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季峰

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇硅片
  • 3篇电化学腐蚀
  • 3篇多孔硅
  • 3篇照射
  • 3篇空穴
  • 3篇化学腐蚀
  • 3篇光照
  • 2篇掩膜
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇硅衬底
  • 2篇高深宽比
  • 2篇MEMS
  • 2篇衬底

机构

  • 5篇杭州士兰集成...

作者

  • 5篇刘琛
  • 5篇季峰
  • 2篇李立文

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
光辅助多孔硅电化学腐蚀槽
本发明提供了一种光辅助多孔硅电化学腐蚀槽，包括：槽体；位于所述槽体内的用以固定待腐蚀硅片的固定架；位于所述槽体内的电极，所述电极包括阴极电极及阳极电极，所述阴极电极及阳极电极分别位于所述固定架两侧；及位于所述槽体内的光辅...
闻永祥刘琛季峰江为团
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MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构
本发明提供了一种MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构，该方法包括：步骤S11，提供MEMS封帽硅衬底；步骤S12，在MEMS封帽硅衬底上形成相叠的n层掩膜层，在形成每一层掩膜层之后对该掩膜层及其下方的其他全部...
闻永祥刘琛季峰李立文
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光辅助多孔硅电化学腐蚀槽
本实用新型提供了一种光辅助多孔硅电化学腐蚀槽，包括：槽体；位于所述槽体内的用以固定待腐蚀硅片的固定架；位于所述槽体内的电极，所述电极包括阴极电极及阳极电极，所述阴极电极及阳极电极分别位于所述固定架两侧；及位于所述槽体内的...
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光辅助多孔硅电化学腐蚀槽
本发明提供了一种光辅助多孔硅电化学腐蚀槽，包括：槽体；位于所述槽体内的用以固定待腐蚀硅片的固定架；位于所述槽体内的电极，所述电极包括阴极电极及阳极电极，所述阴极电极及阳极电极分别位于所述固定架两侧；及位于所述槽体内的光辅...
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MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构
本发明提供了一种MEMS封帽硅片的多硅槽形成方法及其刻蚀掩膜结构，该方法包括：步骤S11，提供MEMS封帽硅衬底；步骤S12，在MEMS封帽硅衬底上形成相叠的n层掩膜层，在形成每一层掩膜层之后对该掩膜层及其下方的其他全部...
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