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刘发

作品数：4 被引量：18H指数：3
供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
相关领域：电子电信经济管理一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇物理分析
  • 2篇可靠性
  • 1篇电路
  • 1篇电子元
  • 1篇电子元器件
  • 1篇元器件
  • 1篇制冷
  • 1篇制冷机
  • 1篇斯特林
  • 1篇探测器
  • 1篇破坏性物理分...
  • 1篇静电放电
  • 1篇冷机
  • 1篇焦平面
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇PTSI
  • 1篇CMOS电路
  • 1篇ESD

机构

  • 4篇信息产业部电...

作者

  • 4篇刘发
  • 2篇姜小波
  • 1篇何小琦
  • 1篇徐爱斌
  • 1篇来萍

传媒

  • 4篇电子产品可靠...

年份

  • 1篇2002
  • 2篇2000
  • 1篇1999
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
斯特林制冷机可靠性研究综述被引量：3
2000年
红外探测器必须在低温下工作 ,制冷技术是该领域的关键技术之一。斯特林制冷机具有热交换效率高和结构紧凑的特点 ,可以满足军事应用中尺寸、重量和能量的要求 ,在军事应用中占据重要地位。简单介绍了斯特林制冷机的原理、种类及表征参数 ;着重介绍国外制冷机可靠性研究、增长及评价现状。
姜小波刘发
关键词：制冷机可靠性焦平面红外探测器
PtSi红外焦平面芯片可靠性物理分析被引量：1
2000年
某单位的红外焦平面芯片，在生产过程中发现成品率较低，主要原因是漏电流大。我们对几个批次产品的统计分析，确定了主要的失效模式；利用液晶分析，Ｅ－Ｂｅａｍ光辐射显微镜对成品进行了失效定位和失效机理分析；而且通过分析关键工序的半成品揭示了主要失效机理。
姜小波刘发何小琦
关键词：可靠性PTSI物理分析
探索用端口Ⅰ-Ⅴ特性对CMOS电路的静电放电(ESD)潜在损伤进行分析诊断被引量：4
1999年
探索用端口Ⅰ一Ⅴ特性对CMOS电路的ESD潜在损伤进行分析诊断，给出受ESD潜在损伤电路端口特性变化的一些特征，对用Ⅰ－Ⅴ特性变化表征潜在损伤器件的条件和局限性进行了讨论。
来萍刘发
关键词：ESDCMOS电路
破坏性物理分析(DPA)技术促进国产电子元器件质量提高被引量：10
2002年
简要介绍了破坏性物理分析（DPA）技术的概况和发展,重点介绍了信息产业部电子第五研究所DPA实验室应用DPA技术促进国产军用电子元器件质量提高的几个实际例子。
徐爱斌刘发
关键词：破坏性物理分析电子元器件
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