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沈光地

作品数：444 被引量：981H指数：12
供职机构：北京工业大学更多>>
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相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

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领域

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主题

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  • 33篇红外
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机构

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作者

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传媒

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年份

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  • 15篇2000
  • 15篇1999
  • 17篇1998
  • 7篇1997
  • 10篇1996
  • 1篇1989
共 444 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用
2004年
使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度。外延生长结束后 ,制备了 980nmVCSEL ,器件在室温下连续工作 ,输出功率为 7.1mW ,激射波长为 974nm ,斜率效率为 0 .4 6 2mW/mA。
俞波邓军韩军盖红星牛南辉形艳辉廉鹏郭霞渠宏伟沈光地
关键词：垂直腔面发射激光器
激光在MEMS键合技术中的应用被引量：3
2004年
键合技术已经广泛地应用于微电子机械系统(MEMS)领域,但传统的键合技术由于其缺点,限制了其应用范围,而激光以其独特的优势在键合技术中得到了人们的重视。文章介绍了激光在键合技术中的应用及其原理,以及今后发展的方向。
杨道虹董典红徐晨张剑铭阳启明沈光地
关键词：微电子机械系统硅直接键合激光
一种新颖的低温硅片直接键合技术
提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法。硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度。
徐晨霍文晓杨道虹赵慧赵林林沈光地
关键词：等离子体
文献传递
隧道再生多有源区垂直腔面发射激光器光学特性研究
2005年
文章对隧道再生两个有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)光学特进行了研究。主要包括:通过纵向光场分布模拟分析了驻波效应;测量得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、分布布喇格反射器(DBR)反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息,并结合增益谱,对该外延片制备的器件不激射的原因进行了分析解释。此外,对该外延片边发射模式特性进行模拟计算,由于DBR结构的存在,此结构的光场强度分布明显不同于普通的边发射激光器,模拟得到的远场发散角与测量结果相吻合。
渠红伟郭霞邓军董立闽廉鹏邹德恕沈光地
关键词：垂直腔面发射激光器边发射增益谱
基于MOCCII的多环反馈电流模式滤波器的系统设计被引量：37
2002年
本文提出一种n阶多环反馈(multiple-loop feedback)MOCCII(多端输出第二代电流传输器)电流模式滤波器的系统设计方法。用该方法可产生出多种不同结构的n阶多环反馈滤波器,所有n阶滤波器均由n个MOCCII及2n个RC无源元件组成。所产生滤波器的所有RC元件均接地,便于集成。文中还给出了四阶巴特沃斯滤波器的设计举例及PSPICE计算机模拟结果。
王春华闫健卓沈光地
关键词：多环反馈电流模式滤波器系统设计
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器被引量：1
2000年
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法 ,以液态 CCl4为掺杂源生长了高质量 C掺杂 Ga As/Al Ga As材料 ,并对生长机理、材料特性以及 C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以 C为 P型掺杂剂的 Ga As/ Al Ga As/ In Ga As应变量子阱半导体激光器结构 ,置备了高性能 980 nm大功率半导体激光器。
廉鹏邹德恕高国殷涛陈昌华徐遵图沈光地马晓宇陈良惠
关键词：MOCVD半导体激光器气相外延
基于MOCCII多输入单输出n阶电流模式滤波器被引量：21
2004年
提出了一种结构简单的基于MOCCIIn阶多输入单输出电流模式滤波器电路。该滤波器电路包含n+1个有源器件、n个电容及n+2个电阻,可以产生n阶低通、带通、高通、带阻电流模式滤波器。由于仅依靠改变外部输入电流信号的接入数目和方式来实现不同功能的滤波器,而电路内部结构及器件数目不变,所以该电路便于单片集成。文中对滤波器进行了PSPICE模拟。
王春华沈光地
关键词：电流模式
电流拥挤效应对GaN基发光二极管可靠性的影响被引量：10
2006年
文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管(LEDs)中,由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤,为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥挤效应对器件可靠性的影响,加速寿命实验结果表明:电流均匀扩展可以使可靠性得到有效改善。
艾伟伟郭霞刘斌董立闽刘莹宋颖娉沈光地
关键词：GAN发光二极管可靠性
功率LED热特性分析被引量：7
2009年
随着LED功率的升高,热应力对LED的影响越来越显著,过高的结温不但会使器件寿命急剧衰减,还会严重影响LED的峰值波长,光功率,光通量等诸多性能参数。因此精确掌握LED器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1W功率LED及不同功率的GaN基白光LED的结温和热阻进行了测量,实验结果表明:同种结构LED的温度系数K虽然离散但比较接近,不同结构LED芯片K明显不同;在相同衬底材料,相同芯片结构条件下,LED芯片结温会随芯片功率的增大而升高。并首次进行了变电流下不同功率LED芯片的结温和热阻测量,发现无论功率大小,结温均随热电流的增大而上升,功率越大,上升幅度也越大。随着LED两端所加电流的增大,3W白光LED的热阻呈上升趋势,而1W白光LED的热阻随电流增加基本不变。
毛德丰郭伟玲高国沈光地
关键词：光电子热阻功率发光二极管
Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用被引量：9
2004年
运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si在N2保护下及420℃左右,成功地实现了Au/Si共熔键合,成品率达到90%以上。该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于Si/Si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础,是此类结构MEMS器件的理想键合封装方法。
杨道虹徐晨李兰吴苗沈光地
关键词：微电子机械系统高温退火
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