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何延强

作品数:12 被引量:0H指数:0
供职机构:国家电网公司更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇二极管
  • 5篇深能级
  • 5篇能级
  • 4篇氧化层
  • 4篇快恢复二极管
  • 4篇激光
  • 4篇激光退火
  • 4篇功率器件
  • 4篇反向恢复
  • 3篇多晶
  • 3篇控制区
  • 3篇缓冲区
  • 3篇衬底
  • 2篇导电类型
  • 2篇电极
  • 2篇阳极
  • 2篇阴极
  • 2篇源区
  • 2篇深能级杂质
  • 2篇漏电流

机构

  • 12篇国家电网公司
  • 10篇国网智能电网...
  • 7篇国网上海市电...
  • 5篇国网浙江省电...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 12篇何延强
  • 5篇刘钺杨

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法,该快恢复二极管结构包括N型本征区,缓变可控缓冲区,P型发射区,阳极P+区,阴阳极金属,氧化层;以及局域寿命控制区、全局寿命控制区,本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局...
刘钺杨吴迪何延强金锐温家良
文献传递
一种快速恢复二极管
本实用新型涉及一种半导体功率器件,具体涉及一种快速恢复二极管。快速恢复二极管包括衬底和P区,所述P区在衬底上形成,衬底为非均匀掺杂的N型硅衬底,N型硅衬底包括从下到上依次分布的衬底N-层以及衬底N+层;所述P区包括从上到...
何延强吴迪刘钺杨
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一种快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法,该快恢复二极管结构包括N型本征区,缓变可控缓冲区,P型发射区,阳极P+区,阴阳极金属,氧化层;以及局域寿命控制区、全局寿命控制区,本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局...
刘钺杨吴迪何延强金锐温家良
一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法
本发明涉及一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法,功率器件包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结,在所述衬底N-层上生长有氧化层;在P+区内设有深能级掺杂层;深能级杂质的扩散完全依赖于温度,温度决定其扩散速度...
吴迪刘钺杨何延强董少华曹功勋刘江金锐温家良
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一种快速恢复二极管
本实用新型提供一种快速恢复二极管,所述二极管包括:具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1),所述氧化层(2)上的多晶层(5),所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对...
吴迪刘钺杨何延强董少华曹功勋刘江金锐温家良
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一种快速恢复二极管及其制造方法
本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法,该快速恢复二极管包括:第一导电类型半导体层(2);第二导电类型半导体层(4),其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结;局域寿命控制层(5),设置在所述第二...
吴迪刘钺杨何延强和峰金锐温家良潘艳
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一种快速恢复二极管及其制造方法
本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法,所述二极管包括:具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1),所述氧化层(2)上的多晶层(5),所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上...
吴迪刘钺杨何延强董少华曹功勋刘江金锐温家良
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一种快恢复二极管
本实用新型涉及一种快恢复二极管,该快恢复二极管结构包括N型本征区,缓变可控缓冲区,P型发射区,阳极P+区,阴阳极金属,氧化层;以及局域寿命控制区、全局寿命控制区,本实用新型采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿...
刘钺杨吴迪何延强金锐温家良
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一种快速恢复二极管
本实用新型实施例公开了一种快速恢复二极管,包括:第一导电类型半导体层(2);第二导电类型半导体层(4),其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结;局域寿命控制层(5),设置在所述第二导电类型半导体层(4)内...
吴迪刘钺杨何延强和峰金锐温家良潘艳
一种快速恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种半导体功率器件,具体涉及一种快速恢复二极管及其制造方法。快恢复二极管包括衬底和P区,所述P区在衬底上形成,衬底为非均匀掺杂(N-为均匀掺杂,N+为非均匀掺杂)的N型硅衬底,N型硅衬底包括从上到下依次分布的衬...
何延强吴迪刘钺杨
文献传递
共2页<12>
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