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王聪

作品数：25 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇刻蚀
  • 10篇衬底
  • 9篇籽晶
  • 8篇石墨
  • 8篇石墨烯
  • 5篇选择性刻蚀
  • 5篇湿法刻蚀
  • 5篇硅
  • 4篇单晶
  • 4篇刻蚀工艺
  • 4篇硅衬底
  • 4篇硅膜
  • 4篇薄膜生长
  • 4篇掺杂
  • 3篇单晶硅
  • 3篇导电薄膜
  • 3篇银纳米线
  • 3篇透明导电
  • 3篇透明导电薄膜
  • 3篇气相沉积

机构

  • 25篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇上海科技大学

作者

  • 25篇陈小源
  • 25篇王聪
  • 14篇方小红
  • 13篇刘东方
  • 13篇张伟
  • 7篇杨辉
  • 7篇鲁林峰
  • 7篇蔡伟
  • 5篇万吉祥
  • 4篇杨立友
  • 4篇刘洪超
  • 4篇尤莹
  • 2篇杨康
  • 2篇李明
  • 2篇王旭洪
  • 2篇李东栋

传媒

  • 1篇机械工程材料
  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 8篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硼掺杂石墨烯薄膜的制备方法
本发明提供一种硼掺杂石墨烯薄膜的制备方法，包括：1）提供一衬底，将所述衬底置于双温区系统；2）提供一硼碳固态源，将所述硼碳固态源置于所述双温区系统内，加热以在所述衬底表面沉积形成硼掺杂石墨烯薄膜。本发明以硼掺杂石墨烯的薄...
方小红尤莹王聪陈小源徐一麟万吉祥
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一种石墨烯薄膜的制备方法
本发明提供一种石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一铜箔；S2：对所述铜箔表面进行电化学刻蚀；S3：采用化学气相沉积法在所述铜箔表面生长石墨烯薄膜。本发明的石墨烯薄膜的制备方法针对现有方法进行改进，通过在金属铜...
王聪方小红陈小源蔡伟
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石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法
本发明提供一种石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，包括以下步骤：1）提供目标结构，在所述目标结构表面制备复合透明导电薄膜，所述复合透明导电薄膜包括石墨烯薄膜及银纳米线薄膜；2）在所述复合透明导电薄膜表面制备图形...
方小红徐一麟王聪尤莹陈小源万吉祥
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半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法
本发明提供一种半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法，其中，所述半导体同质衬底的制备方法至少包括如下步骤：提供一母衬底；于所述母衬底表面形成至少由若干个周期结构单元组成的周期结构；于所述母衬底及周期结构表面形成...
刘东方张伟曾煌王聪李纪周陈小源鲁林峰
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透明导电薄膜、光电器件及其制作方法
本发明提供一种透明导电薄膜、光电器件及其制作方法，包括：目标结构；银纳米线薄膜层，位于目标结构表面；透明导电聚合物填充层，填充于银纳米线薄膜层内部的空隙，且覆盖银纳米线薄膜层。透明导电薄膜具有高导电性和高透过率的优点；通...
方小红徐一麟王聪尤莹陈小源万吉祥
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一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法
本发明提供一种氮掺杂石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括步骤：首先提供一基底，将所述基底置于双温区系统，并在所述双温区系统中放置碳氮源，加热以在所述基底表面沉积形成氮掺杂石墨烯的前驱层；然后通入气体碳源，高温条件下碳沉积反...
方小红蔡伟王聪陈小源杨立友
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层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法
本发明提供一种层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法，所述方法包括：1)提供第一硅衬底，刻蚀形成硅柱阵列；2)于所述第一硅衬底及硅柱阵列表面形成实现选择性外延生长的阻挡层；3)形成疏水有机分子膜；4)提供第二...
刘东方曾煌张伟王聪李纪周陈小源
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一种石墨烯薄膜的转移方法
本发明提供一种石墨烯薄膜的转移方法，所述方法至少包括步骤：首先提供一金属基底，在所述金属基底表面依次形成有石墨烯薄膜、有机聚合物保护层和聚合物框架支撑层，所述有机聚合物保护层和聚合物框架支撑层均具有表面能或粘性；之后将所...
方小红蔡伟王聪杨立友陈小源
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一种基于硅异质衬底的GaN层转移单晶薄膜制备方法
本发明提供一种基于硅异质衬底的GaN层转移单晶薄膜制备方法，所述制备方法至少包括：首先，提供一硅衬底，刻蚀所述硅衬底形成硅柱阵列；其次，于所述硅衬底以及硅柱阵列表面形成能够实现选择性外延生长的阻挡层；然后，去除所述硅柱阵...
刘东方李纪周张伟王聪陈小源鲁林峰
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层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法
本发明提供一种层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法，所述方法包括：1)提供第一硅衬底，刻蚀形成硅柱阵列；2)于所述第一硅衬底及硅柱阵列表面形成实现选择性外延生长的阻挡层；3)形成疏水有机分子膜；4)提供第二...
刘东方曾煌张伟王聪李纪周陈小源
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