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张俊红

作品数:14 被引量:0H指数:0
供职机构:上海交通大学更多>>
相关领域:化学工程更多>>

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 3篇化学工程

主题

  • 8篇铜互连
  • 8篇接枝
  • 8篇互连
  • 8篇化学接枝
  • 7篇镀铜
  • 6篇电镀
  • 6篇半导体
  • 5篇镀液
  • 4篇电镀铜
  • 4篇电极
  • 4篇一步法
  • 3篇铜液
  • 3篇金属
  • 3篇金属电极
  • 3篇化学镀
  • 3篇化学镀液
  • 2篇导体
  • 2篇电镀添加剂
  • 2篇电子制造
  • 2篇镀铜液

机构

  • 14篇上海交通大学

作者

  • 14篇李明
  • 14篇张俊红
  • 8篇张珊珊
  • 6篇孙琪
  • 6篇曹海勇
  • 2篇凌惠琴

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 8篇2016
  • 3篇2014
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
在导体或半导体微孔中填充有机聚合物的方法
本发明涉及一种在导体或半导体微孔中填充有机聚合物的方法,包括以下步骤:将带有微孔的导体或半导体基材经过表面预处理后,放入配置好的水相溶液中进行化学接枝,最终实现在微孔中自底向上的填充有机聚合物。本发明的特点在于:在小的微...
高兰雅李明张珊珊张俊红
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铜互连电镀填充方法
本发明涉及一种铜互连电镀填充方法,包括以下步骤:将用于孔填充的镀铜液作为电解液,放入三电极体系中,测量其电化学曲线;根据电化学曲线确定电流峰和电流谷分别对应的电压值;将具有孔结构的样品作为工作电极放入三电极体系中,使孔表...
李明张俊红孙琪曹海勇
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铜互连电镀添加剂的评价方法
本发明涉及一种铜互连电镀添加剂的评价方法,包括如下步骤:步骤(1)将一种具有表面形貌特征的金属电极作为工作电极测定电化学曲线;步骤(2)将一种平面的金属电极作为工作电极测定电化学曲线;步骤(3)通过步骤(1)和(2)测量...
李明张俊红曹海勇孙琪
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铜互连电镀填充效果的评价方法
本发明提供了一种铜互连电镀填充效果的评价方法,包括如下步骤:利用一种表面形成图形化的金属电极测电化学曲线;利用一种平面的金属电极测电化学曲线;比较上述两种电化学曲线,评价镀铜液的填充效果;调整电镀铜液的组分浓度和金属电极...
李明凌惠琴张俊红曹海勇孙琪
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在半导体基材表面一步法化学接枝有机膜的方法
本发明提供了一种在半导体基材表面一步法化学接枝有机膜的方法,其包括如下步骤:制备化学镀液;将半导体基材置于所述化学镀液中,在0~30℃下进行静置,完成有机膜在半导体基材表面的接枝。与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果...
张珊珊李明高兰雅张俊红
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在导体或半导体微孔中填充有机聚合物的方法
本发明涉及一种在导体或半导体微孔中填充有机聚合物的方法,包括以下步骤:将带有微孔的导体或半导体基材经过表面预处理后,放入配置好的水相溶液中进行化学接枝,最终实现在微孔中自底向上的填充有机聚合物。本发明的特点在于:在小的微...
高兰雅李明张珊珊张俊红
铜互连电镀填充方法
本发明涉及一种铜互连电镀填充方法,包括以下步骤:将用于孔填充的镀铜液作为电解液,放入三电极体系中,测量其电化学曲线;根据电化学曲线确定电流峰和电流谷分别对应的电压值;将具有孔结构的样品作为工作电极放入三电极体系中,使孔表...
李明张俊红孙琪曹海勇
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半导体垂直铜互连中填充有机聚合物的TSV结构的制备方法
本发明涉及一种半导体垂直铜互连中填充有机聚合物的TSV结构的制备方法,包括以下步骤:将半导体基材在确定位置打孔,之后在带有导通孔的半导体基材上制备绝缘层、阻挡层和种子层并进行未完全填满的镀铜填充,然后经过表面预处理后放入...
高兰雅李明张珊珊张俊红
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铜互连电镀填充效果的评价方法
本发明提供了一种铜互连电镀填充效果的评价方法,包括如下步骤:利用一种表面形成图形化的金属电极测电化学曲线;利用一种平面的金属电极测电化学曲线;比较上述两种电化学曲线,评价镀铜液的填充效果;调整电镀铜液的组分浓度和金属电极...
李明凌惠琴张俊红曹海勇孙琪
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半导体垂直铜互连中填充有机聚合物的TSV结构及成型方法
本发明提供了一种半导体垂直铜互连中填充有机聚合物的TSV结构,包括半导体基材,所述半导体基材上设有若干盲孔或通孔,所述盲孔或通孔内部分填充有镀铜层,所述镀铜层上化学接枝有有机聚合物,在实现了铜和有机聚合物填充的基材表面设...
高兰雅李明张珊珊张俊红
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共2页<12>
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