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刘东方

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇籽晶
  • 9篇刻蚀
  • 9篇衬底
  • 5篇选择性刻蚀
  • 5篇湿法刻蚀
  • 5篇硅
  • 4篇单晶
  • 4篇刻蚀工艺
  • 4篇硅衬底
  • 4篇硅膜
  • 4篇薄膜生长
  • 3篇单晶硅
  • 3篇电池
  • 3篇阻挡层
  • 3篇外突
  • 2篇电池效率
  • 2篇电器件
  • 2篇压头
  • 2篇阵列
  • 2篇入射

机构

  • 21篇中国科学院上...

作者

  • 21篇刘东方
  • 19篇陈小源
  • 15篇张伟
  • 13篇王聪
  • 11篇鲁林峰
  • 7篇杨辉
  • 6篇杨康
  • 6篇方小红
  • 6篇李东栋
  • 4篇刘洪超
  • 2篇汪昌州
  • 2篇王春林
  • 2篇陈海燕
  • 2篇赵玲
  • 2篇李明
  • 2篇王会利
  • 2篇王旭洪
  • 2篇程伟杰
  • 2篇王敏
  • 2篇殷敏

年份

  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 5篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种减反射自清洁薄膜及其制备方法
本发明提供一种减反射自清洁薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：采用压印技术以及表面修饰技术于透明柔性薄膜上加工出具有微米尺寸的立体图形结构，使得所述透明柔性薄膜具有减反射自清洁的性能，将所述减反射自清洁薄膜与太阳能电池组...
李东栋王敏马朋莎陈小源鲁林峰殷敏程伟杰刘东方方小红
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一种热电器件单元的制作方法
本发明提供一种热电器件单元的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一模具，所述模具包括一设有通孔的主体、设置于所述通孔内可上下移动的上压头和下压头、及设置于所述上压头和下压头之间并与所述上压头相配合的间隔件；所述间隔件中...
杨康赵玲王春林陈海燕陈小源刘东方
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太阳能发电储电集成器件
本发明提供一种太阳能发电储电集成器件，至少包括共用电极层、至少一个薄膜光伏器件、及至少一个薄膜储能器件。本发明具有减少太阳能发电系统能量损耗、降低成本、提高系统可靠性、提高太阳能利用效率的特点；扩大了太阳能发电储电集成器...
李东栋徐璟黄洪涛鲁林峰王会利吴慧徐辰刘东方方小红陈小源
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半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法
本发明提供一种半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法，其中，所述半导体同质衬底的制备方法至少包括如下步骤：提供一母衬底；于所述母衬底表面形成至少由若干个周期结构单元组成的周期结构；于所述母衬底及周期结构表面形成...
刘东方张伟曾煌王聪李纪周陈小源鲁林峰
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层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法
本发明提供一种层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法，所述方法包括：1)提供第一硅衬底，刻蚀形成硅柱阵列；2)于所述第一硅衬底及硅柱阵列表面形成实现选择性外延生长的阻挡层；3)形成疏水有机分子膜；4)提供第二...
刘东方曾煌张伟王聪李纪周陈小源
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一种基于硅异质衬底的GaN层转移单晶薄膜制备方法
本发明提供一种基于硅异质衬底的GaN层转移单晶薄膜制备方法，所述制备方法至少包括：首先，提供一硅衬底，刻蚀所述硅衬底形成硅柱阵列；其次，于所述硅衬底以及硅柱阵列表面形成能够实现选择性外延生长的阻挡层；然后，去除所述硅柱阵...
刘东方李纪周张伟王聪陈小源鲁林峰
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层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法
本发明提供一种层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法，所述方法包括：1)提供第一硅衬底，刻蚀形成硅柱阵列；2)于所述第一硅衬底及硅柱阵列表面形成实现选择性外延生长的阻挡层；3)形成疏水有机分子膜；4)提供第二...
刘东方曾煌张伟王聪李纪周陈小源
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一种双壳层结构籽晶衬底及其制备方法
本发明提供一种应用于单层转移薄膜生长的籽晶衬底及其制备方法，包括步骤：1)采用光刻工艺于单晶硅衬底表面形成光刻胶掩膜；2)于具有光刻胶掩膜的衬底上沉积金属层；3)去除所述光刻胶掩膜；4)采用湿法刻蚀工艺对所述衬底进行选择...
刘东方鄢靖源张伟李纪周王聪陈小源杨辉
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近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺
本发明提供一种近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺，包括：1）于单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，采用干法刻蚀或外延生长工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2）于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡...
刘东方张伟刘洪超王聪陈小源杨辉
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Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法
本发明提供一种Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法，所述Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜包括Si薄膜及GeTe薄膜，所述Si薄膜与所述GeTe薄膜交替排列形成多层薄膜结构。通过磁控交替溅射方法将相...
汪昌州刘东方张伟杨康
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