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徐爱斌

作品数:11 被引量:43H指数:3
供职机构:信息产业部电子第五研究所更多>>
相关领域:电子电信经济管理机械工程更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇电子元
  • 2篇电子元器件
  • 2篇元器件
  • 2篇塑封
  • 2篇塑封器件
  • 2篇破坏性物理分...
  • 2篇微电子
  • 2篇物理分析
  • 1篇电路
  • 1篇电路板
  • 1篇电子器件
  • 1篇多芯片
  • 1篇多芯片组件
  • 1篇引线
  • 1篇印制电路
  • 1篇印制电路板
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇通孔
  • 1篇耦合器
  • 1篇微波功率器件

机构

  • 11篇信息产业部电...
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇电子元器件可...

作者

  • 11篇徐爱斌
  • 2篇李少平
  • 1篇庄志强
  • 1篇欧叶芳
  • 1篇刘发
  • 1篇林宙峰
  • 1篇郑廷珪
  • 1篇章晓文
  • 1篇施明哲
  • 1篇蔡伟
  • 1篇郑廷圭
  • 1篇何小琦
  • 1篇林湘云

传媒

  • 10篇电子产品可靠...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2002
  • 1篇2000
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基片焊接不良导致微波功率器件热烧毁被引量:2
2004年
利用声学扫描检测技术,提示了热烧毁的微波功率器件氧化铍陶瓷基片与底座金属散热片的焊接不良现象;通过对样品的研磨与剥离,验证了焊接界面存在大面积空隙的状况;分析了其失效机理,并提出了建议。
徐爱斌李少平
关键词:微波功率器件
塑封器件无损检测技术探讨被引量:3
2008年
塑封器件由于其结构和材料等因素的影响,存在一些特有的潜在缺陷,在其装入整机之前必须经过检验以降低风险。塑封器件的无损检测技术,不仅能剔除早期失效样品,而且能有效地识别和剔除有潜在缺陷的器件,从而达到提高电子整机可靠性的目的。
林湘云徐爱斌
关键词:塑封器件
国产光电耦合器主要故障模式和失效机理被引量:3
2000年
通过对 6种型号 2 0多只国产光电耦合器失效样品的失效分析 ,分析研究了国产光电耦合器的
徐爱斌李少平欧叶芳郑廷珪
关键词:光电耦合器
工艺缺陷引起霍尔器件功能失效被引量:2
2005年
通过对失效霍尔器件的分析,揭示了芯片金属电极脱边形成位移金属丝的工艺缺陷,导致桥接相邻内电极引起漏电或短路的失效机理。
徐爱斌
破坏性物理分析(DPA)技术促进国产电子元器件质量提高被引量:10
2002年
简要介绍了破坏性物理分析(DPA)技术的概况和发展,重点介绍了信息产业部电子第五研究所DPA实验室应用DPA技术促进国产军用电子元器件质量提高的几个实际例子。
徐爱斌刘发
关键词:破坏性物理分析电子元器件
梳齿式MEMS加速度计在冲击下的失效分析被引量:1
2009年
对Si基梳齿式MEMS加速度计在冲击下进行了失效分析,验证了其主要失效模式,分析了其失效机理。通过机械冲击实验并采用扫描电镜(SEM)、X射线透视系统、扫描声学显微镜(SAM)观察及电性能测试等分析技术,研究了梳齿式MEMS加速度计在冲击载荷下的结构与封装失效,运用材料力学理论加以分析论证,发现悬臂梁断裂是较为主要的失效模式,且此类器件的封装失效主要表现为气密性失效和装配工艺失效,为MEMS器件的可靠性设计提供了重要依据。
林宙峰蔡伟徐爱斌庄志强
关键词:微电子机械系统加速度计
PCB的腐蚀失效及其分析被引量:9
2005年
通过一个电子辞典用PCB腐蚀失效的分析案例,介绍了PCB的失效现象、分析过程和分析技术,阐述了其失效机理,并提出了相应的改进措施。
徐爱斌郑廷圭
关键词:印制电路板
SEM在电子元器件破坏性物理分析中的应用被引量:1
2006年
探讨了在电子元器件破坏性物理分析(DPA)中,如何利用扫描电子显微镜(SEM)的高分辨、景深深、放大倍数高和立体感强等一系列技术特点,对微电子器件的互连金属化层异常缺陷进行定位观察、成像和分析的技术。实践证明,SEM可以很好地解决光学显微镜无法解决的一些技术问题,可以提高DPA结果的准确性。
徐爱斌施明哲
关键词:扫描电子显微镜破坏性物理分析微电子器件
密封电子元器件内部水汽含量问题探讨被引量:9
2002年
提出了国产密封电子元器件封装内部水汽含量高的问题,阐述了内部水汽对元器件性能与可靠性的 影响,探讨了降低内部水汽含量的主要技术途径。
徐爱斌
关键词:内部水汽含量
MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理被引量:3
2002年
介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点,并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性,说明了多层布线互连退化的模式和机理,以及防止互连退化的技术措施。实验分析表明,Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是,Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后,被氧化腐蚀,导致互连电阻增大,而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散,导致PI绝缘电阻下降。
何小琦徐爱斌章晓文
关键词:MCM-D多芯片组件通孔
共2页<12>
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