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一种太赫兹波探测器: 一种太赫兹波探测器，包括斩波器（1）和聚乙烯透镜（2），其特征在于：还包括氖灯（3），所述氖灯（3）与直流电源（4）和电流表（5）构成闭合回路；所述氖灯（3）的输出端与电容器（6）、放大器（7）及示波器（8）或锁相放大器...; 侯磊施卫; 文献传递

可产生任意偏振方向太赫兹波的光电导太赫兹辐射源: 2023年; 基于太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统,使用两个相互垂直的光电导天线构建了1×2 GaAs光电导太赫兹源阵列.通过调控各个阵元的偏置电压,对其辐射太赫兹波的偏振方向进行研究.结果表明:在已实现光电导发射天线阵列的高效合成以及可同时检测脉冲太赫兹波的振幅、相位及偏振态的探测天线的基础上,通过调控各个阵元的偏置电压分别改变了平行和垂直两个阵元辐射太赫兹波的强度;经过1×2 GaAs光电导太赫兹源阵列在远场的同步合成,可产生不同偏振方向的脉冲太赫兹波,实现了以全电控的方式产生任意偏振方向太赫兹波的光电导太赫兹辐射源.; 施卫金枝张磊侯磊杨磊; 关键词：偏振方向

半绝缘GaAs光电导开关的瞬态热效应被引量：8: 2010年; 实验用波长1064nm,触发光能为1.0mJ的激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘GaAs光电导开关,当光电导开关的偏置电压达到3800V时,开关进入非线性(lock-on)工作模式,在偏置电场和触发光能不变的条件下,开关输出稳定的非线性电脉冲,1500次触发后GaAs开关表面出现因丝状电流引起损伤的痕迹.分析认为:在一定触发光能和电场阈值条件下,开关芯片内存在两种瞬态热效应:热弛豫效应和光激发电荷畴-声子曳引效应.热弛豫时间很短,在皮秒甚至亚皮秒量级,热弛豫过程导致了热传导的弛豫行为;当光激发电荷畴以107cm/s的速度从阴极向阳极渡越时,在这两种效应的作用下使得开关芯片瞬态温度变化发生了弛豫振荡现象.光激发电荷畴-声子曳引效应在位错运动方向上传播,声子流携带的热能集中在移动的平面内,使得移动区域温度升高,移动轨迹经多次叠加累积呈现出丝状的损伤痕迹.; 施卫马湘蓉薛红

GaAs光电导开关非线性模式的雪崩畴输运机理: 2023年; 光电导开关非线性模式的产生机理研究是该领域热点问题之一.本文采用波长1064 nm、脉宽5 ns的激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关,在触发光能1 mJ、偏置电压2750 V时获得稳定的非线性波形.基于双光子吸收模型,计算了开关体内光生载流子浓度,计算结果表明光生载流子弥补了材料本征载流子的不足,在开关体内形成由光生载流子参与的电荷畴.依据转移电子效应原理,对畴内的峰值电场进行了计算,结果表明高浓度载流子可使畴内峰值电场远高于材料的本征击穿场强,致使畴内发生强烈的雪崩电离.基于光激发雪崩畴模型,对非线性模式的典型实验规律进行了解释,理论与实验一致.基于漂移扩散模型和负微分电导率效应,对触发瞬态开关体内电场进行仿真,结果表明开关体内存在有峰值电场达GaAs本征击穿场强的多畴输运现象.该研究为非线性光电导开关的产生机理及光激发电荷畴理论的完善提供实验依据和理论支撑.; 田立强潘璁施卫潘艺柯冉恩泽李存霞; 关键词：GAAS 光电导开关双光子吸收

半绝缘GaAs光导开关不完全击穿前后暗态电阻降低原因新探: 2006年; 为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小。; 李希阳戴慧莹施卫候军燕杨丽娜; 关键词：半绝缘GAAS EL2 电子陷阱

超声喷雾法制备SnO2:F电热膜加热管的工艺: 本发明公开了超声喷雾法制备SnO2：F电热膜加热管的工艺方法，用此方法将SnO2：F透明导电膜均匀地制备于耐高温的硼硅玻璃管内壁，从而形成用于液体加热的电热膜加热管。与其它镀膜...; 施卫侯磊; 文献传递

α-乳糖水溶液太赫兹吸收光谱实验研究及模拟分析被引量：2: 2021年; 水对太赫兹(terahertz,THz)波有强烈的吸收,所以利用THz技术研究含水样品特性一直是本领域的难题.本文在THz时域光谱系统中通过使用工作于高倍增模式的光电导天线和喇叭形渐变平行平板波导提高了样品所在位置处的THz波电场强度,实现了在0.1-1.6 THz范围对α-乳糖溶液THz吸收光谱的直接检测.进而,运用密度泛函理论对水环境下α-乳糖单分子模型的THz吸收光谱进行模拟仿真研究,模拟结果与实验测试结果符合较好.本文对直接检测含水样品在THz波段的光谱特性具有重要参考价值.; 侯磊王俊喃王磊施卫; 关键词：太赫兹波密度泛函理论

阵列式光电导天线结构: 一种阵列式光电导天线结构，包括在砷化镓材料上用电子束蒸发工艺淀积的多对Au/Ge/Ni电极，构成天线阵列，正负电极交叉设置，呈叉指形结构，每对电极为一个天线阵元且相互独立；天线阵列安装在陶瓷片支撑衬底上，陶瓷片上设有太赫...; 施卫吴宇杨汇鑫侯磊; 文献传递

GaP晶体辐射太赫兹波物理机制的理论研究: 2009年; 基于耦合场量子的角度研究GaP晶体辐射太赫兹波的物理机制,报道了一种分析非线性光学晶体产生太赫兹波的方法。GaP晶体产生太赫兹波的物理基础在于它的耦合场量子色散曲线。采用了密度泛函理论,并结合耦合量子色散关系,得到GaP晶体的耦合场量子色散曲线。当散射角为2°~11°时,色散曲线的一部分落在太赫兹频段（2.5~9.1THz）,表明了GaP晶体在理论上能够辐射出频率范围为2.5~9.1THz的宽带太赫兹电磁波。; 张显斌张丽萍张新鹏曹兵施卫; 关键词：太赫兹波拉曼散射

超声热解法制备SnO2:F薄膜加热管及其性能研究被引量：1: 2004年; 采用超声喷涂热解淀积方法将SnO2:F透明导电薄膜制备于耐高温的硼硅玻璃管内壁.XRD物相分析及SEM、STM形貌分析表明,SnO2:F薄膜为多晶结构,平均粒径50nm.分析了薄膜中F取代SnO2中O的形成过程和薄膜电导率增强的机理,解释了不同的工艺条件对薄膜的结构、光电特性的影响,确定了制备SnO2:F薄膜加热管的最佳工艺条件.该条件下制备的薄膜的电阻率达4×10-4Ω·cm,可见光透过率高于90%,功率密度平均可达35 W/cm2.; 施卫侯磊; 关键词：光电特性

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