吕长志
- 作品数：149 被引量：307H指数：11
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金北京工业大学博士启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 基于LabVIEW的编码模块精度测量研究
- 2013年
- 为了对编码模块进行标准化,系列化测量,设计了一套编码模块通道精度测量系统,基于LabVIEW虚拟仪器软件设计上位机控制平台,进行测量控制和数据处理;基于FPGA平台实现下位机硬件设计,测量系统可以实现对编码模块通道精度的自动测量,极大的提高了编码模块的测量效率。
- 卢华英吕长志谢雪松张小玲单立超
- 关键词：LABVIEWFPGA
- GaAs MESFET的红外温度分布精确测量
- 该文利用美国RM-50红外微热像仪的最佳技术性能。采用校准和外推的方法。成功地 精确测量了栅长1微米GaAs MESFET的沟道温度分布。
- 程尧海李志国孙英华张万荣吕长志
- 关键词：表面温度
- 文献传递
- 一种基于三维建模的分析空洞对IGBT热可靠性影响的方法
- 一种基于三维建模的分析空洞对IGBT热可靠性影响的方法，用于IGBT失效分析与可靠性评估。根据封装内部各结构层的尺寸，建立简化的三维IGBT热仿真模型。对该模型各个层赋以相对应的材料热学特性，然后进行网格划分以及设定该模...
- 佘烁杰张小玲谢雪松吕长志张博文
- 文献传递
- 一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置
- 本发明涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置，尤其涉及一种基于LDO的电阻阻值编码方法及装置，通过设定LDO单元中编程电阻的阻值，可以确定PMOS镜像电流源单元的输入电流，PMOS镜像电流源单元的各支路PMOS管的输...
- 吕长志彭振宇张旺张健黄月强孟宪磊范宇刘扬
- 砷化镓场效应管沟道温度测试装置
- 砷化镓场效应管沟道温度测试装置特征在于，它是由计算机和控制器组成控制中心，通过时序调整电路分别控制带有两个可编程控制电源的漏极、栅极开关，实现了对被测管施加安全的任意工作条件与测试条件的转换。并通过电流、电压转换电路、漏...
- 王重吕长志冯士维丁广钰王明珠谢雪松张威
- 文献传递
- 一种动态频率补偿LDO的电路设计被引量：2
- 2012年
- 设计了一种动态频率补偿、高稳定性的LDO电路.针对具有Buffer缓冲器的LDO环路稳定特性随负载变化而变化的特点,给出一种新型的LDO频率补偿结构.这种补偿结构能很好地根据负载电流的变化,动态地改变环路次级极点的位置,进而提高环路稳定性.设计采用TSMC 0.35μm标准CMOS工艺,利用Spectre工具对电路的性能进行了模拟,仿真结果表明此电路结构在整个负载变化范围内相位裕度均大于88°,系统具有高稳定性.
- 彭振宇吕长志郭敏杨娟
- 关键词：LDO稳定性
- Y波导调制器耦合处在低温冲击下的ANSYS模拟
- 2008年
- 使用ANSYS有限元分析软件,对Y波导调制器在受到从室温降至-55℃的低温冲击时,光纤与波导耦合处的应力分布和弹性位移进行了模拟。将计算结果与实验数据进行了对比。分析表明,由于材料性质的差异导致耦合处的受温形变是其低温下工作参数退化的主要原因之一,为器件温度特性的研究提供了有效参考。
- 王羽张小玲吕长志张光沉王同庆
- 关键词：ANSYS模拟
- 基于序进应力加速实验评价失效率的新方法被引量：1
- 2007年
- 基于序进应力加速寿命实验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.该方法将序进应力加速实验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,快速确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.以样品3DG130为例,在160～310℃范围内进行了序进应力加速寿命实验,然后根据模型计算得到了器件的寿命、分布和失效率.结果与文献吻合很好,验证了方法的可行性.
- 郭春生李秀宇朱春节马卫东吕长志李志国
- 关键词：失效率
- 开关电源发展与趋势
- 本文介绍了开关电源(SWPS)发展现状,详细分析了开关电源的发展趋势,提出了我国开关电源发展所面临的可靠性寿命评价的关键问题。
- 朱春节郭春生李志国吕长志
- 关键词：开关电源高频化
- 文献传递
- 用加速试验评估器件长期贮存寿命的研究
- 电子元器件长期贮存条件下,主要受到温度、湿度、盐雾气氛等环境应力影响而失效。而将这些影响因素扩大来快速评价器件的长期贮存可靠性是目前器件可靠性研究的重点之一。本文给出了几种常用的加速应力模型及其适用条件。
- 张小玲谢雪松吕长志李志国
- 文献传递
