吴迪
- 作品数：77 被引量：19H指数：2
- 供职机构：国家电网公司更多>>
- 相关领域：电子电信水利工程自动化与计算机技术建筑科学更多>>
- 一种箱式变电站空气循环降温除湿系统及除湿装置
- 本实用新型公开了一种箱式变电站空气循环降温除湿系统，包括：自动控制除湿装置、第一温度传感器、第二温度传感器和风机，所述自动控制除湿装置包括控制器和除湿机；所述除湿机与控制器连接，控制器与第一温度传感器、第二温度传感器和风...
- 潘建乔吴迪晏翔江锡忠金朝晖冯跃亮张中良徐亮倪大伟胡雷剑朱忠明柴慎强俞健
- 蓬辣滩水电站船闸综合自动化系统的改造
- 介绍了蓬辣滩水电站原有船闸自动化系统的运行状况及存在问题,并着重对改造方案进行介绍,解决了原有监控系统运行不正常、船只收费方式落后等问题,提高了现场的运行管理水平,也为其它船闸工程的自动化建设提供有益的借鉴。
- 连志伟吴迪夏天
- 关键词：水电站船闸综合自动化
- 文献传递
- 大伙房长距离输水工程SCADA系统设计被引量：6
- 2010年
- 大伙房水库输水二期工程自大伙房水库引水,通过隧洞和管道,采取封闭供水方式,向抚顺等6个城市供水,系统运行工况复杂,控制要求高。为实现工程全线设备的自动监测与控制,保证系统技术先进、运行稳定可靠,从计算机数据采集与监控(SCADA)系统的实现目标与功能、系统总体结构及主要设备配置、系统冗余策略、系统控制策略及方式、系统通信等方面进行了分析设计。系统建成后将为大伙房水库输水工程运行管理提供安全可靠、科学经济的技术手段。
- 戴娜罗招贵周林虎吴迪
- 关键词：输水工程SCADA系统冗余PLC
- 一种功率器件的背面buffer层制作方法
- 本发明涉及一种功率器件制作方法，具体涉及一种功率器件的背面buffer层制作方法。在3300V以上单晶硅片背面外延一层掺磷浓度高的外延N+层，然后进行背封，防止磷溢出及对相邻片正面造成自掺杂。进行芯片正面工艺，背面的外延...
- 吴迪刘钺杨何延强包海龙张宇
- 文献传递
- 一种快恢复二极管
- 本实用新型涉及一种快恢复二极管，二极管包括衬底和P+区，所述P+区在衬底上形成，共同构成PN结，其中衬底为二极管的阴极，P+区为二极管阳极；在阳极P+区的表面注入氢或氦，形成局域寿命控制层；本实用新型的二极管恢复特性既快...
- 吴迪刘钺杨何延强金锐温家良
- 一种快恢复二极管
- 本实用新型涉及一种电力半导体器件，具体涉及一种快恢复二极管，包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，所述P区包括由上到下依次设置的磷离子补偿注入层和硼离子注入层；所述磷离子补偿注入层能够实现P区表面浓度降低...
- 吴迪刘钺杨何延强刘隽凌平包海龙张宇
- 文献传递
- 一种自动识别屋顶积雪载荷的融冰系统
- 本实用新型涉及一种自动识别屋顶积雪载荷的融冰系统，其技术特点是：包括主控电脑、压力监测装置和发热电缆融冰装置，压力监测装置均布安装在屋顶上用于监测积雪、冰的重力产生的压力并将监测结果传送给主控电脑上，发热电缆融冰装置包括...
- 吴亮吴迪于波杨延春袁新润张剑罗朝晖郭晓丹韩慎朝刘裕德于蓬勃卢欣孙学文张超隋淑慧
- 文献传递
- 一种快恢复二极管及其制造方法
- 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种快恢复二极管及其制造方法。本发明在有源区进行推结形成P+区和P区，推结形成过程包括，第一步进行硼注入，推结1-10um，第二步进行磷补偿注入，磷注入条件要求推结后只降...
- 吴迪刘钺杨何延强刘隽凌平包海龙张宇
- 一种沟槽型快恢复二极管及其制造方法
- 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种沟槽型快恢复二极管及其制造方法。快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，在所述PN结的两侧对称设置有沟槽区；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，...
- 吴迪刘钺杨何延强包海龙刘隽张宇凌平
- 一种配变电线路高压检测装置
- 本实用新型公开了一种配变电线路高压检测装置，安装于配电线路旁侧，用于检测配变电线路旁侧的电压是否高于人体安全电压，所述配变电线路高压检测装置包括依次连接的用于对电磁感应信号进行预处理的预处理电路、用于对预处理后的电磁感应...
- 吴迪晏翔李正光潘锋郑涛冯跃亮吴韬栾伊斌潘建乔杨玉锐庾峰姜福涛张凯俊潘白浪陈刚奚叶飞徐克倪大伟胡雷建任姚
- 文献传递
