屈光辉
- 作品数：44 被引量：73H指数：6
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学机械工程更多>>
- V形三能级原子的辐射压力和激光冷却被引量：1
- 2011年
- 研究了压缩真空中V形三能级原子在单色行波场中的辐射压力和激光冷却.从系统的哈密顿量出发,利用玻恩-马尔科夫近似,推导出了原子的光学布洛赫方程.利用绝热近似,给出了平均辐射压力的表达式.通过量子回归定理和爱因斯坦关系,给出了系统所达到的平衡温度的表达式.讨论了量子相干强度、平均光子数和拉比频率对原子的自发辐射压力和冷却的最终温度的影响.结果表明低于多普勒极限的温度可以获得.
- 张琴金康唐远河屈光辉
- 关键词：压缩真空量子干涉
- 物理演示实验的作用及演示实验室建设
- 物理演示实验能化抽象为具体，化枯燥为生动，引导学生观察，进行思考，使学生认识物理概念和规律，达到“事半功倍”的效果。实验的内容选择、构思设计、演示过程等对学生掌握知识、培养能力和学习科学方法都有重要意义。
- 施卫张显斌马德明杨党强屈光辉
- 关键词：物理实验教学方法教育创新
- 时域光脉冲整形装置
- 本实用新型提供一种时域光脉冲整形装置，包括激光器及从下而上依次设置的分光玻璃砖、凸透镜和光屏；激光器包括射光嘴，激光器的射光嘴朝向分光玻璃砖。本实用新型的有益效果是，结构简单，体积小，适当地调节入射光的角度，就可以控制各...
- 屈光辉史鹤欢郑天瑞李源
- 文献传递
- 一种强场负脉冲耿氏二极管及其制备方法
- 本发明公开一种强场负脉冲耿氏二极管，包括外延片，外延片包括自下而上依次设置的半绝缘砷化镓衬底、n++砷化镓缓冲层、n-砷化镓有源层、n+砷化镓控制层和n++砷化镓接触层，其中n-砷化镓有源层长5～10微米，掺杂浓度为5×...
- 屈光辉
- 文献传递
- 一种脉冲二极管、其制备方法以及产生电脉冲的方法
- 本发明公开了一种脉冲二极管，包括半导体基片，半导体基片的两个表面分别设置有顶部电极和底层电极，顶部电极为脉冲二极管的阳极，底层电极为脉冲二极管的阴极。本发明还公开了上述脉冲二极管的制备方法。本发明还公开了上述脉冲二极管产...
- 屈光辉李彦
- 文献传递
- 一种高压雪崩晶体管
- 本发明公开的一种高压雪崩晶体管，包括由下至上依次设置的集电区电极、第三外延层、SI‑GaAs衬底、第一外延层及第二外延层，第二外延层上表面设置有通过光刻技术刻出条形叉指状凹槽；凹槽内设置有SiO<Sub>2</Sub>层...
- 屈光辉赵岚汪雅馨徐鸣兰春鹏
- 文献传递
- 半绝缘GaAs光电导开关非线性电脉冲超快上升特性研究被引量：3
- 2009年
- 利用流体模型对光生载流子的输运进行了模拟研究,结果表明载流子在输运过程中形成的光激发电荷畴是产生电脉冲超快上升特性的主要原因.对光激发电荷畴的形成和吸收过程的进一步研究表明:1)形成过程中的光激发电荷畴增强了电子的浓度梯度;2)光激发电荷畴在被阳极吸收的过程中,光电导开关偏置电压的快速下降能促进电流上升速度.光激发电荷畴的形成和吸收两大过程共同作用下,形成了电脉冲的超快上升特性.
- 施卫屈光辉王馨梅
- 关键词：光电导开关上升时间
- 一种提高成像系统微光探测性能的像增强器
- 本发明公开的提高成像系统微光探测性能的像增强器，包括光阴极、电子透镜、微通道板和荧光屏，其特点是在贴近光阴极和电子透镜之间设置磁镜，磁镜可以采用微通电子瓶板结构或简单磁镜外加电子聚焦透镜结构。将磁镜装置应用在微光探测成像...
- 唐远河独育飞刘锴屈光辉宁辉张磊李皓伟
- 文献传递
- 学分制下开放式创新性基础物理实验教学体系改革与实践
- 基础物理实验对大学生科学素质的形成有着至关重要的作用，科学的物理思维方法、设计与操作能力将影响学生的一生。在完全学分制教学环境下，为在基础实验教学中加强培养学生的实验能力、创新意识和探索精神，通过分块循环，逐步进行，分层...
- 施卫马德明屈光辉纪卫莉
- 关键词：实验教学新模式完全学分制教学理念
- 非线性光电导开关载流子碰撞电离分析被引量：1
- 2008年
- 对非线性GaAs光电导开关在锁定期间的电流成丝现象、具有负微分迁移率的速场特性、深能级的陷阱效应、光子的再吸收等因素进行分析,建立了非线性光电导开关锁定期间的连续性方程和电中性方程.基于该方程组,用有限差分法计算了偏压为2200V的3.5mmGaAs:EL2非线性光电导开关的电流实验数据,得到电流丝内载流子瞬态特性为:载流子浓度约为1017cm-3,EL2电子陷阱近似饱和;电子电流随锁定时间明显下降,空穴电流基本不变;单位寿命时间载流子雪崩倍增因子的均值约为1.2,其统计起伏随锁定时间增大.
- 王馨梅施卫屈光辉侯磊
- 关键词：光电半导体开关砷化镓碰撞电离
