刘国军
- 作品数：189 被引量：286H指数：9
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高功率半导体激光国家重点实验室基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器
- 一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知条形半导体激光器不足之处是输出光束发散角大、发光亮度低等缺点，限制了此类器件在相关领域中的应用。本发明之一种带有模式滤波器的高亮度条形半导...
- 乔忠良薄报学张斯玉高欣曲轶芦鹏李占国李辉刘国军李梅王玉霞
- GaAlAs/GaAs量子阱材料的光荧光谱研究被引量：3
- 2005年
- 分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。对GaAs、GaAlAs材料的生长条件进行优化,获得了高质量的量子阱材料,有源层分别为8nm、10nm、12nm时,10K下的PL谱半峰宽(FWHM)分别为6.42meV、6.28meV、6.28meV。
- 刘文莉李林钟景昌王晓华刘国军
- GaSb薄膜生长的RHEED研究被引量：4
- 2006年
- 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率。实验测量GaSb的生长周期为1.96 s,每秒沉积0.51单分子层。低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量。
- 李林王勇刘国军李梅王晓华
- 关键词：分子束外延
- 一种融入外部知识的生物医疗关系抽取方法
- 一种融入外部知识的生物医疗关系抽取方法，涉及自然语言处理技术领域，针对远程监督技术的训练数据存在噪声干扰的问题，本申请提出的生物医疗实体关系抽取方法，更为充分的利用句子间和句子内部丰富的语义信息和结构信息以及生物医疗实体...
- 王春宇张浩梁天铭刘晓燕刘国军郭茂祖
- 文献传递
- 硫钝化可提高GaSb表面光学性质被引量：1
- 2015年
- 由于锑化镓(GaSb)表面存在着大量的氧化物及悬挂键,使得材料具有较高的表面态密度,这将导致GaSb费米能级钉扎,严重限制了其器件的应用和发展。同时,这些氧化物及悬挂键将构成非辐射复合中心,影响表面发光。本文通过酸性饱和S2Cl2溶液(最优钝化时间为5s)对n型Ga Sb进行表面钝化后发现:该溶液钝化可有效减少GaSb表面的氧化物及悬挂键,改善光学性质。从理论上分析了S2Cl2溶液的钝化机理,同时利用PL、PL mapping、XPS及AFM等测试手段验证了该分析的准确性。另外,与常规的碱性(NH4)2S溶液(最优钝化时间为180s)对比,发现经S2Cl2钝化后样品的单点发光强度是(NH4)2S溶液处理过的样品1.5倍,是未处理样品的25倍。但S2Cl2溶液中含有较高的硫浓度,操作时不宜控制,极易腐蚀Ga Sb表面,钝化后样品表面有大量单质S析出,其发光均匀性及表面平整度不如(NH4)2S溶液。
- 安宁刘国军李占国魏志鹏马晓辉
- 关键词：钝化
- 光学薄膜制备技术被引量：13
- 2004年
- 本文综述了光学薄膜制备技术的发展与现状 ,着重介绍了真空蒸镀、离子辅助沉积、离子束溅射等传统与现代技术 ,包括工作原理。
- 司磊王玉霞刘国军
- 关键词：光学薄膜溅射
- 980nm垂直腔面发射激光器低欧姆接触电阻制备(英文)
- 2012年
- 研究了980nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)欧姆接触技术.降低VCSEL的欧姆接触电阻,可有效地提高VCSEL的输出功率和延长其可靠性.P面采用高掺杂的P-GaAs/Ti/Pt/Au系统,N面采用N-GaAs/Ge/Au/Ni/Au系统,通过优化合金温度,得到了最佳优化合金温度为440℃,最低欧姆接触电阻值为0.04Ω,同时对比了440℃和450℃器件的输出功率和转换效率之间的对比关系.测试结果表明,440℃器件的欧姆接触电阻0.04Ω,峰值波长980.1nm,光谱的半高宽0.8nm,平行发散角θ‖15.2°,垂直发散角θ⊥13.5°,输出功率1.4W,转换效率最大值为14.4%,而450℃的器件欧姆接触电阻为0.049Ω,输出功率为1.3W,转换效率为12.8%.通过优化合金温度能有效地降低980nm的VCSEL欧姆接触电阻.
- 李再金曲轶薄报学刘国军王立军
- 关键词：垂直腔面发射激光器欧姆接触合金
- 半导体激光泵浦固体激光技术
- 张兴德刘国军薄报学任大翠张千勇等
- 该项目研制用于泵浦固体激光器(如Nd：YAG)的半导体激光泵浦源，激光发射波长为808nm。采用改进的液相外延(LPE)生长工艺，选用独特的InGaAsP/GaAs材料体系，完成分别限制单量子阱激光器结构生长及后续工艺制...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光泵浦固体激光
- 一种超晶格波导半导体激光器结构
- 本发明属于光电子技术领域，是一种超晶格波导半导体激光器结构，从下到上依次包括:N型砷化镓衬底，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；N型砷化镓缓冲层，主要用以调节晶格适配度；N型下限制层，为铟镓砷磷四元化合物材料，用来...
- 李特张月李再金郝二娟邹永刚芦鹏曲轶刘国军马晓辉
- 文献传递
- 宽范围、偏振稳定的850nm液晶可调谐垂直腔面发射激光器特性被引量：4
- 2020年
- 设计了一种具有内腔耦合层的850 nm液晶可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,从而获得了更宽的波长调谐范围以及稳定的偏振模式输出。通过分析在不同液晶层厚度下,两种偏振模式的共振波长以及对应的阈值增益的变化关系,研究了液晶厚度影响可调谐VCSEL偏振模式和波长调谐的机理。此外,通过优化半导体腔和液晶腔之间的耦合层结构,使得基于液晶的可调谐VCSEL结构在实现稳定偏振模式输出的基础上具有更宽的波长调谐范围。结果表明,耦合层结构的加入可以有效地增大液晶可调谐VCSEL的调谐范围,最大达到41.1 nm。同时,在连续的波长调谐过程中,由于o光偏振模式始终处于受抑制状态,因此液晶可调谐VCSEL可实现稳定的单偏振模式输出。
- 王小龙邹永刚郝永芹马晓辉刘国军
- 关键词：波长调谐
