张存喜
- 作品数：7 被引量：67H指数：3
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- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- 微波作用下有直接隧穿量子点系统中的泵流特性
- 2011年
- 利用演化算符的方法,研究了量子点体系中的电流以及自旋流,该体系中量子点和左右磁性电极耦合并且受到微波作用,且两电极之间有直接隧穿,得到了体系电流的解析表达式.发现对于无直接隧穿和零偏压情况,无论对称结构还是非对称结构,电流和自旋流总为零.对于直接隧穿和零偏压情况,对于两边为非对称结构,微波场辐射在量子点上可以导致自旋流而非零的总电流,给出了平行和反平行磁构型下的结果并进行了讨论;对于两边为对称结构结构,平行磁构型下,量子点上加微波场时自旋流和总电流均为零;在反平行磁构型下,量子点上加微波场可以导致自旋流而总电流为零,这可以作为设计自旋电池的一个方案,并且在目前技术条件下实验上也是可行的.
- 周运清孔令民王瑞张存喜
- 关键词：微波场直接隧穿量子点
- 硅烯中受电场调控的体能隙和朗道能级
- 2015年
- 近年来,硅烯(单层硅)由于其独特的结构和电子性质以及在量子霍尔效应等领域的潜在应用而成为理论和实验研究的一个热点.借助于四带次近邻紧束缚模型,详细计算和研究了硅烯中受电场调制的体能隙和电子能级.结果表明:硅烯原胞中的两个子格处于不同的平面上,可以通过外电场区分和控制这两个子格,这将破坏在纯石墨烯中无法被破坏的K-K′对称性,并消除由这一对称性导致的电子能级的二重简并;外加电场还会引起硅烯中次近邻格点之间的Rashba自旋轨道耦合,这一作用会在不同狄拉克点有选择地消除电子能级在部分电场点的简并,相邻能级从交叉状态变为反交叉状态;电子能级中除一些孤立的交叉点外,每个能级都具有确定的自旋取向,石墨烯中电子能级的四重简并在硅烯中被完全消除,从而导致填充因子ν=0,±1,±2,±3,···的量子霍尔平台.
- 计青山郝鸿雁张存喜王瑞
- 关键词：硅烯朗道能级简并自旋轨道耦合
- 半导体量子阱和一维光晶格中的量子输运
- 本文利用散射矩阵和传输矩阵等方法研究了半导体异质结量子阱和一维光晶格体系中的量子输运特性，为设计和实现具有优良性能的量子过滤器件提供理论依据。主要研究内容有: 首先，利用有效质量近似和Floquet理论，研究了空间均匀...
- 张存喜
- 关键词：半导体异质结输运特性
- 一维各向异性光子晶体的带隙结构和传输特性被引量：60
- 2007年
- 研究了由两种不同的各向异性材料交替排列而构成的一维人工周期结构材料的带隙结构和传输特性.各向异性和复式结构导致了x偏振和y偏振有不同的带隙结构、透射率和态密度等.研究发现,当两种材料的各向异性常量、厚度满足一定条件时,能带结构中会出现缺隙现象.
- 王瑞张存喜聂一行
- 关键词：带隙结构传输矩阵透射率态密度
- 不同密度银纳米粒子对氧化锌基发光二极管发光的增强被引量：4
- 2015年
- 采用分子束外延法制备不同密度的银纳米粒子(AgNPs)修饰的局域表面等离子体共振增强n-ZnO/iZnO/MgO/p-GaN异质结发光二极管(LEDs),并对其电学及光学性质进行表征。结果显示:LEDs中引入适当浓度的AgNPs有利于AgNPs局域表面等离子体激元与ZnO激子相耦合,可以显著提高器件的电致发光性能;随着AgNPs浓度的增加,LEDs发光增强倍数先增大后减小,分析认为这是AgNPs局域表面等离子体共振耦合增强过程和AgNPs的消光过程两者之间相互博弈而导致的结果。
- 乔倩单崇新刘娟意陶丽芳王瑞张存喜李炳辉申德振
- 关键词：发光二极管银纳米粒子电致发光
- 太赫兹场辅助的单量子阱自旋共振输运被引量：3
- 2010年
- 在考虑自旋轨道耦合的情况下,研究了通过一非磁性半导体异质结的太赫兹光子驱动的电子输运,研究结果显示频率相关的电导谱出现不对称的Fano型共振的劈裂;随着振荡场幅度的增加,多光子辅助过程出现;通过改变外加场参数,可以实现自旋过滤目的,特别是在干涉相消Fano型共振的频率位置时,出现了100%纯的自旋极化流.这些属性有助于大范围可调的自旋过滤器的实现并且可以得到纯的自旋透射流.
- 张存喜王瑞孔令民
- 关键词：FLOQUET理论自旋轨道耦合
