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刘旺

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇漏电
  • 3篇漏电流
  • 3篇高压二极管
  • 3篇管芯
  • 3篇二极管
  • 3篇二极管芯片
  • 3篇反向电压
  • 3篇反向漏电
  • 3篇反向漏电流
  • 2篇导电类型
  • 1篇外延层

机构

  • 3篇杭州士兰集成...

作者

  • 3篇刘旺
  • 3篇李志栓
  • 3篇王平
  • 3篇张常军
  • 3篇周琼琼

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
低漏电的低压二极管芯片及其制备方法
本发明揭示了一种低漏电的低压二极管芯片，所述低漏电的低压二极管芯片包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的上表面，所述外延层具有高压二极管区、三极管区以及用于隔绝所述高压二极管区和三极管区的隔离，所述高压二极管区具有第一极和...
张常军王平周琼琼刘旺李志栓
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低漏电的低压二极管芯片
本实用新型揭示了一种低漏电的低压二极管芯片，所述低漏电的低压二极管芯片包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的上表面，所述外延层具有高压二极管区、三极管区以及用于隔绝所述高压二极管区和三极管区的隔离，所述高压二极管区具有第一...
张常军王平周琼琼刘旺李志栓
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低漏电的低压二极管芯片及其制备方法
本发明揭示了一种低漏电的低压二极管芯片，所述低漏电的低压二极管芯片包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的上表面，所述外延层具有高压二极管区、三极管区以及用于隔绝所述高压二极管区和三极管区的隔离，所述高压二极管区具有第一极和...
张常军王平周琼琼刘旺李志栓
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