方亮
- 作品数：14 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种反向生长三结太阳电池的制备方法
- 本发明涉及一种反向生长三结太阳电池的制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。一种反向生长三结太阳电池的制备方法，其特点是：反向生长GaInP/GaAs/GaInAsN三结太阳电池的制备过程，使用MOCVD‑MBE技术，在G...
- 方亮张恒张启明高鹏王赫唐悦石璘刘如彬
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- 刚性衬底制备柔性太阳电池的方法
- 本发明涉及一种刚性衬底制备柔性太阳电池的方法，其特点是：包括以下制备步骤：步骤1.制作柔性衬底-刚性衬底构成的刚性复合衬底；步骤2.在刚性复合衬底的柔性衬底上制作柔性太阳电池；步骤3.将柔性衬底-刚性衬底分离，完成刚性衬...
- 乔在祥张嘉伟闫礼纪伟伟方亮潘振张瀚铭
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- 一种GaInP/GaAs/μc-Si：H三结叠层太阳电池
- 本发明涉及一种GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池。本发明属于太阳电池技术领域。一种GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池，其特点是：GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池，采...
- 方亮张启明张恒刘如彬高鹏姜明序王赫
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- Ge衬底异质结热光伏电池
- 本发明涉及一种Ge衬底异质结热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，Ge衬底上面自下至上依次生长有发射区、上电极接触层和上电极,Ge衬底下面制有下电极，Ge衬底为较窄禁带宽度p‑Ge层；发射区为较宽禁带宽度n‑Ga<Sub>...
- 潘振赵彦民方亮纪伟伟赖运子乔在祥
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- AlGaInP材料在高效多结太阳电池中的应用
- 2018年
- AlGaInP材料在III-V族化合物半导体中具有较高的带隙,是制备高效多结太阳电池中顶电池的理想材料之一。然而,在其金属有机气相外延（MOVPE）生长过程中的氧污染会形成深能级陷阱,这是影响材料质量的主要因素。探讨了影响AlGaInP材料带隙的几种工艺参数,包括Al含量、衬底偏角和生长温度。讨论了通过优化材料外延生长工艺和改进太阳电池结构,获得高质量AlGaInP子电池的几种技术途径,包括提高生长温度、生长速率和磷烷体积流量,以及采用Se作为发射区的n型掺杂剂和GaInP/AlGaInP异质结构。介绍了近年来AlGaInP材料在高效多结太阳电池领域的研究进展,包括正向晶格失配太阳电池、反向晶格失配太阳电池和半导体直接键合太阳电池,并对其未来的发展趋势进行了展望。
- 张启明张启明孙强张保国孙强方亮王赫罗超
- 关键词：ALGAINP多结太阳电池晶格失配
- 一种基于SI衬底的五结太阳电池的制备方法
- 本发明涉及一种基于SI衬底的五结太阳电池的制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。基于SI衬底的五结太阳电池的制备方法，AlGaInP/AlGaAs/GaAs/GaInAsP/GaInAs五结太阳电池采用MOCVD技术，在...
- 方亮高鹏姚立勇张恒张启明唐悦石璘刘如彬
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- 异质结热光伏电池的制备方法
- 本发明涉及一种异质结热光伏电池的制备方法，制备过程包括：在较窄禁带宽度p-Ge层基区上面依次生长小于500nm厚较宽禁带宽度n-Ga<Sub>x</Sub>In<Sub>y</Sub>P层发射区、电极接触层、上电极；光刻...
- 纪伟伟赵彦民方亮潘振赖运子乔在祥
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- Ge衬底异质结热光伏电池
- 本发明涉及一种Ge衬底异质结热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，Ge衬底上面自下至上依次生长有发射区、上电极接触层和上电极,Ge衬底下面制有下电极，Ge衬底为较窄禁带宽度p-Ge层；发射区为较宽禁带宽度n-Ga<Sub>...
- 潘振赵彦民方亮纪伟伟赖运子乔在祥
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- 一种Ge衬底异质结热光伏电池
- 本实用新型涉及一种Ge衬底异质结热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，Ge衬底上面自下至上依次生长有发射区、上电极接触层和上电极,Ge衬底下面制有下电极，Ge衬底为较窄禁带宽度p-Ge层；发射区为较宽禁带宽度n-Ga<Su...
- 潘振赵彦民方亮纪伟伟赖运子乔在祥
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- 1MeV电子辐照下晶格匹配和晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究
- 本文对MOCVD 方法制备的晶格匹配和晶格失配GaInP/GaInAs/Ge 三结太阳电池进行了1.0MeV 电子辐射效应研究.辐照通量选取为1.01011 e/cm2.s,辐照注量范围为：—.对辐照前后电池的I-V 特...
- 李占行艾尔肯.阿不都瓦衣提玛丽娅.黑尼方亮高伟高慧孟宪松郭旗
- 关键词：晶格匹配晶格失配光谱响应
