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王康

作品数：64 被引量：16H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理医药卫生自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 52篇专利
  • 7篇学位论文
  • 5篇期刊文章

领域

  • 25篇电子电信
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 28篇导通
  • 26篇导通压降
  • 25篇晶体管
  • 24篇损耗
  • 24篇关断
  • 24篇关断损耗
  • 20篇绝缘栅
  • 19篇半导体
  • 13篇功率半导体
  • 13篇功率半导体器...
  • 13篇半导体器件
  • 11篇栅电容
  • 10篇栅电荷
  • 10篇双极晶体管
  • 10篇双极型
  • 10篇双极型晶体管
  • 10篇漂移区
  • 10篇绝缘栅双极晶...
  • 10篇绝缘栅双极型...
  • 10篇IGBT

机构

  • 64篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇绵阳市中心医...

作者

  • 64篇王康
  • 45篇张波
  • 45篇李泽宏
  • 45篇刘竞秀
  • 45篇张金平
  • 24篇赵阳
  • 8篇赵倩
  • 5篇于奇
  • 5篇杜江锋
  • 5篇潘沛霖
  • 4篇刘东
  • 2篇李坚
  • 2篇易建波
  • 2篇黄琦
  • 2篇张真源
  • 1篇胡家渝
  • 1篇杜平安
  • 1篇耿东晛
  • 1篇胡航宇
  • 1篇熊长武

传媒

  • 1篇电子技术应用
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇中国普外基础...
  • 1篇环境技术
  • 1篇单片机与嵌入...

年份

  • 5篇2023
  • 1篇2022
  • 7篇2021
  • 15篇2020
  • 22篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 64 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
一种电荷存储型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过改进传统电荷存储型IGBT器件的电荷存储层，远离漂移区的电荷存储层所用半导体材料相比靠近漂移区的电荷存储层半导体材料的禁带宽度更大，使得不同...
张金平赵倩王康刘竞秀李泽宏张波
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一种横向IGBT及其制作方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT及其制作方法。本发明在传统横向IGBT的基础上在3维方向上引入的超结结构在不影响器件击穿电压的情况下降低了器件的导通电阻，引入的N型电荷存储层能够改善漂移区载流子浓度...
张金平王康赵阳刘竞秀李泽宏张波
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一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要有衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层以及复合栅介质层，在势垒层上形成与其成欧姆接触的源极、漏极以及成MIS结构的栅极，复合栅介质层...
杜江锋潘沛霖王康刘东于奇
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一种多环节电力系统时延特性分析方法及系统
本发明涉及一种多环节电力系统时延特性分析方法及系统，首先确定多环节电力系统在信息传输过程中产生时延的多个环节，然后基于M/M/1排队理论，确定描述每个环节的时延特性的概率分布函数，基于Frank Copula函数，确定描...
李坚黄琦张光斗王康胡维昊张真源易建波鹿超群赵梓旭左志奇
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一种具有过流保护功能的IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具体涉及一种具有过流保护功能的IGBT。通过在传统的IGBT结构基础上集成一个PMOS结构，同时在PMOS上连接一个二极管与电阻，PMOS结构能够提供...
张金平王康赵阳刘竞秀李泽宏张波
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一种具有PMOS电流嵌位的分离栅CSTBT及其制作方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有PMOS电流嵌位的分离栅CSTBT及其制作方法。本发明通过在传统的CSTBT基础上引入PMOS结构，有效的改善器件正向导通时的饱和电流，提高了器件的短路安全工作能力，同时由于...
张金平王康赵阳刘竞秀李泽宏张波
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一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管
本发明公开了一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，铝镓氮势垒层以及钝化层组成，在势垒层上形成与势垒层成欧姆接触的源极、漏极以及与势垒层成肖特基接触的栅极。本发明在栅极...
杜江锋潘沛霖陈南庭王康于奇
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一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明在LIGBT器件结构的基础上，加入了载流子存储层和纵向槽栅结构，能增强电导调制效应，减小器件的导通压降；水平方向与纵向方向的沟道能提...
张金平赵阳王康刘竞秀李泽宏张波
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一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法
一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在沟槽型绝缘栅双极晶体管的第二导电类型浮空区引入第二导电类型沟道MOSFET的元胞结构，其中MOSFET的栅电极与漏极短接零电位，在器件关断时，由...
张金平罗君轶王康刘竞秀李泽宏张波
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一种具有过流保护能力的横向IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有过流保护能力的横向IGBT。本发明提出了一种具有过流保护能力的横向IGBT结构，通过在传统的横向IGBT结构基础上集成一个PMOS结构，同时在PMOS上连接一个二极管与电阻，...
张金平王康陈子珣刘竞秀李泽宏张波
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