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张千勇

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：长春理工大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇光电
  • 3篇MBE
  • 2篇信号
  • 2篇弱信号
  • 2篇生长速率
  • 2篇微弱信号
  • 2篇均匀性
  • 2篇光电转换
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇薄膜生长
  • 2篇MOCVD
  • 2篇MOCVD生...
  • 2篇MOCVD系...
  • 1篇导体

机构

  • 6篇长春光学精密...
  • 3篇长春理工大学

作者

  • 9篇张千勇
  • 6篇刘国军
  • 6篇史全林
  • 4篇徐莉
  • 3篇王喜祥
  • 2篇刘国军
  • 2篇徐莉
  • 1篇张宝顺
  • 1篇王玲
  • 1篇朱宝仁
  • 1篇张兴德
  • 1篇王玉霞
  • 1篇薄报学

传媒

  • 6篇长春光学精密...
  • 1篇激光技术

年份

  • 4篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1991
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究
1998年
本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备， 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） 半导体激光器外延片的生长， 并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。
刘国军张千勇杨晗曲轶夏伟张兴德李梅王晓华李学谦薄报学张宝顺
关键词：分子束外延量子阱激光器半导体激光器材料
微弱信号光电转换技术-研究生长GaAsGaAIAs薄膜技术
张千勇史全林刘国军王喜祥徐莉
应用MOCVD技术研究生长GaAsGaAIAs薄膜，为中国批量生产三代徽光材料片做前期的技术准备。国内外技术水平及发展趋势：国外以GaAs/GaAiAs为光电阴极的三代微光管已经成为定型产品，能够大批量生产，在军事上得到...
关键词：
关键词：光电转换微弱信号薄膜生长
国产MO源的GaAs、GaAlAs的MOCVD生长
1991年
本文报导了采用国产MOCVD装置和MO源材料生长GaAs、GaALAs多层结构的实验情况,探索MOCVD装置和MO源材料全部国产化的途径,初步获得比较满意的结果,为器件的研究奠定初步基础。
张千勇史全林王喜祥徐莉
关键词：MOCVD半导体薄膜
微弱信号光电转换技术-研究生长GaAsGaAIAs薄膜技术
张千勇史全林刘国军王喜祥徐莉
应用MOCVD技术研究生长GaAsGaAIAs薄膜，为中国批量生产三代徽光材料片做前期的技术准备。国内外技术水平及发展趋势：国外以GaAs/GaAiAs为光电阴极的三代微光管已经成为定型产品，能够大批量生产，在军事上得到...
关键词：
关键词：微弱信号光电转换薄膜生长
半导体激光器材料的MBE生长被引量：1
1997年
本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延（MBE）设备的技术特点和性能，主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体激光器材料的生长研究工作。
刘国军张千勇杨晗张兴德李学谦宋晓伟曲轶王晓华
关键词：分子束外延半导体激光器MBE光电子器件
水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究
1994年
本文讨论了影响生长速率的因素，如主载气流量、金属有机源流量（在一定蒸汽压下），衬底放置位置，及掺杂和非掺杂情况等。对实验结果进行了讨论，并与其它文献进行了比较。着重阐述了改善侧向均匀性问题。
刘国军徐莉史全林王喜祥张千勇
关键词：MOCVD生长速率均匀性掺杂
MOCVD生长前的衬底处理实验研究
1993年
本文通过实验研究,讨论了实验参数对衬底表面形貌和MOCVD生长样品质量的影响,与文献所给实验条件进行了比较。
刘国军徐莉王喜祥史全林张千勇
关键词：衬底金属有机化合物气相淀积
水平式MOCVD系统生长速度均匀性的研究
1993年
本文讨论了影响生长速度的因素,如主载气流量、金属有机源流量(在一定蒸气压下),衬底放置位置,及掺杂和非掺杂情况等.对实验结果进行了计论,并与其它文献进行了比较.着重阐述了改善侧向均匀性问题.
刘国军徐莉史全林王喜祥张千勇
关键词：生长速率均匀性
外延技术在半导体激光器中的应用
1998年
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面所取得的一些进展，并比较了国内外的水平差距。
刘国军张千勇杨晗夏伟张兴德薄报学朱宝仁寻立春李学谦张宝顺王玲王玉霞
关键词：高功率半导体激光器LPECVDMBE
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