本发明提供一种快恢复二极管及其制作方法，所述二极管包括含有有源区(5)和具有间隔的终端保护环(7)的衬底N-层(2)，所述衬底N-层(2)的正面和背面分别有氧化层(3)和缓冲层(4)，再于所述氧化层(3)敷设有BPSG层...
曹功勋刘钺杨吴迪何延强董少华金锐
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一种快速恢复二极管及其制造方法
本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法，该快速恢复二极管包括：第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二...
吴迪刘钺杨何延强和峰金锐温家良潘艳
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一种快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局...
刘钺杨吴迪何延强金锐温家良
一种IGBT芯片及其制造方法
本发明涉及微电子技术领域中的半导体器件的制造工艺技术，具体涉及一种IGBT芯片及其制造方法。本发明在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂，避免了传统工艺制作多晶硅栅的繁琐工艺流程，同时可以减少一道光刻版。元胞...
李立吴郁刘钺杨刘江王耀华金锐高文玉于坤山
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一种软快恢复二极管
本实用新型涉及一种软快恢复二极管。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层，背N+缓冲区设置于N型本征区的背面，在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区，在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧化层，在...
刘钺杨吴郁吴迪何延强高文玉金锐于坤山
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一种快恢复二极管
本实用新型提供一种快恢复二极管，所述二极管包括含有有源区(5)和具有间隔的终端保护环(7)的衬底N-层(2)，所述衬底N-层(2)的正面和背面分别有氧化层(3)和缓冲层(4)，再于所述氧化层(3)敷设有BPSG层(8)，...
曹功勋刘钺杨吴迪何延强董少华金锐
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