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王东凤

作品数:21 被引量:36H指数:4
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信机械工程理学更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇半导体
  • 5篇直流
  • 5篇可靠性
  • 4篇直流高压
  • 4篇晶体管
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 4篇半导体器件
  • 2篇电机
  • 2篇电路
  • 2篇电路原理
  • 2篇电路原理图
  • 2篇电源
  • 2篇电源模块
  • 2篇电子束
  • 2篇电阻
  • 2篇异质结
  • 2篇增值税

机构

  • 21篇北京工业大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 21篇王东凤
  • 11篇邹德恕
  • 8篇吕长志
  • 8篇沈光地
  • 8篇谢雪松
  • 6篇高国
  • 6篇张小玲
  • 5篇李志国
  • 5篇陈建新
  • 4篇韩金茹
  • 4篇刘莹
  • 4篇杜金玉
  • 3篇廉鹏
  • 3篇崔碧峰
  • 3篇程尧海
  • 3篇李建军
  • 3篇冯士维
  • 2篇徐晨
  • 2篇郭霞
  • 2篇张威

传媒

  • 3篇北京工业大学...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇2010中国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇2010第十...

年份

  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 4篇1996
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1989
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电源模块中关键器件的加速寿命试验
使用印刷电路板仿制电源模块的电路,保证电路中的关键器件在实际的工作条件下被单独施加序进的温度应力,进行以电学参数退化为基础的加速寿命试验。克服了不能对电源模块中的关键器件施加较高温度应力进行加速寿命试验的困难。试验获得电...
吕长志马卫东黄春益张小玲谢雪松王东凤李志国
关键词:电源模块加速寿命试验可靠性
文献传递
新型聚酰亚胺电容式湿度传感器被引量:8
1992年
本文叙述了以聚酰亚胺为感湿膜的电容式湿度传感器的结构及制备工艺,研究了它的湿敏特性,概述了工作原理。
邹德恕王东凤
关键词:湿度传感器相对湿度聚酰亚胺
一种新型GaAs/GaAlAs红外探测器的研究
1996年
首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的GaAs/GaAlAs红外探测器,并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明,这种新型探测器与常规GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器相比,具有一些新的特点。理论计算和实验结果得到了很好的一致性。给出了这种新型器件电流输运的计算方法;得到较低的暗电流,较宽的光吸收谱(5~10μm);得到了新型器件的红外辐射下的光电流响应;初步给出了新型器件工作点的选取方法;模拟计算表明,增加周期个数,将会得到更大的光电流响应。
杜春霞邓军李群孔锐王东凤沈光地尹洁
关键词:红外探测器砷化镓GAALAS
SiGe/Si HBT的直流特性分析被引量:1
1996年
应用"掺杂工程"和"带隙工程"各自的特点,设计了一种独特的基区双向高速输运的SiGe/Si HBT层结构,并利用此结构在3μm工艺线上做出了性能良好的SiGe/Si HBT。其主要直流参数为:室温共发射极最大电流增益βmax(300K)可达300,低温βmax(77K)可达8000,厄利电压300V,漏电流在nA量级,均为国际先进水平。同时,给出了SiGe/SiHBT的室温(大注入,小注入),低温(大注入,小注入)的输出特性曲线,进行了对比分析,详细讨论了影响室温β,低温β及其它直流参数的主要因素。
张时明邹德恕陈建新高国杜金玉韩金茹董欣袁颍王东凤沈光地倪卫新汉森
关键词:硅锗合金直流特性
f_T为9GHz的SiGe/Si异质结双极晶体管被引量:1
1996年
叙述了SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)的设计考虑,双台面结构的制作方法,并制作出f_T为9GHz的SiGe/SiHBT。同时根据对不同尺寸HBT的测试结果得到分布参数是影响f_T的重要因素之一。
邹德恕陈建新高国沈光地杜金玉王东凤张时明袁颍
关键词:硅锗合金双极晶体管
三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
2005年
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
吕长志冯士维王东凤张小玲谢雪松何焱张浩徐立国袁明文李效白曾庆明
关键词:ALGAN/GANHFET双异质结
氨敏半导体器件的制造方法
一种主要用于氨气报警、探漏、监测及定量测量等场合的氨敏半导体器件的制造方法,属于半导体制造技术领域,它是在常规的MOS工艺基础上另增加三个步骤,即用直流高压溅射氧化铝层和铂金属层;用电子束蒸发氧化锆薄膜层。用该方法制得的...
邹德恕王东凤高国陈建新
文献传递
电源模块中关键器件的加速寿命试验
使用印刷电路板仿制电源模块的电路,保证电路中的关键器件在实际的工作条件下被单独施加序进的温度应力,进行以电学参数退化为基础的加速寿命试验。克服了不能对电源模块中的关键器件施加较高温度应力进行加速寿命试验的困难。试验获得电...
吕长志马卫东黄春益张小玲谢雪松王东凤李志国
关键词:电源模块加速寿命试验可靠性
文献传递
氨敏半导体器件及其制造方法
一种主要用于氨气报警、探漏、监测及定量测量等场合的新型氨敏半导体器件,是由集成在一个硅片上的氨气测量管,加热电阻和温控二极管组成。该器件共四根电极引线,漏极和栅极共用一根;源极,加热电阻R<Sub>2</Sub>极和温控...
邹德恕王东凤高国陈建新
文献传递
国产晶体管的长期贮存可靠性
测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性.贮存37年的3DK7F 100只中,1只发生致命性失效;4只晶体管的共射极直流电流放大倍数hFE减小超规范失效,其最大退化率为-50[%],年均退化率-1.35[%...
吕长志张小玲谢雪松程尧海王东凤李志国
关键词:晶体管可靠性
文献传递
共3页<123>
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