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何延强
作品数:
12
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供职机构:
国家电网公司
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘钺杨
国家电网公司
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12篇
中文专利
领域
2篇
电子电信
主题
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二极管
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深能级
5篇
能级
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氧化层
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快恢复二极管
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机构
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国家电网公司
10篇
国网智能电网...
7篇
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5篇
国网浙江省电...
1篇
全球能源互联...
1篇
全球能源互联...
作者
12篇
何延强
5篇
刘钺杨
年份
1篇
2024
1篇
2018
4篇
2017
3篇
2016
2篇
2015
1篇
2014
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一种快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法,该快恢复二极管结构包括N型本征区,缓变可控缓冲区,P型发射区,阳极P+区,阴阳极金属,氧化层;以及局域寿命控制区、全局寿命控制区,本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局...
刘钺杨
吴迪
何延强
金锐
温家良
文献传递
一种快速恢复二极管
本实用新型涉及一种半导体功率器件,具体涉及一种快速恢复二极管。快速恢复二极管包括衬底和P区,所述P区在衬底上形成,衬底为非均匀掺杂的N型硅衬底,N型硅衬底包括从下到上依次分布的衬底N-层以及衬底N+层;所述P区包括从上到...
何延强
吴迪
刘钺杨
文献传递
一种快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法,该快恢复二极管结构包括N型本征区,缓变可控缓冲区,P型发射区,阳极P+区,阴阳极金属,氧化层;以及局域寿命控制区、全局寿命控制区,本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局...
刘钺杨
吴迪
何延强
金锐
温家良
一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法
本发明涉及一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法,功率器件包括衬底和其上形成的P+区共同构成的PN结,在所述衬底N-层上生长有氧化层;在P+区内设有深能级掺杂层;深能级杂质的扩散完全依赖于温度,温度决定其扩散速度...
吴迪
刘钺杨
何延强
董少华
曹功勋
刘江
金锐
温家良
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一种快速恢复二极管
本实用新型提供一种快速恢复二极管,所述二极管包括:具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1),所述氧化层(2)上的多晶层(5),所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上与其相对...
吴迪
刘钺杨
何延强
董少华
曹功勋
刘江
金锐
温家良
文献传递
一种快速恢复二极管及其制造方法
本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法,该快速恢复二极管包括:第一导电类型半导体层(2);第二导电类型半导体层(4),其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结;局域寿命控制层(5),设置在所述第二...
吴迪
刘钺杨
何延强
和峰
金锐
温家良
潘艳
文献传递
一种快速恢复二极管及其制造方法
本发明提供一种快速恢复二极管及其制造方法,所述二极管包括:具有三个具有间隔的P型硅区(3)的且表面有氧化层(2)的N型硅衬底(1),所述氧化层(2)上的多晶层(5),所述多晶层(5)上的阳极金属层和所述N型硅衬底(1)上...
吴迪
刘钺杨
何延强
董少华
曹功勋
刘江
金锐
温家良
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一种快恢复二极管
本实用新型涉及一种快恢复二极管,该快恢复二极管结构包括N型本征区,缓变可控缓冲区,P型发射区,阳极P+区,阴阳极金属,氧化层;以及局域寿命控制区、全局寿命控制区,本实用新型采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿...
刘钺杨
吴迪
何延强
金锐
温家良
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一种快速恢复二极管
本实用新型实施例公开了一种快速恢复二极管,包括:第一导电类型半导体层(2);第二导电类型半导体层(4),其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结;局域寿命控制层(5),设置在所述第二导电类型半导体层(4)内...
吴迪
刘钺杨
何延强
和峰
金锐
温家良
潘艳
一种快速恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种半导体功率器件,具体涉及一种快速恢复二极管及其制造方法。快恢复二极管包括衬底和P区,所述P区在衬底上形成,衬底为非均匀掺杂(N-为均匀掺杂,N+为非均匀掺杂)的N型硅衬底,N型硅衬底包括从上到下依次分布的衬...
何延强
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