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徐莉

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：长春理工大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇生长速率
  • 2篇均匀性
  • 2篇MOCVD
  • 2篇MOCVD生...
  • 2篇MOCVD系...
  • 1篇导体
  • 1篇淀积
  • 1篇有机化合物
  • 1篇气相淀积
  • 1篇金属
  • 1篇金属有机
  • 1篇金属有机化合...
  • 1篇化合物
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇GAALAS
  • 1篇MO源
  • 1篇掺杂
  • 1篇衬底
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇长春光学精密...
  • 1篇长春理工大学

作者

  • 4篇史全林
  • 4篇张千勇
  • 4篇徐莉
  • 3篇刘国军
  • 1篇王喜祥

传媒

  • 3篇长春光学精密...
  • 1篇激光技术

年份

  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1991
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
水平式MOCVD系统生长速率均匀性的研究
1994年
本文讨论了影响生长速率的因素，如主载气流量、金属有机源流量（在一定蒸汽压下），衬底放置位置，及掺杂和非掺杂情况等。对实验结果进行了讨论，并与其它文献进行了比较。着重阐述了改善侧向均匀性问题。
刘国军徐莉史全林王喜祥张千勇
关键词：MOCVD生长速率均匀性掺杂
国产MO源的GaAs、GaAlAs的MOCVD生长
1991年
本文报导了采用国产MOCVD装置和MO源材料生长GaAs、GaALAs多层结构的实验情况,探索MOCVD装置和MO源材料全部国产化的途径,初步获得比较满意的结果,为器件的研究奠定初步基础。
张千勇史全林王喜祥徐莉
关键词：MOCVD半导体薄膜
MOCVD生长前的衬底处理实验研究
1993年
本文通过实验研究,讨论了实验参数对衬底表面形貌和MOCVD生长样品质量的影响,与文献所给实验条件进行了比较。
刘国军徐莉王喜祥史全林张千勇
关键词：衬底金属有机化合物气相淀积
水平式MOCVD系统生长速度均匀性的研究
1993年
本文讨论了影响生长速度的因素,如主载气流量、金属有机源流量(在一定蒸气压下),衬底放置位置,及掺杂和非掺杂情况等.对实验结果进行了计论,并与其它文献进行了比较.着重阐述了改善侧向均匀性问题.
刘国军徐莉史全林王喜祥张千勇
关键词：生长速率均匀性
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共1页<1>
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