赵东旭
- 作品数：149 被引量：254H指数：10
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Si-ZnO一维纳米材料及其制备方法
- 本发明涉及一种Si-ZnO一维纳米材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。在现有具有Si-ZnO结构的材料中，尚无ZnO纳米线生长在Si纳米线上的材料；现有制备具有Si-ZnO结构的材料的方法如分子束外延其设备昂贵、工...
- 方铉魏志鹏王晓华李金华方芳赵东旭浦双双
- 文献传递
- 聚烷基芴电致发光特性的研究被引量：1
- 1997年
- 合成并研究了聚（９－丁基芴）的电致发光和光致发光特性．通过控制其浓度，可获得从黄到蓝不同颜色的发光，并分析了发光的性质．
- 彭俊彪巴小微谢德民刘志斌李文连洪自若洪自若梁春军赵东旭
- 关键词：电致发光光致发光
- 制备p型氧化锌半导体体材料的方法
- 本发明涉及制备P型氧化锌半导体体材料的方法，是以摩尔百分比为95％～99.9％ZnO和5％～0.1％Sb的混合粉体为原料，在压力为2～5.4GPa、温度为1400～1600℃条件下热压烧结制得p型ZnO多晶体体材料。该方...
- 秦杰明姚斌张吉英申德振赵东旭张振中李炳辉
- 文献传递
- 电子束泵浦氧化锌基量子阱的斯塔克效应
- 2013年
- 在不同功率密度的电子束泵浦条件下,对ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的荧光光谱进行了研究,并采用蒙特卡罗仿真模拟对测试结果进行了分析。模拟的结果和实验结果高度吻合。观测到了不随穿透深度变化的阱区发光峰红移,证明表面电荷积累引起了量子限域斯塔克效应。
- 尚开张振中李炳辉徐海阳张立功赵东旭刘雷王双鹏申德振
- 关键词：ZNO电子束泵浦
- 一种固态发光碳纳米点的制备方法
- 本发明涉及一种固态发光碳纳米点的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。解决现有碳纳米点荧光发射波长随激发波长大幅移动、固体荧光效率低的技术问题。本发明以含多羧基、多羟基的有机化合物为原料，以富含氨基、羧基化合物为N‑掺杂剂...
- 范翊赵东旭王云鹏王飞
- 文献传递
- 硒碲合金薄膜、光导型红外光探测器及制备方法
- 本发明涉及半导体材料设计生长技术领域，尤其涉及一种硒碲合金薄膜及其制备方法，还涉及一种光导型红外光探测器。所述制备方法包括：将碲粉、硒粉和衬底放入三温区CVD管式炉中加热，并向所述三温区CVD管式炉中通入惰性气体；实现在...
- 王飞赵东旭王云鹏范翊
- Mn掺杂ZnO柱的结构及光学性质被引量：6
- 2010年
- 采用电化学沉积方法在Si（111）衬底上制备出了Mn掺杂的ZnO柱,长度约为500600 nm,直径为200300 nm。通过XRD和XPS的表征可以判断出：Mn2＋离子代替部分Zn2＋离子进入了ZnO晶格,Mn离子的掺杂量为2%。样品的共振拉曼谱表明：由于Mn2＋离子进入了晶格,导致ZnO的1LO和2LO光学纵向声子向高频移动。在He-Cd激光器325 nm激发下,可以观测到光谱中存在两个发光谱带,分别位于可见区和紫外区。
- 曹萍白越曲直赵东旭申德振范希武
- 关键词：电沉积共振拉曼
- 垂直氧化锌纳米线中的激射现象(英文)被引量：1
- 2011年
- 通过水热的方法以退火0.5h的ZnO薄膜作为籽晶,得到垂直的ZnO纳米线。在X射线衍射谱中,除了Si的(400)衍射峰以外,只观察到了ZnO的(002)衍射峰。室温光致发光谱中出现了强的紫外发射峰,同时也伴随着弱的缺陷相关的发射。这些数据表明垂直的ZnO纳米线序列有着较好的晶体质量。同时,通过光泵浦也观察到了ZnO纳米线中的激光发射。当激发功率密度超过阈值且进一步增加时,出现了多模发射峰,其积分强度随着激发功率密度的增大呈非线性的增长,并且在96kW·cm^(-2)处能清晰地观察到从自发发射到激射的转变。
- 郭振Andreazza-Vignolle CarolineAndreazza Pascal赵东旭刘益春张立功李炳辉张振中申德振
- 关键词：激光ZNO
- 具有可见光催化活性的TiO<Sub>2</Sub>纳米材料、应用及其制备方法
- 本发明公开一种可见光催化活性的纳米材料、应用及其制备方法，具体涉及一种具有可见光催化活性的TiO<Sub>2</Sub>纳米材料、应用及其制备方法。所述具有可见光催化活性的TiO<Sub>2</Sub>纳米材料，纳米材料...
- 陈星刘雷赵东旭刘可为申德振
- 文献传递
- N_2掺杂p型ZnO及ZnO同质p-n结LED的制备被引量：16
- 2006年
- 采用射频等离子体辅助分子束外延方法，以N2作为掺杂源，以O2作为辅助分解的气体和氧源，通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量，制备了P型ZnO薄膜及同质p—n结。I-V曲线显示该p-n结具有整流特性，直流驱动下获得了稳定的室温电致发光，包括位于420nm附近的发光峰和500-700nm的发光带。
- 张振中魏志鹏吕有明矫淑杰姚斌申德振张吉英赵东旭李炳辉郑著宏范希武
- 关键词：氧化锌发光二极管N掺杂
