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张伟

作品数：21 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术核科学技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 9篇籽晶
  • 9篇刻蚀
  • 8篇衬底
  • 5篇选择性刻蚀
  • 5篇湿法刻蚀
  • 5篇硅
  • 5篇波荡器
  • 4篇单晶
  • 4篇刻蚀工艺
  • 4篇硅衬底
  • 4篇硅膜
  • 4篇薄膜生长
  • 3篇单晶硅
  • 3篇阵列
  • 3篇阻挡层
  • 3篇外突
  • 2篇热稳定
  • 2篇热稳定性
  • 2篇自由电子
  • 2篇自由电子激光

机构

  • 21篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 21篇张伟
  • 15篇刘东方
  • 13篇陈小源
  • 13篇王聪
  • 7篇杨辉
  • 7篇鲁林峰
  • 4篇杨康
  • 4篇刘洪超
  • 3篇李明
  • 2篇汪昌州
  • 2篇方小红
  • 2篇王旭洪
  • 2篇李东栋
  • 1篇黄文会
  • 1篇唐传祥
  • 1篇杜应超
  • 1篇颜立新
  • 1篇夏晓彬

传媒

  • 1篇核技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇真空与低温

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法
本发明提供一种半导体同质衬底及其制备方法、同质外延层的制备方法，其中，所述半导体同质衬底的制备方法至少包括如下步骤：提供一母衬底；于所述母衬底表面形成至少由若干个周期结构单元组成的周期结构；于所述母衬底及周期结构表面形成...
刘东方张伟曾煌王聪李纪周陈小源鲁林峰
文献传递
层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法
本发明提供一种层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法，所述方法包括：1)提供第一硅衬底，刻蚀形成硅柱阵列；2)于所述第一硅衬底及硅柱阵列表面形成实现选择性外延生长的阻挡层；3)形成疏水有机分子膜；4)提供第二...
刘东方曾煌张伟王聪李纪周陈小源
文献传递
一种双周期波荡器
本发明提供一种双周期波荡器，包括彼此可相对移动的上下磁载结构、固定于下磁载结构上的两个磁体阵列结构、以及固定于上磁载结构上的两个磁体阵列结构，其中四个磁体阵列结构两两组成第一和第二波荡器；四个磁体阵列结构在z方向上的相对...
周蜀东张伟相升旺朱亚雷阳阳
层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法
本发明提供一种层转移单晶硅薄膜用籽晶衬底的微接触湿法刻蚀制备方法，所述方法包括：1)提供第一硅衬底，刻蚀形成硅柱阵列；2)于所述第一硅衬底及硅柱阵列表面形成实现选择性外延生长的阻挡层；3)形成疏水有机分子膜；4)提供第二...
刘东方曾煌张伟王聪李纪周陈小源
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一种双壳层结构籽晶衬底及其制备方法
本发明提供一种应用于单层转移薄膜生长的籽晶衬底及其制备方法，包括步骤：1)采用光刻工艺于单晶硅衬底表面形成光刻胶掩膜；2)于具有光刻胶掩膜的衬底上沉积金属层；3)去除所述光刻胶掩膜；4)采用湿法刻蚀工艺对所述衬底进行选择...
刘东方鄢靖源张伟李纪周王聪陈小源杨辉
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基于横梯度波荡器的激光加热器
本实用新型提供一种基于横梯度波荡器的激光加热器，其安装于自由电子激光装置和直线加速器中，其包括沿激光光路依次排布且位于水平的第一光轴上的第一反射镜、第一激光靶片、第一束流靶片、横梯度波荡器、第二激光靶片、第二束流靶片和第...
黄大章冯超张伟张开庆康尹
一种使用磁场相机的混合波荡器磁化块排序方法
2019年
描述了一种考虑了磁化块局部磁矩不一致性的混合型波荡器磁化块初始安装排序方法。该方法基于独特设计的磁场相机,该相机用来扫描测量波荡器磁化块南北极附近的场图。排序优化流程为:由磁场相机所测得磁化块南北极附近场图推算出该磁化块内的局部磁矩误差分布,通过三维模拟计算得出含有局部磁矩误差的磁化块安装在波荡器梁上后对波荡器磁场的影响,最终依据这些影响数据对磁化块进行排序。该方法在一台短周期混合型波荡器样段上进行测试,所得结果表明在优化后的半周期积分场误差离散性明显小于未优化的情况,从而确认该方法是有效的。
钱茂飞张继东何永周王宏飞张伟周巧根
Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法
本发明提供一种Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法，所述Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜包括Si薄膜及GeTe薄膜，所述Si薄膜与所述GeTe薄膜交替排列形成多层薄膜结构。通过磁控交替溅射方法将相...
汪昌州刘东方张伟杨康
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一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法
本发明提供一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法，包括：1）于单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，采用化学湿法刻蚀或干法刻蚀工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2）于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡层；3）...
刘东方张伟陈小源杨辉王聪鲁林峰李东栋方小红李明杨康王旭洪
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一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法
本发明提供一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法，包括步骤：1）于具有周期性排列的硅棒的硅衬底表面形成阻挡层；2）于具有阻挡层表面形成硬掩膜；3）于所述硬掩膜表面旋涂PMMA及光刻胶；4）采用刻蚀工艺去除各所述硅棒...
张伟刘东方王聪刘洪超陈小源杨辉鲁林峰
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