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乔倩

作品数:2 被引量:6H指数:2
供职机构:浙江海洋学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇银纳米粒子
  • 1篇增益
  • 1篇同密
  • 1篇响应度
  • 1篇立方相
  • 1篇纳米
  • 1篇光导
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇不同密度
  • 1篇MGZNO

机构

  • 2篇浙江海洋学院
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇东北师范大学

作者

  • 2篇申德振
  • 2篇李炳辉
  • 2篇单崇新
  • 2篇乔倩
  • 1篇刘娟意
  • 1篇张吉英
  • 1篇王瑞
  • 1篇韩舜
  • 1篇刘雷
  • 1篇张振中
  • 1篇姜明明
  • 1篇刘可为
  • 1篇王双鹏
  • 1篇陈星
  • 1篇陶丽芳
  • 1篇张存喜
  • 1篇赵东旭
  • 1篇刘益春
  • 1篇王立昆
  • 1篇郑剑

传媒

  • 2篇发光学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
不同密度银纳米粒子对氧化锌基发光二极管发光的增强被引量:4
2015年
采用分子束外延法制备不同密度的银纳米粒子(AgNPs)修饰的局域表面等离子体共振增强n-ZnO/iZnO/MgO/p-GaN异质结发光二极管(LEDs),并对其电学及光学性质进行表征。结果显示:LEDs中引入适当浓度的AgNPs有利于AgNPs局域表面等离子体激元与ZnO激子相耦合,可以显著提高器件的电致发光性能;随着AgNPs浓度的增加,LEDs发光增强倍数先增大后减小,分析认为这是AgNPs局域表面等离子体共振耦合增强过程和AgNPs的消光过程两者之间相互博弈而导致的结果。
乔倩单崇新刘娟意陶丽芳王瑞张存喜李炳辉申德振
关键词:发光二极管银纳米粒子电致发光
基于立方相MgZnO薄膜的高响应度深紫外探测器被引量:2
2014年
在超过相变临界厚度的立方相Mg0.29Zn0.71O薄膜上制备了Au插指电极MSM结构探测器件,30 V偏压下的峰值响应度可达27.9 A/W(268 nm),对应的外量子效率为12900%。分析认为原位生长在立方相MgZnO薄膜上的极薄的结构相变层引入了高密度的界面态,在立方相薄膜表面电极接触中起到了降低势垒、减小耗尽层宽度、增强电极注入电子的能力的作用,使得器件形成高的光导增益。
郑剑乔倩张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏陈星姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振
共1页<1>
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