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李斌

作品数:35 被引量:122H指数:6
供职机构:中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:电子电信天文地球理学化学工程更多>>

文献类型

  • 33篇中文期刊文章

领域

  • 21篇电子电信
  • 7篇天文地球
  • 3篇化学工程
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇低噪
  • 7篇低噪声
  • 6篇低噪声放大器
  • 6篇望远镜
  • 6篇放大器
  • 5篇射电
  • 4篇单片
  • 4篇射电望远镜
  • 4篇天文
  • 4篇SIC
  • 3篇单片微波
  • 3篇电路
  • 3篇天线
  • 3篇宽带
  • 3篇粉料
  • 3篇半绝缘
  • 3篇PHEMT
  • 3篇4H-SIC
  • 2篇单晶
  • 2篇单片集成

机构

  • 20篇中国科学院上...
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  • 2篇中国电子科技...
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  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国科学院研...
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  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 33篇李斌
  • 11篇王英民
  • 7篇毛开礼
  • 6篇徐伟
  • 5篇王锦清
  • 5篇赵融冰
  • 4篇赵高扬
  • 4篇范庆元
  • 4篇陈莹
  • 4篇魏汝省
  • 3篇刘庆会
  • 3篇王利忠
  • 3篇马康夫
  • 3篇孙昕
  • 2篇仲伟业
  • 2篇薛祝和
  • 2篇吴亚军
  • 2篇蒋栋荣
  • 2篇董健
  • 2篇虞林峰

传媒

  • 9篇电子工艺技术
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  • 4篇天文研究与技...
  • 2篇低温与超导
  • 2篇天文学报
  • 2篇电子工业专用...
  • 2篇电子技术与软...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇天文学进展
  • 1篇微波学报
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 8篇2017
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2004
35 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
我国新一代VLBI数字基带转换器研制进展被引量:15
2011年
数字化是目前设备研制发展的趋势,介绍了中国科学院上海天文台利用超大规模集成电路结合软件无线电技术,自主研发的我国新一代VLBI数字基带转换器(Chinese Data Acquisition System,简称CDAS)。文中描述了设备的工作原理及其组成,并以VLBI观测实验数据证明其可行性。与原有的模拟设备(Analog Baseband Convertor,简称ABBC)相比,新设备具有体积小,可靠性高,性能好,可维护性强等优点。该设备作为VLBI台站终端系统的核心部分,安装在上海、北京、昆明和乌鲁木齐等相关台站,为我国VLBI技术用于天文观测、大地测量和航天器测轨服务。
朱人杰张秀忠韦文仁项英李斌吴亚军王锦清赵融冰舒逢春薛祝和凌权宝罗近涛陈岚
关键词:VLBI射频基带下变频DDS
利用侧向生长机制在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC
2017年
引入了一种采用升华外延法在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC的方法,提出了3C-SiC薄膜的生长模型,通过控制实现原位立方相3C成核,再沿台阶流方向侧向扩展3C-SiC单晶区域。连续多批次生长1 mm厚高质量3C-SiC样品,证明了该生长工艺的稳定性及重复性,XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)34″~48″,表明结晶质量非常好。低温光致发光谱同样显示高结晶质量,残余N浓度(1~2)×1016 cm-3。这种3C-SiC材料的生长理念可以用于均匀3C-SiC薄膜材料制备或者为3C-SiC体块单晶生长提供籽晶。
李斌魏汝省田牧
高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究
2017年
高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要。研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响。通过激光拉曼光谱、原子力显微镜、场发射扫面电镜等分析,测试了石墨烯材料的大小、形态,为后续工艺的改进提供参考。在1 650℃、500 Pa压力下生长2 h制备的外延石墨烯,具有更高品质和表面连续性,拉曼光谱中2D峰的半高宽(FWHM)约为34 cm^(-1),能够用单峰洛伦兹拟合,预示着单层石墨烯的形成。
毛开礼胡彦飞王英民李斌赵高扬
关键词:石墨烯
极低噪声测试系统的方法研究被引量:6
2010年
介绍了可变负载温度法和低温衰减器法。两种方法都应用了所谓的Y因子测量技术。当前S波段致冷放大器的噪声温度已达到小于7K的水平。测量如此低的噪声温度,对于电缆的损失、衰减器和接头以及仪器和传感器的校准,必须给予极大的关注。两种方法噪声温度的测量已经被应用并作了比较,整个测量的估值精确度小于1K。
张士刚李斌朱香芹吴志华杨斌
关键词:噪声温度
4~10 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计被引量:4
2011年
在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益。本文采用稳懋公司0.15μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器电路,其频率范围4~10 GHz,增益约25 dB,噪声温度低于100 K,输入输出回波损耗大于10 dB。
陈莹李斌
关键词:宽带单片集成低噪声放大器
改进型四脊波导正交模转换器的设计与测量被引量:6
2011年
为满足上海65m射电望远镜C波段接收机需求,在传统四脊波导OMT(Orthomode Transducer)基础上设计了一种小尺寸、高性能的宽带四脊波导正交模转换器。介绍了该OMT的结构和工作原理,讨论了设计要点,给出了有限元法(FEM)和时域有限积分法(FIT)的仿真结果,分析了OMT的容差性能,最后实际加工了实验样机。实验结果表明,改进型四脊波导OMT具有尺寸小、频带宽、高性能的特点,能够满足射电天文制冷接收机需求。
庄重李斌范庆元
关键词:正交模转换器容差分析
高真空下合成生长单晶用高纯碳化硅粉料被引量:6
2017年
采用自蔓延法合成单晶生长用高纯SiC粉料,特别地,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,随后利用所合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长。利用XRD、Raman光谱、SIMS(二次离子质谱仪)和非接触式电阻率测试仪等测试手段对合成粉料的物相、晶型以及碳化硅单晶的纯度和电阻率等参数进行了表征。研究发现,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,有助于高纯SiC粉料纯度的提升,特别是N浓度的降低。此外,高真空条件下合成的高纯碳化硅粉料有利于高纯半绝缘碳化硅单晶生长。
李斌马康夫王英民魏汝省毛开礼徐伟
关键词:高真空碳化硅粉料
26-40GHz单片微波集成低噪声放大器研究被引量:3
2017年
采用法国OMMIC公司70nm GaAsm HEMT工艺,设计实现一款26-40GHz单片微波集成(MMIC)低噪声放大器,该电路采用四级级联结构,仿真结果表明:在工作频段内增益达到29dB,输入回波损耗优于-10dB,输出回波损耗优于-15dB。
孙昕陈莹李斌
关键词:低噪声放大器毫米波单片微波集成电路砷化镓
TM65 m射电望远镜Ku、K、Ka和Q频段天线性能测量被引量:1
2017年
讨论了TM65m射电望远镜Ku、K、Ka和Q4个高频段天线效率、灵敏度以及系统噪声温度的性能测量工作.首先介绍了TM65m接收系统4个高频段的关键指标,接着对测量工作中需要注意的方面进行了论述,主要包括望远镜指向和副面位姿模型的构建、噪声源的定标以及大气的影响.最后给出了TM65m在这4个频段的天线效率、灵敏度以及系统噪声温度的实测结果.测量结果表明:在最佳俯仰角45°-65°范围内,Ku、K、Ka和Q4个波段天线效率均可以达到约50%,而在较高和较低的俯仰角上,由于主面变形的缘故,效率有明显的下降现象.当俯仰角为50°左右时,4个波段的灵敏度分別为38 Jy、120 Jy、200 Jy和110 Jy.
王锦清虞林峰蒋甬斌赵融冰孙正雄李斌仲伟业董健MICHAEL Kesteven夏博左秀婷苟伟郭文陆雪江刘庆会范庆元蒋栋荣钱志瀚
小型X波段贴片天线设计、匹配及测试被引量:3
2009年
应对接收X波段(8.44~8.46GHz)卫星信号,以及小型化的需要,设计了同轴侧馈式矩形微带天线。理论计算好各参数尺寸后在HFSS中建模,仿真效果良好,在ADS中画出电路板生成GERBER文件,加工成板子后用网络分析仪进行调试,生成的S2P文件导入ADS软件与HFSS的仿真图形对比。最后采用中科院上海天文台余山25m卡式天线作为接收天线对方向图进行观测。
李明昊李斌
关键词:网络分析仪
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