戴鑫
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 生长界面对掺钒SiC电阻率的影响被引量：1
- 2016年
- 碳化硅(SiC)单晶多采用物理气相传输(PVT)法及籽晶顶置工艺生长,典型的生长界面包括略凹、近平微凸、略凸三种生长界面,在100 mm(4英寸)掺钒(V)半绝缘4H-SiC单晶生长过程中,需要研究不同生长界面对SiC单晶电阻率的影响,得到合适的生长界面。在近似的生长条件下,采用略凹、近平微凸、略凸三种生长界面生长出100 mm掺V半绝缘4H-SiC单晶,加工后进行了电阻率测试、应力等测试,结果表明近平微凸生长界面易于调整掺杂浓度,晶体缺陷少,适合生长电阻率均匀的掺V半绝缘4H-Si C单晶,且晶体出片率高。
- 戴鑫王英民毛开礼王利忠徐伟李斌
- 关键词：4H-SIC电阻率应力
