田立强
- 作品数：11 被引量：43H指数：3
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 半绝缘GaAs光电导开关的延迟偶极畴工作模式(英文)被引量：1
- 2007年
- 基于转移电子效应提出半绝缘光电导开关延迟偶极畴工作模式,理论分析了强场下开关的周期性减幅振荡.指出开关的周期性减幅振荡是由于外电路的自激振荡和开关的转移电子振荡共同作用引起的.开关的偏置电场在交流电场的调制下,当畴到达阳极时,开关电场下降到低于耿氏阈值电场ET而高于维持电场ES(维持畴生存所需的最小电场),开关将工作于延迟偶极畴模式.进而从理论和实验两方面指出半绝缘GaAs光电导开关是一种光注入畴器件,光生载流子的产生使得载流子浓度与器件长度乘积满足产生空间电荷畴所需的条件.
- 田立强施卫
- 关键词：耿效应自激振荡
- 光电导开关非线性模式的机理分析及应用研究
- 半绝缘GaAs光电导开关(PhotoconductiveSemiconductorSwitches简称PCSS's)具有兼备宽频带和高功率容量特性，使其在超高速电子学和大功率脉冲产生与整形技术领域(大功率亚纳秒脉冲源、超...
- 田立强
- 关键词：光电导开关动力学特征
- 文献传递
- 光激发单极畴与耿氏偶极畴的物理机制比较被引量：2
- 2008年
- 对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制.从产生机理、电场分布、电子浓度、生长和演变过程等多角度阐述光激发单极畴的特性.与偶极畴显著不同的是,光激发单极畴内仅有光生电子积累层,没有正离子层;光激发单极畴与光生空穴之间产生了一个与外加电场反向的电场,使畴前电场增强,畴头部电子浓度最高;光激发单极畴生长过程可以一直持续下去,终因电子碰撞电离演变为发光畴,如果碰撞电离达到雪崩强度,将演变为雪崩发光畴.最后,本文用光激发单极畴模型解释了光电导开关非线性工作模式的超快上升沿、发光电流丝、电流锁定现象等重要实验现象.
- 王馨梅施卫田立强侯磊
- 关键词：光电半导体开关碰撞电离
- 高压ns光电导开关及其击穿特性研究被引量：6
- 2009年
- 对GaAs光电导开关的电极进行刻蚀处理,可极大地分散电极处的电场强度,有效避免局部电场的过于集中,从而增大开关的耐压和通流能力,为有效应用这一技术,用有限元方法模拟分析了不同角度刻蚀方案对电极处电场分布的影响,研制了32 kV、峰值电流3.7 kA的高压纳秒GaAs光电导开关。根据实验结果分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出开关击穿主要由开关体负阻效应在开关阳极产生的空间电荷累积所导致的开关阳极电场剧增引起的;同时,基于转移电子效应对开关击穿电压进行了理论计算,计算结果与实验相吻合。
- 刘红屈光辉王馨梅田立强刘峥徐鸣施卫
- 关键词：砷化镓光电导开关击穿脉冲功率
- 基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究被引量：1
- 2002年
- 简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长波限激光脉冲的吸收。
- 张显斌李琦田立强屈光辉施卫
- 关键词：砷化镓材料光电器件
- 高压超大电流光电导开关及其击穿特性研究被引量：7
- 2009年
- 研制了耐压达32kV,通态峰值电流达3.7kA的高压超大电流半绝缘GaAs光电导开关.分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出对于间接能带间隙光导材料(如Si)制作的光电导开关,开关的击穿电压主要由陷阱填充限制电导模型决定.而对于直接能带间隙光导材料(如GaAs,InP等)制作的光电导开关,开关击穿主要是由开关体负阻效应在开关阳极产生的空间电荷累积所导致的开关阳极电场剧增引起的.基于转移电子效应对GaAs光电导开关击穿电压进行了理论计算,计算结果与实验相一致.
- 施卫田立强王馨梅徐鸣马德明周良骥刘宏伟谢卫平
- 关键词：光电导开关击穿
- 半绝缘GaAs光电导开关中光激发电荷畴的猝灭畴模式(英文)
- 2008年
- 在半绝缘GaAs光电导开关中发现了光激发电荷畴的猝灭畴模式.分析指出畴猝灭是由于畴在渡越中开关的瞬时电场低于畴的维持电场引起的,并指出在开关电场低于非线性光电导开关阈值电场条件下,在到达阳极前畴的猝灭可导致开关输出电流的振荡频率高于畴的渡越时间频率.根据开关工作电路条件及畴特性给出了猝灭畴模式的等效电路,计算了相应的电路参数,计算结果与实验基本吻合.该研究为提高光注入畴器件的振荡频率及工作效率提供了理论和实验依据.
- 田立强施卫
- 关键词：光电导开关等效电路
- 汽车底盘防划装置
- 本实用新型公开了一种汽车底盘防划装置，包括在车体的底盘朝向地面的一面上安装的两个圆柱形的转轮，所述两个转轮的轴线与汽车的前后车轮轴平行并位于汽车的前后车轮轴之间，围绕两组转轮之间连接有履带。本实用新型的汽车底盘防划装置利...
- 田立强王敏
- 文献传递
- 非线性GaAs光电导开关的瞬态特性分析(英文)被引量：1
- 2008年
- 基于能量守恒原理推导出非线性GaAs光电导开关电路的差分公式,代入实验数据计算出开关的瞬态电压、电阻、功率.该方法解决了长期以来非线性GaAs光电导开关的瞬态特性难于测量的问题.通过GaAs光电导开关的瞬态电压曲线知,在锁定期间开关平均电场强度总是大于耿氏阈值,并随时间单调递增.通过对比开关与其电路电源的瞬态功率曲线,证明了电源功率不足是导致GaAs光电导开关从锁定状态进入自关断状态的根本原因,因此提出了在锁定期间通过改变电路的功率分布使开关可控关断的思想.
- 王馨梅施卫屈光辉田立强
- 关键词：光电导开关
- 高功率GaAs光电导开关的特性与击穿机理研究
- 光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches简称PCSS’s)具有耐压强度高、通流能力强、寄生电感电容小、开关速度快和皮秒时间精度等特性,使其在超高速电子学、大功率脉冲产生与整...
- 田立强
- 关键词：光电导开关击穿机理
- 文献传递
