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王喜祥

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：长春理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇信号
  • 2篇弱信号
  • 2篇微弱信号
  • 2篇光电
  • 2篇光电转换
  • 2篇薄膜生长
  • 1篇电源
  • 1篇生长速率
  • 1篇解析式
  • 1篇均匀性
  • 1篇放电
  • 1篇放电电路
  • 1篇伏安特性
  • 1篇负阻
  • 1篇NE
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD系...
  • 1篇掺杂

机构

  • 4篇长春理工大学

作者

  • 4篇王喜祥
  • 3篇史全林
  • 3篇张千勇
  • 2篇刘国军
  • 2篇徐莉
  • 1篇刘国军
  • 1篇徐莉
  • 1篇梁作亮

传媒

  • 1篇激光技术
  • 1篇激光杂志

年份

  • 2篇1998
  • 1篇1994
  • 1篇1987
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
微弱信号光电转换技术-研究生长GaAsGaAIAs薄膜技术
张千勇史全林刘国军王喜祥徐莉
应用MOCVD技术研究生长GaAsGaAIAs薄膜，为中国批量生产三代徽光材料片做前期的技术准备。国内外技术水平及发展趋势：国外以GaAs/GaAiAs为光电阴极的三代微光管已经成为定型产品，能够大批量生产，在军事上得到...
关键词：
关键词：光电转换微弱信号薄膜生长
水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究
1994年
本文讨论了影响生长速率的因素，如主载气流量、金属有机源流量（在一定蒸汽压下），衬底放置位置，及掺杂和非掺杂情况等。对实验结果进行了讨论，并与其它文献进行了比较。着重阐述了改善侧向均匀性问题。
刘国军徐莉史全林王喜祥张千勇
关键词：MOCVD生长速率均匀性掺杂
连续气体放电器件电源的设计被引量：2
1987年
本文从气体放电器件的伏安特性出发,利用二点法求出He-Ne,CO_2、Xe等气体放电伏安特性负阻段的解析式,进而对放电电路进行设计。
梁作亮王喜祥
关键词：电源伏安特性放电电路解析式NE负阻
微弱信号光电转换技术-研究生长GaAsGaAIAs薄膜技术
张千勇史全林刘国军王喜祥徐莉
应用MOCVD技术研究生长GaAsGaAIAs薄膜，为中国批量生产三代徽光材料片做前期的技术准备。国内外技术水平及发展趋势：国外以GaAs/GaAiAs为光电阴极的三代微光管已经成为定型产品，能够大批量生产，在军事上得到...
关键词：
关键词：微弱信号光电转换薄膜生长
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