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潘振

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 6篇电池
  • 5篇带隙
  • 5篇异质结
  • 5篇热光伏电池
  • 5篇禁带
  • 5篇宽带隙
  • 5篇宽禁带
  • 5篇光伏电池
  • 5篇发射区
  • 3篇电极接触
  • 2篇电极
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇柔性衬底
  • 1篇太阳电池
  • 1篇晶粒
  • 1篇复合衬底
  • 1篇衬底

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇纪伟伟
  • 6篇乔在祥
  • 6篇方亮
  • 6篇潘振
  • 5篇赵彦民
  • 1篇闫礼
  • 1篇张嘉伟
  • 1篇张瀚铭

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
刚性衬底制备柔性太阳电池的方法
本发明涉及一种刚性衬底制备柔性太阳电池的方法，其特点是：包括以下制备步骤：步骤1.制作柔性衬底-刚性衬底构成的刚性复合衬底；步骤2.在刚性复合衬底的柔性衬底上制作柔性太阳电池；步骤3.将柔性衬底-刚性衬底分离，完成刚性衬...
乔在祥张嘉伟闫礼纪伟伟方亮潘振张瀚铭
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Ge衬底异质结热光伏电池
本发明涉及一种Ge衬底异质结热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，Ge衬底上面自下至上依次生长有发射区、上电极接触层和上电极,Ge衬底下面制有下电极，Ge衬底为较窄禁带宽度p-Ge层；发射区为较宽禁带宽度n-Ga<Sub>...
潘振赵彦民方亮纪伟伟赖运子乔在祥
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Ge衬底异质结热光伏电池
本发明涉及一种Ge衬底异质结热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，Ge衬底上面自下至上依次生长有发射区、上电极接触层和上电极,Ge衬底下面制有下电极，Ge衬底为较窄禁带宽度p‑Ge层；发射区为较宽禁带宽度n‑Ga<Sub>...
潘振赵彦民方亮纪伟伟赖运子乔在祥
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异质结热光伏电池的制备方法
本发明涉及一种异质结热光伏电池的制备方法，制备过程包括：在较窄禁带宽度p-Ge层基区上面依次生长小于500nm厚较宽禁带宽度n-Ga<Sub>x</Sub>In<Sub>y</Sub>P层发射区、电极接触层、上电极；光刻...
纪伟伟赵彦民方亮潘振赖运子乔在祥
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一种Ge衬底异质结热光伏电池
本实用新型涉及一种Ge衬底异质结热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，Ge衬底上面自下至上依次生长有发射区、上电极接触层和上电极,Ge衬底下面制有下电极，Ge衬底为较窄禁带宽度p-Ge层；发射区为较宽禁带宽度n-Ga<Su...
潘振赵彦民方亮纪伟伟赖运子乔在祥
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异质结热光伏电池的制备方法
本发明涉及一种异质结热光伏电池的制备方法，制备过程包括：在较窄禁带宽度p‑Ge层基区上面依次生长小于500nm厚较宽禁带宽度n‑Ga<Sub>x</Sub>In<Sub>y</Sub>P层发射区、电极接触层、上电极；光刻...
纪伟伟赵彦民方亮潘振赖运子乔在祥
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