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李炳辉

作品数:165 被引量:185H指数:9
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 102篇专利
  • 45篇期刊文章
  • 16篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 45篇理学
  • 34篇电子电信
  • 9篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 68篇探测器
  • 61篇紫外探测
  • 61篇紫外探测器
  • 25篇响应度
  • 24篇发光
  • 20篇光电
  • 20篇衬底
  • 19篇暗电流
  • 19篇掺杂
  • 18篇分子束
  • 17篇分子束外延
  • 14篇锌源
  • 14篇金属
  • 14篇化合物
  • 14篇ZNO
  • 13篇氧化锌
  • 13篇SUB
  • 12篇有机镁化合物
  • 12篇P型
  • 11篇电极

机构

  • 153篇中国科学院长...
  • 12篇中国科学院
  • 10篇中国科学院大...
  • 9篇东北师范大学
  • 7篇吉林大学
  • 5篇中国科学院研...
  • 2篇长春理工大学
  • 2篇浙江海洋学院
  • 1篇长春职业技术...
  • 1篇东北石油大学
  • 1篇郑州大学
  • 1篇法国科学院

作者

  • 165篇李炳辉
  • 163篇申德振
  • 133篇张振中
  • 78篇刘可为
  • 74篇陈星
  • 53篇赵东旭
  • 52篇张吉英
  • 39篇吕有明
  • 37篇范希武
  • 37篇姚斌
  • 30篇单崇新
  • 20篇王双鹏
  • 19篇刘益春
  • 15篇刘雷
  • 10篇姜明明
  • 8篇梁红伟
  • 8篇吴春霞
  • 5篇鞠振刚
  • 5篇秦杰明
  • 5篇颜建锋

传媒

  • 36篇发光学报
  • 3篇第11届全国...
  • 2篇物理学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇第12届全国...
  • 2篇第五届届全国...
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇光机电信息
  • 1篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第十届全国光...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2023
  • 10篇2022
  • 10篇2021
  • 32篇2020
  • 11篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 10篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 7篇2011
  • 10篇2010
  • 4篇2009
  • 10篇2008
  • 6篇2007
  • 13篇2006
  • 7篇2004
  • 5篇2003
165 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种利用分子束外延技术制备P型氧化锌薄膜的方法
本发明提供一种利用分子束外延技术制备P型氧化锌薄膜的方法,属于薄膜制备技术领域。该方法的是将金属锌加热蒸发成气态,氧气通过射频等离子体原子源裂解成活性原子与分子混合状态,掺杂所用方法与氧气相同,锌原子束、氧气活性原子与分...
李炳辉申德振谢修华张振中刘可为陈星刘雷李衍爽
N掺杂MgZnO薄膜的光电性质被引量:3
2019年
ZnO是优异的紫外发光和激光材料,氮被认为是p型ZnO和MgZnO的理想受主掺杂剂,但在较低生长温度下氮的掺入会显著破坏晶格完整性,使氧化锌的载流子迁移率进一步下降。为了研究N的掺入对MgZnO薄膜的影响,利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了N掺杂的ZnO和MgZnO薄膜。实验结果表明,在其他条件完全相同的情况下,当Mg源温度为245℃和255℃时,载流子迁移率会显著提高,这一现象被归结为Mg-N成键抑制了氧位上N-N对的形成,缓解了晶格的扭曲。同时当Mg源温度为275℃时,能够使N掺杂ZnO薄膜中的施主浓度降低一个量级,有利于实现p型掺杂。
赵鹏程张振中姚斌李炳辉李贤丽
关键词:分子束外延光电性质
Au电极厚度对MgZnO紫外探测器性能的影响被引量:4
2015年
利用分子束外延设备(MBE)制备了MgZnO薄膜。X射线衍射谱、紫外-可见透射光谱和X射线能谱表明薄膜具有单一六角相结构,吸收边为340 nm,Zn/Mg组分比为62∶38。采用掩膜方法使用离子溅射设备,在MgZnO薄膜上制备了Au电极,并实现了Au-MgZnO-Au结构的紫外探测器。通过改变溅射时间,得到具有不同Au电极厚度的MgZnO紫外探测器。研究结果表明:随着Au电极厚度的增加,导电性先缓慢增加,再迅速增加,最后缓慢增加并趋于饱和;而Au电极的透光率则随厚度的增加呈线性下降。此外,随着Au电极厚度的增加,器件光响应度先逐渐增大,在Au电极厚度为28 nm时达到峰值,之后逐渐减小。
孙华山刘可为陈洪宇范明明陈星李炳辉申德振
关键词:MGZNO紫外探测器AU电极厚度
利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜被引量:16
2003年
利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因。
梁红伟吕有明申德振刘益春李炳辉张吉英范希武
关键词:ZNO薄膜氧化锌薄膜X射线衍射光致发光薄膜生长
低切损激光切割锯
本发明公开了一种低切损激光切割锯,属于半导体器件技术领域。解决了现有技术中硅锭的切割方法切损率高,切割晶圆直径受限制,生产效率低的技术问题。本发明的切割锯包括:激光器组、耦合装置、光纤组、箔带、导轨、支架和驱动控制装置,...
张振中王双鹏姜明明李炳辉申德振
文献传递
一种紫外探测器及其制备方法
本发明提供了一种紫外探测器,包括:衬底;设置在所述衬底表面的ZnO薄膜,所述ZnO薄膜表面分布有Ag颗粒;设置在所述ZnO薄膜表面的两个电极。与现有技术相比,本发明提供的紫外光电探测器含有Ag颗粒修饰的ZnO薄膜,利用A...
刘可为王潇陈星李炳辉张振中申德振
一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置
一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置,涉及一种原子层沉积装置。它解决现有技术中前驱体与衬底或上一原子层接触的均匀性差、反应物利用率低和材料生长周期长导致的沉积效率低问题。该装置包括反应腔室、第一前驱体容器、第二前驱体容器...
单崇新申赫于吉刘兴宇王双鹏李炳辉申德振
文献传递
荧光转换氧化锌基异质结发光二极管
白光发光二极管(LED)以其在固态照明的方面的应用成为近年来的研究热点,而实现白光LED的最好方法是以蓝光或近紫外发光器件为芯片,并包覆绿光、黄光和/或红光荧光粉制成荧光转换白光LED.现在通常选用氮化镓基量子阱结构作为...
王双鹏单崇新朱海李炳辉申德振刘学彦
制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法
本发明涉及制备透明、低阻氧化锌半导体陶瓷的方法,特别是一种热压烧结法制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法,是以粉体ZnO为原料,在压力为2~5.1GPa、温度为400~900℃条件下热压烧结获得n型ZnO多晶半导体透明陶瓷...
秦杰明姚斌张吉英申德振赵东旭张振中李炳辉
文献传递
电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应
2013年
在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷积累引起了量子限域斯塔克效应。
尚开张振中李炳辉徐海阳张立功赵东旭刘雷王双鹏申德振
关键词:ZNO电子束泵浦
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