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赵阳

作品数：78 被引量：6H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 74篇专利
  • 4篇学位论文

领域

  • 28篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 40篇导通
  • 38篇导通压降
  • 26篇损耗
  • 26篇关断
  • 26篇关断损耗
  • 23篇半导体
  • 17篇晶体管
  • 17篇绝缘栅
  • 16篇肖特基
  • 16篇肖特基接触
  • 15篇双极晶体管
  • 15篇绝缘栅双极晶...
  • 14篇栅电荷
  • 13篇功率半导体
  • 13篇功率半导体器...
  • 13篇半导体器件
  • 10篇整流
  • 10篇整流特性
  • 10篇功率器件
  • 10篇半导体功率器...

机构

  • 78篇电子科技大学

作者

  • 78篇赵阳
  • 61篇李泽宏
  • 60篇张波
  • 60篇张金平
  • 51篇刘竞秀
  • 24篇王康
  • 7篇李少谦
  • 7篇王军
  • 6篇陈杰
  • 6篇李晋
  • 6篇闵锐
  • 5篇陈亚丁
  • 4篇赵倩
  • 2篇周鹏
  • 1篇任敏
  • 1篇高巍

年份

  • 5篇2023
  • 4篇2022
  • 11篇2021
  • 16篇2020
  • 22篇2019
  • 12篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2015
  • 4篇2014
共 78 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法
一种双向沟槽栅电荷存储型IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。通过减小传统双向沟槽栅电荷存储型IGBT结构中发射区沿基区顶层延伸的深度，并引入分裂沟槽栅结构，所述分裂沟槽栅结构包括栅电极及其周侧栅介质层和位于...
张金平赵倩赵阳刘竞秀李泽宏张波
一种超结MOS型功率半导体器件及其制备方法
一种超结MOS型器件及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统深槽MOS型器件的基础上，通过在漂移区中形成三维超结结构，以此克服厚漂移区和深沟槽所带来漂移区无法完全耗尽的问题，在提高器件耐压性能的同时能够降低...
张金平王康赵阳罗君轶刘竞秀李泽宏张波
文献传递
一种横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明在LIGBT器件结构的基础上，加入了载流子存储层，增强了漂移区电导调制效应，减小了器件导通压降；用分离栅包裹栅电极，减小密勒电容，降低关断...
张金平赵阳王康刘竞秀李泽宏张波
碳化硅MOSFET器件及其制造方法
本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法，通过在指定区域做碳化硅深P注入，并于碳化硅深P掺杂区上方经沟槽刻蚀、淀积金属或多晶硅，所淀积的金属或多晶硅与碳化硅N‑外延直接接触，形成具有整流特性的肖特基接触或Si/S...
张金平邹华罗君轶赵阳李泽宏张波
文献传递
一种横向双极型功率半导体器件及其制备方法
一种横向双极型半导体功率器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在保持传统双极型功率半导体器件阴极结构不变的前提下，通过在器件阳极区引入一个阳极沟槽栅结构及源极区和/或基区，在不影响器件正常工作和开通的情况下...
张金平殷鹏飞赵阳刘竞秀李泽宏张波
一种具有自偏置分离栅结构IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有自偏置PMOS的分离栅TIGBT及其制作方法。本发明通过在传统的TIGBT基础上引入PMOS结构，在不减小沟道密度的情形下，有效的改善器件正向导通时的饱和电流，提高了器件的短...
张金平王康赵阳刘竞秀李泽宏张波
文献传递
一种具有自偏置PMOS的分离栅TIGBT及其制作方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有自偏置PMOS的分离栅TIGBT及其制作方法。本发明通过在传统的TIGBT基础上引入PMOS结构，在不减小沟道密度的情形下，有效的改善器件正向导通时的饱和电流，提高了器件的短...
张金平王康赵阳刘竞秀李泽宏张波
文献传递
一种面向毫米波自组网的MAC层低时延快速重连方法
本发明属于无线网络技术领域，具体涉及一种面向毫米波自组网的MAC层低时延快速重连方法。本发明与传统的CSMA/CA协议中只要通信失败即进入二进制指数退避过程不同的是，本发明会在通信失败时，由失败甄别机制进行失败原因判别，...
李晋闵锐董兴荣青先国赵阳何小鹏程卓尔刘晓林张洧川陈杰何正熙
文献传递
一种可集成的超势垒横向二极管器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种可集成的超势垒横向二极管器件，本发明主要在于栅电极同时覆盖P型掺杂区和N‑型掺杂区，通过体效应，减小P型掺杂区表面反型所需电压，在N‑型掺杂区表面引入电子积累层，通过单载流子导电，本...
李泽宏王梁浩蒲小庆杨梦琦赵阳
文献传递
一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明在保持薄的栅氧化层的同时，在横向引入了具有厚介质层的深沟槽结构，沟槽内部靠近集电极一侧设置接发射极电位的分离栅电极。通过深沟槽结构与...
张金平赵阳王康刘竞秀李泽宏张波
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